Купить YJG у поставщиков
Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(YJ) Заказ от 3 шт. | — | 1 неделя | 64.58 руб. | ||
(YJ) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 175A | — | 1 неделя | 100.69 руб. | ||
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
(YJ) Заказ от 3 шт.
|
— | 1 неделя | 69.26 руб. | ||
(YJ) Заказ от 3 шт. | — | 1 неделя | 86.11 руб. | ||
(YJ) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 200А | — | 1 неделя | 82.66 руб. | ||
(YJ) Заказ от 8 шт. | — | 1 неделя | 26.21 руб. | ||
(YJ) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 400A | — | 1 неделя | 28.22 руб. | ||
YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)
(YJ) Заказ от 6 шт.
|
— | 1 неделя | 32.76 руб. | ||
(YJ) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 95A | — | 1 неделя | 68.41 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(YJ) Транзисторы и сборки MOSFET PDFN568 | — | — | 23.15 руб. | |
(Yangjie Technology) МОП-Транзистор 30 В 150 А 1,58 м-при 10 В, 20 А 75 Вт 1,5 В при 250мкА 643 пФ при 15 В N-канал 4,498нФ при 15 В 46 нК при 10 В -55-+150-@(Tj) PDFN(5x6) МОП-Транзистор | — | 8295 шт, 9 недель |
5 шт: 58.16 руб. 50 шт: 45.98 руб. 150 шт: 40.74 руб. 500 шт: 30.52 руб. 2500 шт: 26.92 руб. 5000+ шт: 24.41 руб.
|
||
(Yangjie Technology) МОП-Транзистор 60В 20А 34м-@10В,20А 14Вт 1,5В@250мкА 62пФ@30В N канал 1,018нФ@30В 26nC@10В -55-+150-@(Tj) PDFN(5x6) МОП-Транзистор | — | 4270 шт, 9 недель |
5 шт: 34.13 руб. 50 шт: 27.30 руб. 150 шт: 24.36 руб. 500 шт: 20.64 руб. 2500 шт: 16.33 руб. 5000+ шт: 14.89 руб.
|
||
(YJ) Транзисторы и сборки MOSFET PDFN568 | — | — |
1 шт: 15.05 руб. 87 шт: 14.30 руб. 495 шт: 12.54 руб. 2081 шт: 11.92 руб. 5000+ шт: 11.53 руб.
|
||
(YJ) Транзисторы и сборки MOSFET PDFN8L5X6 | — | — |
1 шт: 22.26 руб. 59 шт: 21.13 руб. 335 шт: 18.55 руб. 1408 шт: 17.62 руб. 3633+ шт: 17.06 руб.
|
||
(Yangjie Technology) Транзистор N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт | 12 шт | — |
1 шт: 190 руб. 10 шт: 88.42 руб. 100 шт: 77.97 руб. 500 шт: 66.93 руб. 1000+ шт: 60.27 руб.
|
||
(Yangjie Technology) МОП-Транзистор DFN5060 МОП-Транзистор | — | 841 шт, 9 недель |
1 шт: 114.31 руб. 10 шт: 90.48 руб. 30 шт: 80.40 руб. 100 шт: 67.28 руб. 500 шт: 55.88 руб. 1000+ шт: 51.04 руб.
|
(YJ) Транзистор полевой MOSFET Nканальный 60В 175A | — | 81 шт, 1 неделя |
1 шт: 192 руб. 5 шт: 182.40 руб. 10+ шт: 172.80 руб.
|
||
(YJYANGJIE) | — | 4200 шт, 1 неделя |
1 шт: 190.80 руб. 5 шт: 182.40 руб. 10+ шт: 172.80 руб.
|
||
(YJYANGJIE) | — | 4200 шт, 1 неделя |
1 шт: 238.80 руб. 5 шт: 228 руб. 10+ шт: 216 руб.
|
||
(YJ) Транзистор полевой MOSFET Nканальный 40В 200А | — | 795 шт, 1 неделя |
1 шт: 148.80 руб. 5 шт: 141.60 руб. 10+ шт: 134.40 руб.
|
||
(YJYANGJIE) | — | 9500 шт, 1 неделя |
1 шт: 73.20 руб. 5 шт: 69.60 руб. 10+ шт: 66 руб.
|
||
(YJ) | — | 1000 шт, 1 неделя |
1 шт: 52.80 руб. 5 шт: 50.40 руб. 10+ шт: 48 руб.
