|
|
Микросхема усилитель ВЧ с внешним интерфейсом, 2,4 ГГц; Uпит.=2,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема линейный драйвер DirectPath™ с программируемым фиксированным усилением, среднеквадратичное напряжение 2 В; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный понижающий контроллер с широким диапазоном входных сигналов; Uпит.=3,8…65В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный понижающий DC-DC-контроллер с широким диапазоном рабочих циклов; Uпит.=6,0…75В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный 4-переключаемый понижающе-повышающий контроллер с широким диапазоном входного напряжения; Uпит.=3,5…42В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный 4-переключаемый понижающе-повышающий контроллер с широким диапазоном входного напряжения; Uпит.=4,2…55В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальный программируемый переключатель приема/передачи для ультразвука; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель линии электропередач с аналоговым интерфейсом; Uпит.=7,0…24 / ±3,5…±12В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема встроенный аналоговый интерфейс для мониторов сердечного ритма и бюджетных пульсоксиметров; Uпит.=2,0…3,6 / 3,0…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема встроенный аналоговый интерфейс для пульсоксиметров; Uпит.=2,0…3,6 / 3,0…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однокристальная микросхема управления зарядкой и питанием системы (bqTINY™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однокристальная микросхема управления зарядкой и питанием системы (bqTINY™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однокристальная литий-ионная микросхема управления зарядом и питанием системы; Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однокристальная литий-ионная микросхема управления зарядом и питанием системы; Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное линейное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов с питанием от сети, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное линейное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов с питанием от сети, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное линейное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов с питанием от сети, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное линейное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов с питанием от сети, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема зарядное устройство для литий-ионных аккумуляторов высокого напряжения с управлением питанием, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема зарядное устройство для литий-ионных аккумуляторов высокого напряжения с управлением питанием, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное линейное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов с питанием от сети, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управления зарядом на литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторах с синхронным переключением режимов работы и встроенными полевыми транзисторами питания (bqSWITCHER™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управления зарядом на литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторах с синхронным переключением режимов работы и встроенными полевыми транзисторами питания (bqSWITCHER™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однокристальная микросхема управления зарядкой с переключением режимов литий-ионными и литий-полимерными аккумуляторами и улучшенными характеристиками электромагнитных помех (bqSWITCHER™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однокристальная микросхема управления зарядкой с переключением режимов литий-ионными и литий-полимерными аккумуляторами и улучшенными характеристиками электромагнитных помех (bqSWITCHER™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однокристальная микросхема управления зарядкой с переключением режимов литий-ионными и литий-полимерными аккумуляторами и улучшенными характеристиками электромагнитных помех (bqSWITCHER™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема cинхронное импульсное зарядное устройство для аккумуляторов/суперконденсаторов с интегрированными МОП-транзисторами, управляемое хостом, 600 кГц, 4 А; Uпит.=4,5…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное синхронное понижающее зарядное устройство для аккумуляторов на 1-3 элемента со встроенными полевыми МОП-транзисторами и выбором питания, 2.5 А; Uпит.=4,5…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема полностью интегрированное зарядное устройство с переключением режимов для одноэлементной литий-ионной батареи с полной совместимостью с USB; Uпит.=4,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием и интерфейсом I?C, 2.5 А; Uпит.=4,2…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием и интерфейсом I?C, 2.5 А; Uпит.=4,2…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием и интерфейсом I?C, 2.5 А; Uпит.=4,2…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием, 2.5 А; Uпит.=4,2…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием, 2.5 А; Uпит.=4,2…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием, 2.5 А; Uпит.=4,2…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием и интерфейсом I?C, 2.5 А; Uпит.=4,2…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронное импульсное автономное зарядное устройство для литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторов со встроенными полевыми МОП-транзисторами и выбором питания, 1.6 МГц; Uпит.=4,5…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное импульсное зарядное устройство для литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторов, соответствующее стандарту JEITA, со встроенными полевыми МОП-транзисторами и выбором питания; Uпит.=4,5…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронное импульсное автономное зарядное устройство для литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторов со встроенными полевыми МОП-транзисторами и выбором питания, 1.6 МГц; Uпит.=4,5…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое одноэлементное I?C-зарядное устройство USB/адаптер с узким управлением питанием постоянного тока и USB OTG, 4.5 А; Uпит.=3,9…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое одноэлементное I?C-зарядное устройство USB/адаптер с узким управлением питанием постоянного тока и USB OTG, 4.5 А; Uпит.=3,9…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое одноэлементное I?C-зарядное устройство USB/адаптер с узким управлением питанием постоянного тока и USB OTG, 4.5 А; Uпит.=3,9…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое по I?C одноэлементное зарядное устройство USB/адаптер с синхронным повышением напряжения 5.1 В при 1 А/5.1 В при 2.1 А; 2.5 А/4.5 А; Uпит.=3,9…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое одноэлементное I?C-зарядное устройство USB/адаптер с узким управлением питанием постоянного тока и USB OTG, 2.5 А; Uпит.=3,9…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема литий-ионное зарядное устройство с интерфейсом USB и управлением питанием; Uпит.=4,4…6,4В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управления питанием USB-совместимого зарядного устройства для литий-ионных аккумуляторов
|
—
|
3 недели
|
168 руб.
