Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
IGBT 1200V,30A, 175W, 10uS_с диодом_with diode | — | — | 363 руб. |
(ST) Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 260 Вт | — | 1 неделя | 425.20 руб. | ||
(ST) Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт | — | 1 неделя | 391.68 руб. | ||
(ST) Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт | — | 1 неделя | 345.74 руб. |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 19 шт | — | 600 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 34 шт | — | 510 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 60 шт | — | 495 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 30 шт | — | 918 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 20 шт | — | 432 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 220Вт, TO247-3 | — | 2 шт, 4 недели |
1 шт: 488.18 руб. 10 шт: 472.95 руб. 30 шт: 458.24 руб. 90+ шт: 430.54 руб.
|
|
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT, 600В, 28А, 200Вт, TO247-3 | — | 45 шт, 4 недели |
1 шт: 698.74 руб. 10 шт: 599.03 руб. 30 шт: 539.32 руб. 100 шт: 477.76 руб. 500 шт: 438.77 руб. 1000+ шт: 412.54 руб.
|
||
(STMicroelectronics) Транзистор БТИЗ, 600В 60A 200Вт TO247 | — | 300 шт |
2 шт: 354.32 руб. 7 шт: 332.67 руб. 14 шт: 314.57 руб. 30 шт: 298.79 руб. 60+ шт: 283.46 руб.
|
||
(STMicroelectronics) Транзистор БТИЗ, 600В, 30А, 258Вт, TO247 | — | 120 шт |
2 шт: 312.34 руб. 8 шт: 292.79 руб. 15 шт: 276.54 руб. 30 шт: 262.67 руб. 60+ шт: 248.96 руб.
|
(ST) IGBT+D 1200V 30A TO247 | 1 шт | — | 330 руб. | ||
Транзистор | 10 шт | — | 709 руб. | ||
(ST) TO247 | 10 шт | — | 586 руб. | ||
(STMicroelectronics) Транзистор TO-247 | 10 шт | — | 635 руб. |
(STMICROELECTRONICS (EUR S&D)];Условия поставки: T[) | — | 3 недели | 202.13 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 30-119 шт. Опт: от 120 шт. | — | 3 недели | 492.66 руб. | ||
(STMICROELECTRONICS (EUR S&D)];Условия поставки: T[) | — | 3 недели | 174.58 руб. | ||
(STMICROELECTRONICS (NET)];Условия поставки: T[под) | — | 3 недели | 161.27 руб. | ||
(ST) / М.опт: от 32 шт. | — | заказ | 200 руб. | ||
(STMICROELECTRONICS (EUR S&D)];Условия поставки: T[) | — | 3 недели | 149.95 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 30-119 шт. Опт: от 120 шт. | — | 3 недели | 776.69 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 674 шт | заказ | 766.68 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 30-119 шт. Опт: от 120 шт. | — | 3 недели | 641.69 руб. |
(STM) Биполярный транзистор IGBT 650 В 30 А 260 Вт | — | 30 шт, 1 неделя |
1 шт: 607.20 руб. 5 шт: 577.20 руб. 10+ шт: 547.20 руб.
|
||
(STM) Биполярный транзистор IGBT 600 В 30 А 200 Вт | — | 300 шт, 1 неделя |
1 шт: 547.20 руб. 5 шт: 520.80 руб. 10+ шт: 493.20 руб.
|
||
(STM) Биполярный транзистор IGBT 600 В 60 А 258 Вт | — | 120 шт, 1 неделя |
1 шт: 482.40 руб. 5 шт: 458.40 руб. 10+ шт: 434.40 руб.
|
||
(Китай) Транзистор STGW30V60DF TO247 STMicroelectronics MOSNIGBTDiTrench gate50100kHzV600V60A120A1.85V16ns19ns258W53ns Сваркаиндукционный нагревИБПсолнечные инверторыPFCSMPS | — | 1100 шт, 1 неделя |
1 шт: 795.60 руб. 5 шт: 756 руб. 10+ шт: 716.40 руб.