|
||
(YJYANGJIE) | — | 4500 шт, 1 неделя |
1 шт: 115.20 руб. 5 шт: 110.40 руб. 10+ шт: 104.40 руб.
|
||
(YJ) | — | 494 шт, 1 неделя |
1 шт: 129.60 руб. 5 шт: 123.60 руб. 10+ шт: 117.60 руб.
|
||
(Китай) Транзистор YJG175G06AR PQFN5x6TDSON8 Yangzhou Yangjie Electronic Te NMOSFETVMOS60V175A0.00225R140W | — | 1011 шт, 1 неделя |
1 шт: 186 руб. 5 шт: 177.60 руб. 10+ шт: 168 руб.
|
||
(Китай) Транзистор YJG200G04AR PQFN5x6TDSON8 Yangzhou Yangjie Electronic Te NMOSFETVMOS40V200A0.00135R120W | — | 1012 шт, 1 неделя |
1 шт: 159.60 руб. 5 шт: 152.40 руб. 10+ шт: 144 руб.
|
4611 шт | — | 23.79 руб. | |||
3581 шт | — | 26.33 руб. | |||
YJG110G10B, транзистор 100B 110A 113Вт PDFN5060-8L | 4800 шт | — | 76.25 руб. | ||
4280 шт | — | 65.39 руб. | |||
(YJ) Тип упаковки - Tape and Reel (лента в катушке). Нормоупаковка - 400. Вес брутто - 0.13 г. Корпус - PDFN5*6. Описание - N-Channel Enhancement Mode FET 60V, 175A. | 81 шт | — | 104.38 руб. | ||
8481 шт | — | 73.59 руб. | |||
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC | 4200 шт | — | 81.77 руб. | ||
4 шт | 7 недель | 105 420.69 руб. | |||
4821 шт | — | 21.69 руб. | |||
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060] | 4200 шт | — | 101.66 руб. | ||
4 шт | 7 недель | 131 776.09 руб. | |||
(YJ) Тип упаковки - Tape and Reel (лента в катушке). Нормоупаковка - 5000. Вес брутто - 0.13 г. Корпус - PDFN5*6. Описание - N-Channel Enhancement Mode FET 40V, 200A. | 795 шт | — | 81.78 руб. | ||
2494 шт | — | 63.69 руб. | |||
7119 шт | — | 35.08 руб. | |||
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060] = SFG10S2 | 9500 шт | — | 30.94 руб. | ||
9 шт | 7 недель | 40 308.20 руб. | |||
(YJ) Тип упаковки - Tape and Reel (лента в катушке). Нормоупаковка - 5000. Вес брутто - 0.1 г. Корпус - PDFN5*6. | 1000 шт | — | 28.76 руб. | ||
18996 шт | — | 24.19 руб. | |||
4906 шт | — | 15.46 руб. | |||
5000 шт | — | 21.35 руб. | |||
YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L) | 4500 шт | — | 38.68 руб. | ||
4 шт | 7 недель | 63 562.28 руб. | |||
4901 шт | — | 22.86 руб. | |||
19506 шт | — | 19.50 руб. | |||
4831 шт | — | 11.88 руб. | |||
4343 шт | — | 33.84 руб. | |||
290 шт | — | 105.53 руб. | |||
(YJ) Тип упаковки - Tape and Reel (лента в катушке). Нормоупаковка - 500. Вес брутто - 0.25 г. Корпус - PDFN5*6. | 494 шт | — | 70.64 руб. | ||
9267 шт | — | 66.36 руб. |
(YJ) | 4671 шт | 1 неделя | 15.68 руб. | ||
(YJ) | 4581 шт | 1 неделя | 22.54 руб. | ||
(YJ) | 4409 шт | 1 неделя | 77.42 руб. | ||
(YJ) | 9053 шт | 1 неделя | 87.23 руб. | ||
(YJ(Yangjie)) | 4300 шт | 1 неделя | 88.21 руб. | ||
(YJ) | 4318 шт | 1 неделя | 18.62 руб. | ||
(YJ(Yangjie)) | 4400 шт | 1 неделя | 109.77 руб. | ||
(YJ) | 3644 шт | 1 неделя | 61.74 руб. | ||
(YJ) | 6499 шт | 1 неделя | 30.38 руб. | ||
(YJ(Yangjie)) | 9600 шт | 1 неделя | 33.32 руб. | ||
(YJ) | 18996 шт | 1 неделя | 19.60 руб. | ||