|
|
|
Микросхема литий-ионное зарядное устройство с интерфейсом USB и управлением питанием; Uпит.=4,4…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одновходовое автономное импульсное I?C-зарядное устройство для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием, 2A; Uпит.=4,4…10В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема литий-ионное зарядное устройство с поддержкой USB и микросхемой управления питанием; Uвх=10,5В (max.); Tраб. -40...+85°C; Uвх абс.=22В (max.)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одновходовое автономное импульсное I?C-зарядное устройство для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием, 2A; Uпит.=4,4…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое I?C одноэлементное USB-зарядное устройство с узким каналом питания постоянного тока и регулируемым напряжением USB OTG, 2A; Uпит.=3,9…6,2В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с одним входом для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием и интерфейсом I?C, 1.5 А; Uпит.=4,2…18В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с одним входом для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием и интерфейсом I?C, 1.5 А; Uпит.=4,2…18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с одним входом для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием, 2.5 А; Uпит.=4,2…18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с одним входом для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием, 2.5 А; Uпит.=4,2…18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое по I2C одноэлементное USB-зарядное устройство на 3 А с регулируемым напряжением 4.5-5.5 В постоянного тока при синхронном наддуве 1.5 А; Uпит.=3,9…6,2В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое по I2C одноэлементное USB-зарядное устройство на 3 A с узким каналом питания постоянного тока и регулируемым напряжением USB OTG; Uпит.=3,9…6,2В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое по I2C одноэлементное USB-зарядное устройство на 3 A с узким каналом питания постоянного тока и регулируемым напряжением USB OTG; Uпит.=3,9…6,2В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное синхронное импульсное зарядное устройство для Li-Ion или Li-Polymer аккумуляторов с низким IQ; Uпит.=5,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономный синхронный контроллер зарядного устройства на 1-6 элементов для понижающих аккумуляторных батарей; Uпит.=5,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема совместимое с JEITA Guideline автономное синхронное импульсное зарядное устройство для Li-Ion или Li-Polymer аккумуляторов с системным переключателем мощности и низким IQ; Uпит.=5,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономный синхронный контроллер зарядного устройства на 1-6 элементов для понижающих аккумуляторных батарей; Uпит.=5,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное синхронное USB-совместимое импульсное зарядное устройство для Li-Ion или Li-Polymer аккумуляторов с системным переключателем мощности и низким IQ; Uпит.=4,7…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное синхронное импульсное зарядное устройство для литий-фосфатных аккумуляторов с низким IQ; Uпит.=5,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное синхронное импульсное зарядное устройство для литий-фосфатных аккумуляторов с системным переключателем мощности и низким IQ; Uпит.=5,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоэффективное синхронное импульсное зарядное устройство для суперконденсаторов; Uпит.=5,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономный синхронный контроллер заряда понижающей аккумуляторной батареи для солнечной энергии с отслеживанием точки максимальной мощности; Uпит.=5,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема бюджетное зарядное устройство для Li-Ion и Li-Polymer аккумуляторов с центральным управлением и низким IQ; Uпит.=8,0…24В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое хостом многоэлементное зарядное устройство для аккумуляторов с защитой от перенапряжения на входе, 600 кГц; Uпит.=5,0…24В; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема контроллер заряда 1-4-элементной Li+ батареи SMBus с независимым компаратором и усовершенствованной защитой цепи; Uпит.=5,0…24В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема контроллер зарядного устройства аккумулятора NVDC-1 на два-три элемента со сверхбыстрым переходным процессом и высокой эффективностью при малой нагрузке; Uпит.=6,0…24В; Tраб. -20...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема контроллер заряда 2-4-элементной Li+ батареи SMBus с селектором N-канальных силовых МОП-транзисторов и усовершенствованной защитой цепи; Uпит.=9,0…24В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема контроллер заряда 1-4 элементного Li+ аккумулятора SMBus с поддержкой режима Turbo Boost и селектором N-канальных силовых МОП-транзисторов; Uпит.=4,5…24В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое хостом многофункциональное зарядное устройство для аккумуляторов со встроенным селектором питания системы и защитой от перегрузки по переменному току; Uпит.=5,0…24В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое хостом мультихимическое зарядное устройство для аккумуляторов с низким IQ и селектором мощности системы; Uпит.=5,0…24В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ультрамаломощный повышающий преобразователь с управлением аккумулятором для приложений по сбору энергии; Uпит.=0,13…3,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сверхмощное зарядное устройство с функцией управления аккумулятором и автономным мультиплексором питания для первичной батареи в системах сбора энергии; Uпит.=0,1…5,1В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема наномощное повышающее зарядное устройство и понижающий преобразователь для приложений с питанием от устройств сбора энергии; Uпит.=0,1…5,1В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов 3.0 А; Uпит.=3,9…14В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема повышающее зарядное устройство для двухэлементных аккумуляторов на 2 А с трактом питания и USB OTG Boost для входа USB; Uпит.=3,9…6,2В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное повышающее зарядное устройство для двухэлементных аккумуляторов на 2 А с трактом питания, обнаружением USB BC1.2 и USB OTG Boost; Uпит.=4,3…6,2В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое I2C повышающее зарядное устройство для двухэлементных аккумуляторов на 2 А с балансировкой элементов для входа USB; Uпит.