| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| IGBT 425V,20A,125W_N-Channel_internally CLAMPED IGBT_IGBT транзистор в авто | — | — | 125 руб. | ||
| IGBT 425V,20A,125W_N-Channel_internally CLAMPED IGBT_IGBT транзистор в авто | — | — | 124 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT, 440В, 20А, 125Вт, D2PAK | 6 шт | — |
1 шт: 610 руб. 10 шт: 569.21 руб. 100 шт: 543.79 руб. 500 шт: 520.98 руб. 1000+ шт: 509.74 руб.
|
|
| (STMicroelectronics) Транзистор N-МОП, полевой, 600В 20A 65Вт DІPak | — | 975 шт, 6 недель |
1 шт: 298.88 руб. 5 шт: 261.79 руб. 25 шт: 235.82 руб. 100+ шт: 213.56 руб.
|
||
| (STMicroelectronics) Транзистор БТИЗ, 600В 20A 65Вт DІPak | — | 165 шт |
4 шт: 107.06 руб. 21 шт: 99.09 руб. 41 шт: 92.49 руб. 82 шт: 87.02 руб. 164+ шт: 81.86 руб.
|
||
| (EATON) Рамка с маркировочной табличкой, RMQ-Titan, 30x50мм | — | 18 шт, 6 недель |
1 шт: 687.88 руб. 5 шт: 621.66 руб. 10+ шт: 559.33 руб.
|
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 110 шт | — | 225 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 97 шт | — | 195 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 6 шт | — | 338 руб. |
| (ST) Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт | — | 1 неделя | 659.59 руб. | ||
| (ST) Заказ от 1 шт. | — | 1 неделя | 589.68 руб. | ||
| (ST) Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт | — | 1 неделя | 349.86 руб. | ||
| (ST) Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт | — | 1 неделя | 120.14 руб. |
| (STM) Биполярный транзистор IGBT 440 В 20 А 125 Вт | — | 208 шт, 1 неделя |
1 шт: 805.20 руб. 5 шт: 765.60 руб. 10+ шт: 724.80 руб.
|
||
| (STM) Биполярный транзистор IGBT 600 В 10 А 65 Вт | — | 150 шт, 1 неделя |
1 шт: 488.40 руб. 5 шт: 464.40 руб. 10+ шт: 440.40 руб.
|
||
| (STM) Биполярный транзистор IGBT 600 В 10 А 60 Вт | — | 165 шт, 1 неделя |
1 шт: 218.40 руб. 5 шт: 207.60 руб. 10+ шт: 196.80 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор STGB10NB37LZ D2PAKTO263 STMicroelectronics MOSNIGBTPowerMESHClamped400V20A60A1.2V270ns1400ns125WОграничение высокого напряжения Автомобильное зажигание | — | 1091 шт, 1 неделя |
1 шт: 216 руб. 5 шт: 205.20 руб. 10+ шт: 194.40 руб.
|
| (ST Microelectronics) | 240 шт | 1 неделя | 653.76 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 20A 115W D2PAK | 4512 шт | 1 неделя | 550 руб. | |
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 650V 10A D2PAK | 700 шт | 1 неделя | 701 руб. | ||
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 440V 20A 125W D2PAK | 405 шт | 1 неделя | 907 руб. | ||
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 20A 65W D2PAK | 967 шт | 1 неделя | 400 руб. | ||
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 20A 65W D2PAK | 882 шт | 1 неделя | 550 руб. | ||
| (STMicroelectronics) Транзистор: IGBT 600V 20A 65W D2PAK | 1789 шт | 1 неделя | 251 руб. |
| 2 шт | — | 74.10 руб. |
| (STMicroelectronics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 332.01 руб. | ||
| (STMicroelectronics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 604.08 руб. | ||
| (STMicroelectronics) / М.опт: 2000-4999 шт. Опт: от 5000 шт. | — | 3 недели | 171.27 руб. |
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 350.52 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | — | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 425.78 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | — | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 406.96 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 314.88 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | — | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 202.99 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 196.06 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | — | ||
