| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (ST) Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба | — | 1 неделя | 745.91 руб. | ||
| (ST) Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В | — | 1 неделя | 408.70 руб. |
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 27 шт | — | 450 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT, 1,25кВ, 20А, 259Вт, TO247-3 | — | 52 шт, 6 недель |
1 шт: 655.61 руб. 3 шт: 587.71 руб. 10 шт: 508.74 руб. 30+ шт: 422.60 руб.
|
|
| (STMicroelectronics) Транзистор N-МОП, полевой, 600В 30A 200Вт TO247 | — | 290 шт |
1 шт: 370.74 руб. 15 шт: 350.06 руб. 30 шт: 333.32 руб. 60 шт: 316.84 руб. 120+ шт: 307.33 руб.
|
|
ЮЛ+ФЛ
|
Транзистор | — | заказ | — |
| (STM) Транзистор биполярный IGBT Nканальный 650В 40A 168Вт 3Pin3Tab TO247 туба | — | 30 шт, 1 неделя |
1 шт: 901.20 руб. 5 шт: 856.80 руб. 10+ шт: 811.20 руб.
|
||
| (STM) Биполярный транзистор IGBT 200 Вт 30 А 600 В | — | 290 шт, 1 неделя |
1 шт: 572.40 руб. 5 шт: 544.80 руб. 10+ шт: 516 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор STGW20NC60VD TO247 STMicroelectronics MOSNIGBTDiPowerMESH50kHzV600V60A150A1.8V11ns75ns200W44ns Высокочастотные инверторы ИБП Драйверы приводаSMPSPFC | — | 1099 шт, 1 неделя |
1 шт: 466.80 руб. 5 шт: 444 руб. 10+ шт: 421.20 руб.
|
| (ST) IGBT+D 600V 26A TO247 | 4 шт | — | 200 руб. |
| (STMicroelectronics) 23+ SOT-23-5 N/A 3000/REEL | 3000 шт | 5 недель | — | ||
| (STMicroelectronics) 23+ TO-247AC N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
| (STMicroelectronics) 23+ TO-247 N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — |
| (STMICROELECTRONICS (EUR S&D)];Условия поставки: T[) | — | 3 недели | 162.18 руб. | ||
| (STMICROELECTRONICS (EUR S&D)];Условия поставки: T[) | — | 3 недели | 214.09 руб. | ||
| (STMICROELECTRONICS (EUR S&D)];Условия поставки: T[) | — | 3 недели | 155.85 руб. | ||
| (STMicroelectronics) / М.опт: 30-119 шт. Опт: от 120 шт. | — | 3 недели | 639.94 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247 | 639 шт | 1 неделя | 791 руб. | |
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 1250V 40A 259W TO-247 | 52 шт | 1 неделя | 813 руб. | ||
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247 | 27 шт | 1 неделя | 627 руб. | ||
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247 | 500 шт | 1 неделя | 767 руб. | ||
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247 | 43 шт | 1 неделя | 1 006 руб. | ||
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247 | 72 шт | 1 неделя | 1 174 руб. |
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 464.96 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 579.66 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 591.95 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 795.75 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 611.41 руб. | ||
| (Stmicroelectronics) | — | заказ | 449.60 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 482.37 руб. |
| (ST) ва:яяIGBT N-MOSFET 600V 20A Uб | — | заказ | — | ||
| (STM) IGBT 50ж/30/600 Ё, 200W | — | заказ | — | ||
| (ST Microelectronics) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — | ||
| (STM) Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A | — | заказ | — |
| (ST) | 2000 шт | 1 неделя | 528 руб. |
| (VISHAY) | 2000 шт | 3 недели | 82 руб. | ||
| (Galaxy ME) | 3000 шт | 3 недели | 4 руб. |
| (STMicroelectronics) | 86 шт | 2 недели | — | ||
| (ST) | 1666 шт | 2 недели | — |
| (STM) | — | 52 недели | 323.70 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 382.21 руб. | ||
| (STM) | — | 7 недель | 401.30 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 304.01 руб. | ||
| (STM) | — | 7 недель | 281.61 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 409.45 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 453.59 руб. |
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gate field-stop IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | — | 1 неделя | — |
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 257.40 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 270 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 153 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 223.20 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 239.40 руб. |
| 600 шт | — | — | |||
| 1100 шт | — | 314.28 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
63- STGW20NC60VD
- STGW20V60DF
- STGW20H65FB
- STGW20H60DF
- STGW20IH125DF
- STGW20V60F
- STGW20NC60V
- STGW20NB60H
- STGW20NC60VD TO247 ST
- Транзистор STGW20NC60VD TO-247 STMicroelectronics MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,<50kHz,V;600V,60A/150A,1.8V,11ns/75ns,200W,44ns ;;Высокочастотные инверторы, ИБП, Драйверы привода,SMPS,PFC
- STGW20NC60VD, IGBT 50ж/30/600 Ё TO-247
- STGW20NC60VD STM
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?