=3,9…6,2В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный синтезатор тактовых импульсов и устройство для устранения дрожания; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема тактовый драйвер с ФАПЧ; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный ЦАП с выходом по току и напряжению с адаптивным управлением питанием; Uпит.=12…36 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 20-битный АЦП с выходом по току; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальный 20-битный АЦП с выходом по току; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный стабилизатор понижающего давления с 4 переключателями; Uпит.=4,2…30В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий ВЧ JESD-буфер/умножитель/делитель; Uпит.=2,4…2,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный широкополосный радиочастотный синтезатор сфазовой синхронизацией и поддержкой JESD204B, 6.4 ГГц; Uпит.=3,0…3,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный широкополосный радиочастотный синтезатор PLLatinum™ со встроенным ГУН; Uпит.=3,15…3,45В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный широкополосный радиочастотный синтезатор PLLatinum™ со встроенным ГУН; Uпит.=3,15…3,45В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный радиочастотный синтезатор PLLATINUM™ с фазовой синхронизацией и поддержкой JESD204B, 15 ГГц; Uпит.=3,15…3,45В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный радиочастотный синтезатор PLLATINUM™ с фазовой синхронизацией и поддержкой JESD204B, 15 ГГц; Uпит.=3,15…3,45В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный радиочастотный синтезатор PLLatinum™ с фазовой синхронизацией и поддержкой JESD204B, 22.6 ГГц; Uпит.=3,15…3,45В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема узкополосный линейный драйвер, 2.5 A; Uпит.=7,0…24В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ультрамалошумящий широкополосный трансимпедансный усилитель с регулируемой обратной связью; Uпит.=2,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный стереозвуковой АЦП с микрофонным смещением и микрофонным усилителем, 16 бит; Uпит.=2,4…3,6 / 1,71…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ЦАП DirectPath™ с дифференциальным аудиовыходом и стереофоническим выходом, интерфейсом PCM, 114 дБ, 32 бита, 384 кГц, 4.2 VRMS; Uпит.=3,0…3,46 / 1,65…1,95В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной полностью дифференциальный усилитель с программируемым коэффициентом усиления; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема цифровой входной аудиоусилитель класса D 6.1 Вт со встроенным усилителем класса H 11 В; Uпит.=2,7…5,5 / 1,65…1,95В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель звука класса D со встроенным DSP и IV Sense, 6.1 Вт; Uпит.=2,5…5,5 / 1,62…1,95В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема монозвуковой усилитель класса D с цифровым входом и динамиком I/V Sense, 20 Вт; Uпит.=1,65…1,95 / 4,5…18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема хаб двух десериализаторов V3Link 4.16 Гбит/с и интерфейсом MIPI CSI-2 для высокоскоростных камер высокого разрешения, радаров и других датчиков; Uпит.=1,045...1,89В; Tраб. -20...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема хаб 4-х десериализаторов V3Link 4.16 Гбит/с и интерфейсом MIPI CSI-2 для высокоскоростных камер высокого разрешения, радаров и других датчиков; Uпит.=1,045...1,89В; Tраб. -20...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный усилитель с фиксированным коэффициентом усиления; Uпит.=3…5 / ±1,5…±2,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный усилитель с фиксированным коэффициентом усиления; Uпит.=3…5 / ±1,5…±2,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный малошумящий полностью дифференциальный усилитель с малыми искажениями; Uпит.=3,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный малошумящий полностью дифференциальный усилитель с малыми искажениями; Uпит.=3…5 / ±1,5…±2,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный малошумящий полностью дифференциальный усилитель с малыми искажениями; Uпит.=3,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный малошумящий полностью дифференциальный усилитель с выходом Rail-to-Rail и малыми искажениями; Uпит.=3,3…5 / ±1,65…±2,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный рассеивающий линейный драйвер ADSL; Uпит.=10…30 / ±5…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухпортовый маломощный дифференциальный усилитель-драйвер линии xDSL; Uпит.=8,0…32 / ±4,0…±16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема трансивер Ethernet; Uпит.=2,3...2,7В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ретаймер TMDS, 3.4 Гбит/с; Uпит.=3,135...3,465В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ретаймер TMDS, 6 Гбит/с; Uпит.=3,135...3,465В; Tраб. 0...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сериализатор V3Link с интерфейсом MIPI CSI-2 для высокоскоростных камер высокого разрешения, радаров и других датчиков, 4.16 Гбит/с; Uпит.=1,71...1,89В; Tраб. -20...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной формирователь сигнала USB 2.0; Uпит.=4,4…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной формирователь сигнала USB 2.0 с контроллером USB BC 1.2 CDP; Uпит.=4,4…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два усилителя с малошумящим предусилителем и переменным коэффициентом усиления; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два усилителя с переменным коэффициентом усиления; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема промышленный аналоговый выходной драйвер тока/напряжения; Uпит.=до ±20В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП, 25-125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП, 25-125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП, 25-125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП, 25-125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП, 25-125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП, 25-125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП, 25-125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП, 25-125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 маломощных дельта-сигма АЦП со встроенными программируемым коэффициентом усиления и ИОН, 16 бит, 2 кбит/с; Uпит.=2,3…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный АЦП с программируемым коэффициентом усиления для измерений с помощью датчиков, 2 кбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16 АЦП, 16 бит; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
1 шт: 1 380 руб. 1 шт: 1 295.46 руб. 2+ шт: 1 236.66 руб.
