| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (Bourns) HCTSM80910BAL-E | — | 1 неделя | 149.04 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(TAIWAN SEMICONDUCTORS) Транзистор N-МОП, полевой, 800В 5,5A 110Вт 1,2Ом TO251 | — | — |
1 шт: 342.93 руб. 5 шт: 306.15 руб. 25 шт: 263.23 руб. 75+ шт: 217.87 руб.
|
|
| (TAIWAN SEMICONDUCTORS) Транзистор N-МОП, полевой, 800В 5,5A 25Вт 1,2Ом ITO220 | — | — |
1 шт: 401.70 руб. 5 шт: 362.80 руб. 25 шт: 313.83 руб. 100+ шт: 259.76 руб.
|
||
| (TAIWAN SEMICONDUCTORS) Транзистор N-МОП, полевой, 800В 5,5A 110Вт 1,2Ом TO252 | — | — |
1 шт: 540.92 руб. 5 шт: 487.13 руб. 25 шт: 430.29 руб. 100 шт: 382.93 руб. 1000+ шт: 333.82 руб.
|
||
| (TAIWAN SEMICONDUCTORS) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 7,5А, 69Вт, TO220FP | — | — |
1 шт: 723.12 руб. 5 шт: 648 руб. 25 шт: 560.86 руб. 100+ шт: 462.66 руб.
|
||
| (TAIWAN SEMICONDUCTORS) Транзистор N-МОП, полевой, 800В 6A 110Вт 0,95Ом TO251 | — | — |
1 шт: 361.57 руб. 5 шт: 324.66 руб. 25 шт: 278.94 руб. 75+ шт: 232.37 руб.
|
||
| (TAIWAN SEMICONDUCTORS) Транзистор N-МОП, полевой, 800В 6A 25Вт 0,95Ом ITO220 | — | 1000 шт, 6 недель |
10 шт: 374.20 руб. 100 шт: 294.53 руб. 500 шт: 244.01 руб. 1000+ шт: 218.43 руб.
|
||
| (TAIWAN SEMICONDUCTORS) Транзистор N-МОП, полевой, 800В 6A 110Вт 0,95Ом TO252 | — | — |
1 шт: 482.69 руб. 5 шт: 433.57 руб. 25 шт: 383.83 руб. 100 шт: 343.77 руб. 1000+ шт: 298.62 руб.
|
| (TAIWAN SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 1937 шт | заказ | 1 479.67 руб. | ||
| (TAIWAN SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 5 шт | заказ | 877.40 руб. | ||
| (BOURNS) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 565 шт | заказ | 836.22 руб. | ||
| (BOURNS) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 4180 шт | заказ | 836.22 руб. | ||
| (Bourns Inc.) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | — | 3 недели | 885.39 руб. | ||
| (BOURNS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 723 шт | заказ | 795.33 руб. | ||
| (BOURNS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 1642 шт | заказ | 865.95 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Taiwan Semiconductor) MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S | 1933 шт | 1 неделя | 582 руб. | |
| (Taiwan Semiconductor) MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 | 5 шт | 1 неделя | 657 руб. | ||
| (Bourns Inc.) XFMR 3.3-5V/3.3-15V,350MA PK TR | 1733 шт | 1 неделя | 1 258 руб. | ||
| (BOURNS) XFRMR POWER 1:2 250UH SMD | 100 шт | 1 неделя | 986 руб. | ||
| (Bourns Inc.) XFRMR POWER 3:4 300UH SMD | 44 шт | 1 неделя | 1 246 руб. | ||
| (Bourns) XFRMR POWER 9:10 300UH SMD | 704 шт | 1 неделя | 1 174 руб. |
| 2495 шт | — | 161.46 руб. |
| 119 шт | — | 43.50 руб. |
| (Bourns) | 2495 шт | 1 неделя | 134.98 руб. |
| (TSC) | — | 1 неделя | — |
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 236.70 руб. | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 202.47 руб. | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 281.69 руб. | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 309.08 руб. | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 238.66 руб. | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 507.64 руб. | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 212.25 руб. | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 281.69 руб. | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | 219.10 руб. |
| (TWS) | — | 104 недели | 594.55 руб. | ||
| (TWS) | — | 104 недели | 623.71 руб. | ||
| (TSC) | — | 6 недель | 229.96 руб. | ||
| (TWS) | — | 104 недели | 623.71 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 7 недель | 614.86 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. | ||
| (Bourns) | — | 18 недель | 584.75 руб. |
| (Bourns) | 2495 шт | — | 174.72 руб. |
| (Taiwan Semiconductor) МОП-транзистор 75V, 80A N-Channel Power МОП-транзистор | — | 1 неделя | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) МОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm | — | 1 неделя | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) МОП-транзистор 800V, 5.5A, Single N Channel Power МОП-транзистор | — | 1 неделя | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) МОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm | — | 1 неделя | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) МОП-транзистор 800V Power МОП-транзистор Superjunction N-chan | — | 1 неделя | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) МОП-транзистор 800V, 6A, Single N- Channel Power МОП-транзистор | — | 1 неделя | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) МОП-транзистор 800V Power МОП-транзистор Superjunction N-chan | — | 1 неделя | — |
| (VBsemi) | 1078 шт | 2 недели | — | ||
| (VBsemi) | 2066 шт | 2 недели | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
60- TSM80N950CP ROG
- TSM80N400CF C0G
- HCTSM80304BAL-E1
- TSM80N1R2CP ROG
- TSM80N950CH C5G
- Трансформатор HCTSM80910BAL-E BOU
- TSM80N1R2CI C0G
- TSM80N950CI C0G
- HCTSM80101AAL-E
- HCTSM80910BAL-E
- TSM80N08CZ C0G
- TSM80N1R2CH C5G
- HCTSM80102AAL-E1
- HCTSM80910BAL-E1
- HCTSM80308BAL-E
- TSM80N08CZ
- TSM80N950CI
- TSM80N1R2CP
- HCTSM80101AAL-E1
- HCTSM80102AAL-E
- HCTSM80809AAL-E1
- HCTSM80305BAL-E
- HCTSM80308BAL-E1
- HCTSM80403AAL-E1
- TSM80N950CH
- TSM802CQ RVG
- HCTSM80305BAL-E1
- DTSM80-3,8N
- TSM80N1R2CL C0G
- TSM80N950CP
- TSM80N1R2CH
- TSM80N08CZ C0
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?