| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=600В; Ic=74А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=87А | — | 3 недели | — |
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay Semiconductors) | — | заказ | — | ||
| (Vishay) | — | заказ | — |
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) MODULE IGBT SOT-227 | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 108 Amp 600 Volt Half-Bridge | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT | — | 1 неделя | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?