|
|
|
Микросхема два маломощных 16-битных аналоговых интерфейса для биопотенциальных измерений; Uпит.=2,7…5,25 / 1,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два маломощных 16-битных аналоговых интерфейса для биопотенциальных измерений; Uпит.=2,7…5,25 / 1,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дельта-сигма модулятор 2-го порядка с управлением двигателем и измерением тока, 1 бит, 10 МГц; Uпит.=4,5…5,5 / 2,7…3,6В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дельта-сигма модулятора 2-го порядка, 1 бит, 10 МГц; Uпит.=4,75…5,25 / 2,7…3,6В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 маломощных дельта-сигма АЦП со встроенными программируемым коэффициентом усиления и ИОН, 24 бита, 2 кбит/с; Uпит.=2,3…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3 прецизионных дельта-сигма АЦП для мостовых датчиков с дифференциальными входами, 24 бита, 7200 бит/с; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
1 шт: 5 640 руб. 12 шт: 5 339.21 руб. 24+ шт: 5 096.58 руб.
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с программируемым коэффициентом усиления, 24 бита, 30 кбит/с; Uпит.=1,8…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16 АЦП, 24 бита; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10 прецизионных дельта-сигма АЦП с программируемым коэффициентом усиления и мониторами, 24-бит, 40 кбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема АЦП высокого разрешения; Uпит.=2,6…0 / 1,65…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема АЦП высокого разрешения; Uпит.=2,6…0 / 1,65…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 32-битный дельта-сигма АЦП для сейсмических приложений; Uпит.=3,0…5,25 / 2,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный широкополосный АЦП с программируемым коэффициеннтом усиления, 1000 бит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 2,25…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 маломощных 24-битных аналоговых интерфейса для биопотенциальных измерений; Uпит.=2,7…5,25 / 1,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 маломощных 24-битных аналоговых интерфейса для биопотенциальных измерений; Uпит.=2,7…5,25 / 1,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный ультрамаломощный АЦП, 65 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный ультрамаломощный АЦП, 125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный ультрамаломощный АЦП, 160 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный ультрамаломощный АЦП, 200 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный ультрамаломощный АЦП, 250 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный ультрамаломощный АЦП, 65 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный ультрамаломощный АЦП, 125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный ультрамаломощный АЦП, 160 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный ультрамаломощный АЦП, 250 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных ультрамаломощных АЦП, 65 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных ультрамаломощных АЦП, 125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных ультрамаломощных АЦП, 160 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных ультрамаломощных АЦП, 250 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных ультрамаломощных АЦП, 65 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных ультрамаломощных АЦП, 125 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных ультрамаломощных АЦП, 160 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных ультрамаломощных АЦП, 250 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с высоким уровнем сигнал/шум, 16 бит, 100 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП, 12 бит, до 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП, 12 бит, до 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП, 10 бит, до 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП 10 бит 200 Мбит/с или 8 АЦП 12 бит 80 Мбит/с; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный АЦП, частота выборки 80 Мбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный АЦП, частота выборки 105 Мбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный АЦП, частота выборки 135 Мбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный АЦП, частота выборки 170 Мбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный АЦП, частота выборки 200 Мбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 11-битный АЦП, частота выборки 200 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 170 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 210 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 170 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 190 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 210 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 40 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 80 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 80 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 105 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 125 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с выходами DDR LVDS и параллельными КМОП, 210 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с выходами DDR LVDS и параллельными КМОП, 250 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 80 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 105 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и КМОП, 125 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и параллельными КМОП, 210 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП с выходами DDR LVDS и параллельными КМОП, 250 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП с последовательными выходами LVDS, 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП с последовательными выходами LVDS, 105 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП с последовательными выходами LVDS, 125 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП с последовательными выходами LVDS, 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП с последовательными выходами LVDS, 80 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП с последовательными выходами LVDS, 105 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП с последовательными выходами LVDS, 125 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с последовательными выходами LVDS, 12 бит, 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с последовательными выходами LVDS, 12 бит, 80 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с последовательными выходами LVDS, 12 бит, 105 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с последовательными выходами LVDS, 12 бит, 125 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с последовательными выходами LVDS, 14 бит, 65 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с последовательными выходами LVDS, 14 бит, 80 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с последовательными выходами LVDS, 14 бит, 105 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 АЦП с последовательными выходами LVDS, 14 бит, 125 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,45…1,55В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП с одновременной дискретизацией, 1 Мбит/с, 4 ? 