|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 131072x8 (1Mb)bit; Fтакт.=20 MHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 262144x8 (2Mb)bit; Fтакт.=5 MHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битная высокоскоростная система сбора данных АЦП SAR с однополярным питанием и программируемыми биполярными входными диапазонами; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема памяти Serial EEPROM; 32-Kbit (4,096 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема памяти Serial EEPROM; 64-Kbit (8,192 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 131072x8 (1Mb)bit; Fтакт.=400 kHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема памяти Serial EEPROM; 1-Mbit (131,072 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный аудиоусилитель с низким уровнем искажений; Uпит.=4,5…36 / ±2,25…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель серии Zero-Drift с дрейфом 0,001 мкВ/°C, выходом Rail-to-Rail, 36 В; Uпит.=4,5…36 / ±2,25…±18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный прецизионный операционный КМОП-усилитель с малым входным током смещения, низким напряжением смещения и входом/выходом Rail-to-Rail; Uпит.=4,5…36 / ±2,25…±18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема памяти Serial EEPROM; 64-Kbit (8,192 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 262144 x 8 (2Mb); Fтакт.=100/400 kHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема памяти Serial EEPROM; 512-Kbit (65,536 x 8); Uпит.=1,7...3,6В; -40...85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема полнодуплексный многоточечный LVDS трансивер типа 1 с защитой от электростатического разряда IEC; Uпит.=3,0...3,6В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема полнодуплексный многоточечный LVDS трансивер типа 1 с защитой от электростатического разряда IEC; Uпит.=3,0...3,6В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?