(YJ) | 4906 шт | 1 неделя | 13.72 руб. | ||
(YJ) | 5000 шт | 1 неделя | 13.72 руб. | ||
(YJ(Yangjie)) | 4600 шт | 1 неделя | 52.92 руб. | ||
(YJ) | 4901 шт | 1 неделя | 19.60 руб. | ||
(YJ) | 19506 шт | 1 неделя | 12.74 руб. | ||
(YJ) | 4835 шт | 1 неделя | 10.78 руб. | ||
(YJ) | 4343 шт | 1 неделя | 24.50 руб. | ||
(YJ) | 290 шт | 1 неделя | 87.23 руб. | ||
(YJ) | 9299 шт | 1 неделя | 56.84 руб. |
(Yangjie Electronic) | 4800 шт | 1 неделя | 65.21 руб. | ||
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
(Yangjie Electronic)
|
4300 шт | 1 неделя | 84.12 руб. | ||
(Yangjie Electronic) | 4500 шт | 1 неделя | 85.87 руб. | ||
(Yangjie Electronic) | 9600 шт | 1 неделя | 30.32 руб. | ||
YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)
(Yangjie Electronic)
|
4900 шт | 1 неделя | 40.61 руб. |
(CN Bell) | 2500 шт | 3 недели | 128 руб. |
(YJ) | 4900 шт | — | 46.70 руб. | ||
(YJ) | 5000 шт | — | 54.61 руб. | ||
(YJ) | 4400 шт | — | 60.24 руб. | ||
(YJ) | 4700 шт | — | 62.64 руб. | ||
(YJ) | 7346 шт | — | 43.48 руб. | ||
(YJ) | 2475 шт | — | 29.13 руб. | ||
(YJ) | 9900 шт | — | 21.71 руб. | ||
(YJ) | 19996 шт | — | 17.67 руб. | ||
(YJ) | 5000 шт | — | 17.83 руб. | ||
(YJ) | 5000 шт | — | 30.40 руб. | ||
(YJ) | 19970 шт | — | 15.47 руб. | ||
(YJ) | 4925 шт | — | 12.25 руб. | ||
(Yangjie Technology) | — | 6 недель | 52.19 руб. | ||
(YJ) | 4965 шт | — | 28.96 руб. | ||
(YJ) | 30 шт | — | 52.80 руб. |
15 шт | — | 74.48 руб. | |||
50 шт | — | 33.88 руб. | |||
39 шт | — | 33.88 руб. | |||
17 шт | — | 54.32 руб. | |||
39 шт | — | 54.32 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
101- YJG175G06AR
- YJG200G04BR
- YJG40G10B
- YJG95G06A
- YJG60N04A
- YJG100N04A
- YJG40N03A
- YJG25GP10A
- YJG60G06A
- YJG50G10A
- YJG80G06B
- YJG120G10AR
- YJG55P03B
- YJG200G04AR
- YJG175G06AR PDFN-5060-8L 60В 175А 140Вт N-канал YJ транзистор
- YJG110G10B, транзистор 100B 110A 113Вт PDFN5060-8L
- YJG55G10A PDFN-5060-8L 100В 55А 89Вт N-канал YJ транзистор
- YJG110G10B
- YJG105N03A
- YJG18N10A
- YJG90G10B
- YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
- YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)
- YJG55G10A
- YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060] = SFG10S2
- YJG200G04AR PDFN-5060 40В 200А 120Вт N-канал YJ транзистор
- YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
- YJG80GP06B
- YJG40G10A
- YJG40G10A PDFN-5060 100В 40А 60Вт N-канал YJ транзистор
- YJGD20G10A
- YJG60G10A
- YJG175G06AR PDFN-5060-8L
- YJG20N06A
- YJG150N03A
- YJG40G10A PDFN-5060
- YJG60G10B
- YJG200G04AR PDFN-5060
- Транзистор YJG175G06AR PQFN5x6(TDSON-8) Yangzhou Yangjie Electronic Te N-MOSFET;V-MOS;60V,175A,0.00225R,140W
- YJG90G10A
- YJG80G06A-YAN
- Транзистор YJG200G04AR PQFN5x6(TDSON-8) Yangzhou Yangjie Electronic Te N-MOSFET;V-MOS;40V,200A,0.00135R,120W
- YJG55G10A PDFN-5060-8L
- YJG80G06A
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?