2 или 2 ? 2 канала; Uпит.=5,0 / 3,3В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 14-битных АЦП с одновременной дискретизацией, 1 Мбит/с, 4 ? 2 или 2 ? 2 канала; Uпит.=5,0 / 3,3В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 12-битных АЦП с одновременной выборкой, 2 + 2 или 3 + 3 канала, 2 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 12 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 12 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 12 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 10 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 10 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 10 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 10 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 8 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 8 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 8 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16 несимметричных АЦП с последовательным интерфейсом, совместимых по выводам, 8 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП SAR с прямым интерфейсом датчика, 16 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=4,5…5,5 / 1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП SAR с прямым интерфейсом датчика, 16 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=4,5…5,5 / 1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП SAR с прямым интерфейсом датчика, 16 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=4,5…5,5 / 1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальная маломощная система сбора данных с интерфейсами PGA и SPI, 12 бит, 100 кбит/с; Uпит.=2,2…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 маломощных АЦП с последовательным интерфейсом и униполярным входом, 16 бит, 500 кбит/с; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 маломощных АЦП с последовательным интерфейсом и униполярным входом, 16 бит, 500 кбит/с; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 16-битных АЦП с одновременной выборкой, 2 + 2 канала, 500 кбит/с; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 16-битных АЦП с одновременной дискретизацией, 1 Мбит/с, 4 ? 2 или 2 ? 2 канала; Uпит.=5,0 / 3,3В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный 16-битный АЦП с псевдо-дифференциальным входом, последовательным интерфейсом и ИОН, 600 кГц; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный 16-битный псевдо-биполярный АЦП с униполярным входом, параллельным интерфейсом и ИОН, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП с одновременной выборкой, 12 бит; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП с одновременной выборкой, 14 бит; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 АЦП с одновременной выборкой, 16 бит; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный АЦП SAR с биполярным входом и программно выбираемыми диапазонами, 12 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный АЦП SAR с биполярным входом и программно выбираемыми диапазонами, 12 бит, 1 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 20-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 20-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 20-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 18-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 18-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 18-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный высокоскоростной АЦП SAR со встроенным опорным буфером и улучшенными характеристиками производительности; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 18-битный высокоскоростной АЦП SAR с улучшенными характеристиками производительности, 2 Мбит/с, 15 мВт; Uпит.=1,8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный высокоскоростной АЦП SAR с улучшенными характеристиками производительности, 2.5 Мбит/с, 15.5 мВт; Uпит.=1,8В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два 16-битных АЦП SAR с малой задержкой и одновременной выборкой; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель линии электропередач с аналоговым интерфейсом; Uпит.=7,0…26 / ±3,5…±13В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель линии электропередач с аналоговым интерфейсом; Uпит.=7,0…24 / ±3,5…±12В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема бюджетный интегрированный аналоговый интерфейс для измерения веса и состава тела; Uпит.=2,0…3,6В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальный усилитель с переменным коэффициентом усиления с 8 высокоскоростными АЦП; Uпит.=1,7…1,9 / 3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый входной широкополосный трансивер смешанных сигналов; Uпит.=1,7…1,9 / 2,85…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый входной широкополосный трансивер смешанных сигналов; Uпит.=1,7…1,9 / 2,85…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 цифровых фильтра для дельта-сигма модулятора 2-го порядка; Uпит.=2,4…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный аналоговый мониторинг и управление с многоканальными АЦП, ЦАП и датчиками температуры; Uпит.=4,5…18 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговая схема мониторинга и управления с 10-битным многоканальным АЦП, 4-мя ЦАП, датчиком температуры и 12 портами GPIO; Uпит.=1,8…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однокристальная микросхема управления зарядкой и питанием системы (bqTINY™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное линейное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов с питанием от сети и TS на основе напряжения, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное линейное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов с питанием от сети и TS на основе напряжения, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономное линейное зарядное устройство для одноэлементных аккумуляторов с питанием от сети и TS на основе напряжения, 1.5 А; Uпит.=4,4…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управления зарядом на литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторах с синхронным переключением режимов работы и встроенными полевыми транзисторами питания (bqSWITCHER™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управления зарядом на литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторах с синхронным переключением режимов работы и встроенными полевыми транзисторами питания (bqSWITCHER™); Uпит.=4,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием и интерфейсом I?C, 2.5 А; Uпит.=4,2…10В; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноэлементное импульсное зарядное устройство с двумя входами для литий-ионных аккумуляторов с управлением питанием и интерфейсом I?C, 2.5 А; Uпит.=4,2…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое одноэлементное I?C-зарядное устройство USB/адаптер с узким управлением питанием постоянного тока и USB OTG, 4.5 А; Uпит.=3,9…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое по I?C одноэлементное зарядное устройство USB/адаптер с синхронным повышением напряжения 5.1 В при 1 А/5.1 В при 2.1 А; 2.5 А/4.5 А; Uпит.