|
(STMicroelectronics) | — | заказ | 457.79 руб. | ||
(Stmicroelectronics) | — | заказ | 458.67 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 312.25 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 444.56 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 312.25 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | — | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 472.79 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 837.08 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 561.88 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | — | ||
(Stmicroelectronics) | — | заказ | 561.88 руб. | ||
(Stmicroelectronics) | — | заказ | 423.39 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 471.02 руб. |
(ST) | — | 1 неделя | — | ||
(ST) | — | 1 неделя | — | ||
(ST) | — | 1 неделя | — |
ЮЛ+ФЛ
|
(STMicroelectronics) IGBT 600V 60A 260W TO247 | 36 шт | 1 неделя | 768 руб. | |
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 650V 30A 260W TO-247 | 304 шт | 1 неделя | 889 руб. | ||
(STMicroelectronics) Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | 2522 шт | 1 неделя | 633 руб. | ||
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 1200V 60A 220W TO247 | 282 шт | 1 неделя | 899 руб. | ||
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247 | 320 шт | 1 неделя | 1 206 руб. | ||
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247 | 103 шт | 1 неделя | 942 руб. | ||
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 60A 258W TO247 | 71 шт | 1 неделя | 796 руб. | ||
(STMICROELECTRONICS) Транзистор: IGBT 600V 60A 260W TO247 | 284 шт | 1 неделя | 709 руб. |
(ST Microelectronics) | 200 шт | — | 624 руб. | ||
(STM) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 30. Вес брутто - 6.54 г. Корпус - TO-247. Описание - IGBT 650V 30A 260W TO-247. | 30 шт | — | 434.69 руб. | ||
(STM) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 30. Вес брутто - 6.57 г. Корпус - TO-247. Описание - IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube. | 300 шт | — | 395.69 руб. | ||
(ST Microelectronics) | 200 шт | — | 1 053 руб. | ||
(STM) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 30. Вес брутто - 6.7 г. Корпус - TO-247. Описание - IGBT 600V 60A 258W TO247. | 120 шт | — | 348.82 руб. |
1 шт | — | 445 руб. | |||
(STMicroelectronics) TO-247 | 54 шт | — | 413 руб. |
(2015 г.) 1247 этикетка | 30 шт | 1 неделя | 200 руб. | ||
(2015 г.) 1247 этикетка | 68 шт | 1 неделя | 195 руб. |
(STM) IGBT 600V 60A 260W TO247 | — | заказ | — | ||
(STM) IGBT 650V 30A 260W TO-247 | — | заказ | — | ||
(STM) IGBTshort circuit rugged 1200/30/Uн б.=2.7/бвал Ё | — | заказ | — | ||
(ST) | — | заказ | — | ||
(STM) IGBT very fast 1200/30/Uн б. | — | заказ | — | ||
(STM) IGBTshort circuit ruggedяя600/28/Uн б.=1.9/бвал Ё | — | заказ | — | ||
(ST) | — | заказ | — | ||
(ST) | — | заказ | — | ||
(STM) IGBT ultra fast 600/30/Uн б. 2.1-2.5/200в бвал Ё | — | заказ | — | ||
(STM) IGBT 600V 60A 258W TO247 | — | заказ | — |
срок 5-28 недель, кратно НУ | 420 шт | заказ | — |
(STMicroelectronics) | 336 шт | 2 недели | — | ||
(STMicroelectronics) | 187 шт | 2 недели | — | ||
(STMicroelectronics) | 1174 шт | 2 недели | — | ||
(STMicroelectronics) | 3066 шт | 2 недели | — | ||
(STMicroelectronics) | 1454 шт | 2 недели | — | ||
(STMicroelectronics) | 1866 шт | 2 недели | — | ||
(STMicroelectronics) | 1316 шт | 2 недели | — |
(STM) | — | 7 недель | 377.83 руб. | ||
(STM) | — | 7 недель | 359.06 руб. | ||
(STM) | — | 7 недель | 363.75 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 453.49 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 327.38 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 543.66 руб. | ||
(STM) | — | заказ | 289.22 руб. | ||
(STM) | — | заказ | 251.91 руб. |
(STM) | 50 шт | 3 недели | 74 руб. | ||
(ST) | — | 3 недели | 2 113 руб. | ||
(STM) | 2500 шт | 3 недели | 37 руб. | ||
(STM) | 30 шт | 3 недели | 519 руб. | ||
15 шт | 3 недели | 840 руб. |
(STMicroelectronics) | — | заказ | 232.20 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 274.50 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 235.80 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 528.30 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 97.20 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 98.10 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 323.10 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 450.90 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 137.70 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 245.70 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 261 руб. |
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL IGBT | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600v IGBT | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
— | 1 неделя | — | |||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH | — | 1 неделя | — | ||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop | — | 1 неделя | — |
33 шт | — | 708.76 руб. | |||
600 шт | — | — | |||
600 шт | — | — | |||
30 шт | — | — | |||
97 шт | — | 355.46 руб. | |||
2 шт | — | 980.59 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
129- STGW30NC60WD
- STGW30V60DF
- STGW30NC120HD
- STGW30H65FB
- STGW30NC60KD
- STGW30H60DFB
- STGW30NC60VD
- STGW30V60F
- STGW30N120KD
- STGW30H60DLFB
- STGW30M65DF2
- STGW30NC60W
- STGW30H60DF
- STGW30N90D
- STGW30NC120HD TO247 ST
- GW30N120KD STGW30N120KD 30A,1200V
- STGW30NC60KD TO247 ST
- STGW30NC60WD TO247 ST
- STGW30N120KD TO247 ST
- транз 30N120kd /IGBT /220 /TO-247 /ST (GW30N120KD)
- Транзистор STGW30V60DF TO-247 STMicroelectronics MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,50-100kHz,V;600V,60A/120A,1.85V,16ns/19ns,258W,53ns ;;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,солнечные инверторы,PFC,SMPS
- STGW30NC60WD orig
- STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
- STGW30NC60KD ST
- STGW30V60DF TO247 ST код GW30V60DF
- STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]

Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?