Еще предложения

Купить apt40 у поставщиков

apt
Продавец Наименование Склад Под заказ Цена
ЮЛ+ФЛ
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru 31 шт — 480 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Китай) — 8 шт, 1 неделя
1 шт: 13 597.20 руб.
5 шт: 12 918 руб.
10+ шт: 12 237.60 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) 1 шт — 2 169 руб.
ЮЛ+ФЛ
1 шт заказ 480 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. 210 шт заказ 380.82 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. — 3 недели 366.80 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ACP) / М.опт: 50-99 шт. Опт: от 100 шт. — заказ 583.44 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) — 3 недели 6 949.55 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 500-999 шт. Опт: от 1000 шт. 27 шт заказ 2 265.21 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) — 3 недели 1 591.65 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 250-499 шт. Опт: от 500 шт. 315 шт заказ 1 238.33 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 10 шт заказ 1 541.75 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) — 3 недели 1 488.49 руб.
ЮЛ+ФЛ
(MICROCHIP TECHNOLOGY) — 3 недели 11 487.07 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Диод: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 392 шт 1 неделя 569 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Диод: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 251 шт 1 неделя 522 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Диод: FRED DQ 1200 V 40 A TO-268 958 шт 1 неделя 809 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Диод: DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 40 шт 1 неделя 795 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Диод: DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 3027 шт 1 неделя 427 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) BRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT227 118 шт 1 неделя 5 131 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP 6 шт 1 неделя 9 893 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi Corporation) Транзистор: IGBT 600V 86A 284W SOT227 8 шт 1 неделя 19 858 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Advanced Power Technology) Транзистор: IGBT 900V 101A 543W TMAX 24 шт 1 неделя 8 446 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 88A 500W TO247 37 шт 1 неделя 1 732 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 88A 500W TO247 60 шт 1 неделя 2 266 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 88A 500W D3PAK 242 шт 1 неделя 1 977 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 80A 345W TO247 608 шт 1 неделя 2 445 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) MOSFET N-CH 400V 93A SOT227 2 шт 1 неделя 16 353 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) MOSFET N-CH 400V 53A SOT227 40 шт 1 неделя 10 245 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip Technology) MOSFET N-CH 600V 40A SOT227 28 шт 1 неделя 6 457 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) Диод TO-247 10 шт — 810 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) TO-247 51 шт — 527 руб.
ЮЛ
(Microchip) 1 шт 1 неделя 2 846.89 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 482.97 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 4 267.39 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 4 702.36 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 2 642.14 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 2 475.60 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 1 677.17 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 3 045.76 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 3 057.51 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 4 658.27 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 5 388.12 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ 4 609.29 руб.
ЮЛ
(Microsemi) — заказ —
ЮЛ
(Microchip technology) ЭлектроэлементRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247 1000 шт 8 недель 680 руб.
ЮЛ
(Microchip technology) Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT 500 шт 8 недель 4 940 руб.
ЮЛ
(Microchip technology) Unclassified 600 шт 8 недель 2 550 руб.
ЮЛ
(Microchip technology) 600 шт 8 недель 2 490 руб.
ЮЛ
(Microchip technology) Discrete Semiconductors\Igbt Transistors\Igbt ChipIGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3 600 шт 8 недель 2 150 руб.
ЮЛ
(Microchip technology) Unclassified 800 шт 8 недель 1 640 руб.
ЮЛ
(Microchip technology) UnclassifiedIGBT NPT 600V 80A 345W Through Hole TO-247 [B] 800 шт 8 недель 1 920 руб.
ЮЛ
(Microchip technology) UnclassifiedN-Channel 400V 93A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227 (ISOTOPВ) 500 шт 8 недель 12 670 руб.
ЮЛ
(Degson) — заказ —
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 40 недель 2 218.89 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 499.41 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 461.48 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 714.34 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 698.54 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 376.14 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 32 недели 4 418.81 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 66 недель 5 104.71 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 66 недель 5 104.71 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 2 689.85 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 48 недель 2 686.69 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 48 недель 6 173.06 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 8 189.66 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 3 875.15 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 48 недель 3 255.63 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 48 недель 8 094.83 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 8 227.59 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 40 недель 1 523.51 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 43 недели 1 994.47 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 29 недель 1 738.45 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 66 недель 5 559.86 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microchip) — 66 недель 5 559.86 руб.
ЮЛ
(Microsemi) 2916 шт 2 недели —
ЮЛ
(Microsemi) 152 шт 2 недели —
ЮЛ
(Microsemi) 96 шт 2 недели —
ЮЛ
(Microsemi) 546 шт 2 недели —
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 22 653.90 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 282.60 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 334.80 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 390.60 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 234 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 2 227.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 187.10 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 996.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 638.90 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 584 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 338.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 957.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 211.40 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 719.10 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 943.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 643.40 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 830.70 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 803.70 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 138.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 701.90 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Microsemi) — заказ 1 974.60 руб.
ЮЛ
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS5 — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS5 — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS5 — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - SiC — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - SiC — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Выпрямители Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Выпрямители Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Выпрямители Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ — 1 неделя —
ЮЛ
— 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Мостовые выпрямители Power Module - Diode — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power FREDFET - MOS5 — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Coolmos — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Coolmos — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - SiC — 1 неделя —
ЮЛ
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - SiC — 1 неделя —
To top

Сообщение для разработчиков

Отправить
Сообщение успешно отправлено. Спасибо за обратную связь.