=3,9…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема литий-ионное зарядное устройство с интерфейсом USB и управлением питанием; Uпит.=4,4…10В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое по I2C одноэлементное зарядное устройство USB/адаптер на 4.5 А с управлением узким каналом питания постоянного тока и USB OTG; Uпит.=3,9…17В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое по I2C одноэлементное USB-зарядное устройство на 3 A с узким каналом питания постоянного тока и регулируемым напряжением USB OTG; Uпит.=3,9…6,2В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема контроллер заряда 1-4-элементной Li+ батареи SMBus с независимым компаратором и усовершенствованной защитой цепи; Uпит.=5,0…24В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованное многоэлементное синхронное импульсное зарядное устройство и селектор питания системы; Uпит.=8,0…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема контроллер заряда 1-4 элементного понижающего Li+ аккумулятора SMBus с селектором N-канальных силовых МОП-транзисторов; Uпит.=4,5…24В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое хостом многофункциональное зарядное устройство для аккумуляторов с низким IQ и встроенным селектором мощности системы; Uпит.=5,0…24В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое хостом многофункциональное зарядное устройство для аккумуляторов с селектором мощности системы, защитой от перегрузки по переменному току, программируемым OVP и низким IQ; Uпит.=5,0…24В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое хостом многофункциональное зарядное устройство для аккумуляторов с низким IQ и селектором мощности системы; Uпит.=5,0…24В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управляемое хостом зарядное устройство для Li-Ion и Li-Polymer аккумуляторов, низким IQ и селектором мощности системы; Uпит.=8,0…24В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоинтегрированный беспроводной приёмник, совместимый с Qi v1.2 источником питания; Uпит.=4,0…10В; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоэффективный беспроводной приёмник питания, совместимый с Qi v1.2, и зарядное устройство; Uпит.=4,0…10В; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоэффективный беспроводной приёмник питания, совместимый с Qi v1.2, и зарядное устройство; Uпит.=4,0…10В; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема совместимый с DB800ZL 4-выходной тактовый буфер для PCIe Gen 1 - Gen 6; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема совместимый с DB800ZL 8-выходной тактовый буфер для PCIe Gen 1 - Gen 6; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема совместимый с DB800ZL 8-выходной тактовый буфер для PCIe Gen 1 - Gen 6; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема полностью интегрированный кварцевый генератор тактовых импульсов широкого диапазона с низким уровнем дрожания; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема тактовый генератор сверхмалого энергопотребленияс одним контуром ФАПЧ, 4-мя дифференциальными выходами, двумя входами и внутренней EEPROM; Uпит.=1,71…3,465В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ультрамаломощный тактовый генератор с поддержкой PCIe, 4-мя программируемыми выходами и EEPROM; Uпит.=1,71…3,465В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный распределитель тактовых импульсов, 10 выходов; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема умножитель тактовых импульсов, распределитель, устройство для устранения дрожания и буфер, 11 выходов; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема тактовый буфер с программируемым делителем, вводом/выводом LVPECL и дополнительным выходом LVCMOS; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема буфер синхронизации 1:3 LVPECL с дополнительным выходом LVCMOS и программируемым делителем; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный синхронизатор тактовых импульсов и устройство для устранения дрожания; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий двухканальный тактовый генератор с частотой 100 МГц; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема тактовый буфер LVPECL 1:3 с программируемым делителем; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема тактовый драйвер с ФАПЧ; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема тактовый драйвер с ФАПЧ; Uпит.=2,3…2,7В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальный 12-битный ЦАП со сверхнизким уровнем помех, выходом по напряжению, двухпроводным интерфейсом и внутренним ИОН 2.5 В; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 12-битный высокоточный ЦАП с последовательным входом и выходом ±16 В; Uпит.=±4,75…±18 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальный 12-битный маломощный ЦАП с последовательным входом и высоковольтным выходом; Uпит.=±4,5…±18 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный программируемый ЦАП с выходом по току для применения в контурах тока от 4 до 20 мА; Uпит.=10…36 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный программируемый ЦАП с выходом по току и напряжению для применения в контурах тока от 4 до 20 мА; Uпит.=10…36 /±5…±18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальный 14-битный маломощный ЦАП с последовательным входом и высоковольтным выходом; Uпит.=±4,5…±18 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 14-битный высокоточный ЦАП с последовательным входом и выходом ±16 В; Uпит.=±4,75…±18 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальный 16-битный маломощный ЦАП с последовательным входом и высоковольтным выходом; Uпит.=9,0…36 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 16-битный высокоточный ЦАП с последовательным входом и выходом ±16 В; Uпит.=±4,75…±18 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема модем HART, FOUNDATION Fieldbus™ и PROFIBUS PA; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема модем HART, FOUNDATION Fieldbus™ и PROFIBUS PA; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный программируемый ЦАП с выходом по току для применения в контурах тока от 4 до 20 мА; Uпит.=10…36 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный программируемый ЦАП с выходом по току и напряжению для применения в контурах тока от 4 до 20 мА; Uпит.=10…36 /±5…±18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 16-битный программируемый ЦАП с выходом по току и напряжению с адаптивным управлением питанием; Uпит.=12…36 / 2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный ультрамаломощный ЦАП с выходом по напряжению; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный малошумящий ЦАП с выходом по напряжению; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 18-битный малошумящий ЦАП с выходом по напряжению; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема надежный маломощный трансивер физического уровня Ethernet, 10/100 Мбит/с; Uпит.=1,71…1,89 / 3,15…3,45В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема надежный маломощный трансивер физического уровня Ethernet, 10/100 Мбит/с; Uпит.=1,71…1,89 / 3,15…3,45В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
6 300 руб.
|
|
|
Микросхема маломощный детерминированный промышленный Ethernet PHY с низкой задержкой, 10/100 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,62…1,98В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный детерминированный промышленный Ethernet PHY с низкой задержкой, 10/100 Мбит/с; Uпит.=3,0…3,6 / 1,62…1,98В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема надежный трансивер физического уровня Ethernet с высокой помехоустойчивостью, 10/100/1000 Мбит/с; Uпит.=1,71…1,89 / 2,38…2,63В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель 16-разрядный монитор выходного тока, напряжения и мощности с интерфейсом I?C и функцией предупреждения, 36 В; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два полностью дифференциальных усилителя с цифровым регулируемым коэффициентом усиления, до 1.1 ГГц; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный сетевой синхронизатор с низким уровнем дрожания и EEPROM; Uпит.=3,135…3,465В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема cетевой синхронизатор с ультрахнизким уровнем дрожания и двумя частотными областями; Uпит.=3,135…3,465В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной прецизионный логарифмический усилитель с одним источником питания; Uпит.=±5,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с высоким выходным током и активным автономным управлением; Uпит.=5,75…13 / ±3,5…±6,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два широкополосных операционных усилителя с высоким выходным током; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два сверхширокополосных операционных усилителя с обратной связью по току и отключением; Uпит.=до ±6,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных малошумящих операционных КМОП-усилителя с малым входным током смещения и встроенными переключателями, 40 МГц; Uпит.=2,2…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема мощный усилитель с входом и выходом Rail-to-Rail, 2 А; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема стерео аудиокодек со встроенным miniDSP; Uпит.=1,9…3,6 / 1,5…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-канальный широкополосный аналоговый интерфейс; Uпит.=3,15…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель громкоговорителей класса D с обработкой звука с цифровым/аналоговым входом, 2.6 Вт; Uпит.=2,7…5,5 / 1,5…1,95В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель динамиков класса D с цифровым входом со встроенным miniDSP и монофоническим усилителем для наушников; Uпит.=2,7…5,5 / 1,5…1,95В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моно-аудиоусилитель класса D с цифровым входом и поддержкой TDM, до 8 каналов; Uпит.=3,0…3,6 / 4,5…16,5В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моно-аудиоусилитель класса D с цифровым входом и поддержкой TDM, до 8 каналов; Uпит.=3,0…3,6 / 4,5…26,4В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моно-аудиоусилитель класса D с цифровым входом, 15 Вт; Uпит.=1,65…2,0 / 4,5…17В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема интеллектуальный усилитель PurePath™, 2x50 Вт/4 Ом; Uпит.=3,0…3,6 / 4,5…26,4В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема интеллектуальный усилитель PurePath™, 2x50 Вт/4 Ом; Uпит.=3,0…3,6 / 4,5…26,4В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема стереоусилитель звука класса D без индуктора, с цифровым входом, обратной связью и расширенной обработкой звука, 38 Вт, 192 кГц; Uпит.=1,62…3,63 / 4,5…26,4В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциально-несимметричный выходной усилитель ЦАП, 650 МГц; Uпит.=8,0…15,8 / ±4,0…±7,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциально-несимметричный выходной усилитель ЦАП, от постоянного тока до 800 МГц; Uпит.=8,0…15,8 / ±4,0…±7,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокомощный усилитель с обратной связью по выходному току, 900 МГц, 500 мА; Uпит.=14…32 / ±7…±16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный полностью дифференциальный усилитель с входом Negative Rail и выходом Rail-to-Rail, 850 МГц; Uпит.=2,7…5,4 / ±1,35…±2,7В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный малошумящий полностью дифференциальный усилитель, 150 МГц; Uпит.=2,7…5,4В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухпортовый дифференциальный усилитель-драйвер линии VDSL2; Uпит.=10…28 / ±5…±14В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциальный широкополосный линейный усилитель-формирователь PLC; Uпит.=10…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухпортовый дифференциальный усилитель-драйвер линии VDSL2; Uпит.=10…28В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциальный драйвер линии HPLC с синфазным буфером; Uпит.=8,0…32В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухпортовый драйвер линии VDSL2 закрытого класса H; Uпит.=12,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два трансивер с формированием сигнала; Uпит.=1,7...1,9В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный кабель и эквалайзер на плате ПК, 11.3 Гбит/с; Uпит.=2,95...3,6В; Tраб. -40...+100°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ретаймер TMDS, 3.4 Гбит/с; Uпит.=3,135...3,465В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ретаймер TMDS, 6 Гбит/с; Uпит.=3,135...3,465В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3,3...5В; Uвых=0,6...2В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3...22В; Uвых=0,6...2В; Iвых=10А; Tраб. -10 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3...22В; Uвых=0,6...2В; Iвых=10А; Tраб. -10 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3...22В; Uвых=0,6...2В; Iвых=12А; Tраб. -10 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3,3...5В; Uвых=0,675...0,9В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3,3...5В; Uвых=0,675...0,9В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3,3...5В; Uвых=0,75...0,9В; Iвых=4А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=2,9...6В; Uвых=0,6...4,2В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=2,9...6В; Uвых=0,6...4,2В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3...15В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3...15В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=12А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=2,9...6В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=5А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=2,9...6В; Uвых=0,6...4,2В; Iвых=5А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,75...5В; Iвых=1,5А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=1,5...18В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=8А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=1,5...18В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=12А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,6...5В; Iвых=10А; Tраб. -40 to 150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,8...6В; Iвых=1А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,76...5,5В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,8...15В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,76...5,5В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,6...12В; Iвых=4А; Tраб. -40 to 150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,8...15В; Iвых=5А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3...6В; Uвых=0,9...3,3В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,8...15В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,8...15В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,6...15В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,6...15В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,6...15В; Iвых=8А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...4В; Uвых=0,9...2,5В; Iвых=9А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=8...14В; Uвых=0,5...2В; Iвых=10А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=4А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,5...6В; Uвых=0,8...UвхВ; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,5...6В; Uвых=3,3В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,5...6В; Uвых=2,5В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,5...6В; Uвых=1,8В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,5...5,5В; Uвых=0,8...UвхВ; Iвых=4А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,5...6В; Uвых=0,8...UвхВ; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,9...6В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=1,8В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=3,3В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=5,0В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,8...12В; Iвых=4А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,8...12В; Iвых=4А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,9...6,3В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=1,8В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=3,3В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=5,0В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,8...12В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,8...12В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,9...6,3В; Iвых=1А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=1,8В; Iвых=1А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=3,3В; Iвых=1А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=5,0В; Iвых=1А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,4...5,5В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2...5,5В; Uвых=1,3...5,3В; Iвых=0,05А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2...5,5В; Uвых=1,3...5,3В; Iвых=0,200А; Tраб. -40 to 105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,8...17В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...16В; Uвых=0,8...15В; Iвых=3,5А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...17В; Iвых=3А
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,6...15В; Iвых=5А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...16В; Uвых=0,8...15В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...15В; Iвых=5А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,8...16В; Iвых=4А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ФАПЧ с целочисленным/дробным числом и встроенным ГУН; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два маломощных трансивера RS-232; Uпит.=1,65…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема низковольтный контроллер сенсорного экрана ввода-вывода; Uпит.=2,2…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный линейный редрайвер USB 3.1, 10 Гбит/с; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной формирователь сигнала USB 2.0; Uпит.=4,4…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной формирователь сигнала USB 2.0 с контроллером USB BC 1.2 CDP; Uпит.=4,4…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два ретранслятора eUSB2-USB 2.0; Uпит.=1,62…3,6В; Tраб. -20...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный преобразователь USB 3.1 GEN 1 с эквалайзером; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-портовый хаб USB 3.0; Uпит.=0,99…1,26 / 3,0…3,6В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-портовый хаб USB 3.1 Gen1; Uпит.=0,99…1,26 / 3,0…3,6В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-портовый хаб USB 3.1 Gen1; Uпит.=0,99…1,26 / 3,0…3,6В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ультрамаломощный 8-канальный усилитель с регулируемым коэффициентом усиления и малошумящим предусилителем; Uпит.=3,15…3,6 / 4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема промышленный аналоговый выходной драйвер тока/напряжения; Uпит.=±5,0… ±22В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема трехканальный измеритель высокого напряжения, монитор напряжения шунта и шины с интерфейсом, совместимым с I?C и SMBUS; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема трансимпедансный усилитель с дифференциальным выходом и программируемым усилением, 450 МГц; Uпит.=3,0…3,45В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный понижающий преобразователь напряжения; Uвх=3,8...36В; Uвых=1...24В; Tраб. -40…+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный понижающий преобразователь напряжения; Uвх=3,8...36В; Uвых=1...24В; Tраб. -40…+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный понижающий преобразователь напряжения; Uвх=3,8...36В; Uвых=1...24В; Tраб. -40…+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный КМОП-усилитель серии Zero-Drift, 50 мкВ, VOS, 0.25 мкВ/°C, 35 мкА; Uпит.=1,8…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухпортовый драйвер линии VDSL2 закрытого класса H; Uпит.=10…12,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема стереоусилитель мощности звука класса D, 20 Вт; Uпит.=10…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема стереоусилитель мощности класса D без фильтров с технологией SpeakerGuard™, 15 Вт; Uпит.=8,0…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема стереоусилитель класса D без фильтров и функцией предотвращения AM, 4 Вт; Uпит.=4,5…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема стереоусилитель класса D без фильтров и функцией предотвращения AM, 25 Вт; Uпит.=4,5…26В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=4,5...24В; Uвых=0,6...7В; Iвых=8А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...20В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=15А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...20В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=15А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...7В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=8А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...7В; Iвых=8А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3,8...17В; Uвых=0,6...5,5В; Iвых=12А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,9...6В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,85...0,975В; Iвых=3,2А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,85...0,975В; Iвых=3,2А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,85...0,975В; Iвых=3,2А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,85...0,975В; Iвых=3,2А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,8...12В; Iвых=4А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,8...12В; Iвых=4А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,9...6,3В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...17В; Uвых=0,9...6,3В; Iвых=1А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,8...17В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,8...17В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...17В; Uвых=0,8...17В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...15В; Iвых=3,5А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...15В; Iвых=6А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=4,5...18В; Uвых=0,6...15В; Iвых=5А
|
—
|
3 недели
|
—
|
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?