| (Eaton Cutler Hammer) | — | заказ | 326.76 руб. | ||
| (Eaton Moeller) | — | заказ | — |
| (ST) | — | 1 неделя | — | ||
| (ST) | 50 шт | 1 неделя | 528 руб. | ||
| (ST) | — | 1 неделя | — | ||
| (ST) | 12000 шт | 1 неделя | — |
| 10 шт | — | 340.56 руб. |
| (ST) D2PAK (TO263) | 104 шт | — | 246 руб. |
| 1279 | 36 шт | 1 неделя | 650 руб. |
| (STMicroelectronics) 23+ N/A 1 | 22545 шт | 4 недели | — | ||
| (STMicroelectronics) 23+ D2PAK N/A 1 | 22540 шт | 4 недели | — | ||
| (STMicroelectronics) 23+ N/A 1 | 22535 шт | 4 недели | — | ||
| (STMicroelectronics) микросхема электронная интегральная 20+ TO263 N/A 1 | 3490 шт | 4 недели | — |
| (ST MICROELECTRONICS) IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 202 шт | заказ | 236.46 руб. | ||
| IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 2 шт | заказ | 378 руб. | ||
| (ST MICROELECTRONICS) | 188 шт | заказ | 215.92 руб. |
| (STM) IGBT+Zяя375V, 20A, 125W (Logic-Level, for Ignition) | — | заказ | — | ||
| (ST) ва:яяIGBT N-MOSFET 400V 10A Uce sat | — | заказ | — | ||
| (ST Microelectronics) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — | ||
| (STMicroelectr.) ваЁбвал Ёпал Ёавл | — | заказ | — | ||
| (STM) IGBT 440V 20A 125W D2PAK | — | заказ | — | ||
| (ST) | — | заказ | — | ||
| (ST Microelectronics) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — | ||
| (STM) IGBTvery fastяя600/10/65в/Uн б.=1.7/UЁ=? 20/trise=27б/tfall=85б/Q=19.2 + Ё | — | заказ | — | ||
| (ST Microelectronics) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — | ||
| (STM) IGBT 600/10/60в/Uн б. | — | заказ | — |
| — | заказ | — | |||
| (STM) | 30 шт | 3 недели | 1 226 руб. | ||
| (Autonics) | 1 шт | 3 недели | 13 452 руб. | ||
| (Autonics) | 1 шт | 3 недели | 3 224 руб. |
| (INF) IGBT 380V 10A CL TO263 | 1 шт | — | 160 руб. | ||
| (ST) D2PAK TO263 | 10 шт | — | 477 руб. | ||
| (ST) D2PAK TO263 | 10 шт | — | 300 руб. | ||
| (ST) IGBT | 5 шт | — | 253 руб. | ||
| IGBT+D+ 600V 20A/10A 2.2V/2.5V 5A 360pF 4.5V/6.5V 6+82ns 22ns/35ns tscw=10us TO263 | 16 шт | — | 150 руб. |
| (STM) | — | 52 недели | 177.90 руб. | ||
| (STM) | — | 12 недель | 216.54 руб. | ||
| (STM) | — | 32 недели | 278.50 руб. | ||
| (STM) | — | 22 недели | 269.76 руб. | ||
| (STM) | — | 6 недель | 196.60 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 187.60 руб. | ||
| (STM) | — | 6 недель | 176.50 руб. | ||
| (STM) | — | заказ | 74.72 руб. | ||
| (EATON MOELLER) | — | 7 недель | 413.03 руб. |
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 252 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 293.40 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 317.70 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 61.65 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 42.30 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | заказ | 434.70 руб. | ||
| (Eaton) | — | заказ | 203.40 руб. | ||
| (Eaton) | — | заказ | 243 руб. |
| (STM) | 240 шт | 1 неделя | 693.13 руб. |
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (STMicroelectronics) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — |
| 2000 шт | — | — | |||
| 647 шт | — | — | |||
| 1100 шт | — | 771.81 руб. | |||
| 43 шт | — | 20.72 руб. | |||
| 143 шт | — | 55.44 руб. | |||
| 179 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
110- STGB10NB37LZT4
- STGB10NC60HDT4
- STGB10NC60KDT4
- STGB10NB37LZ
- STGB10M65DF2
- STGB10H60DF
- STGB10NC60KT4
- M22S-ST-GB10
- STGB10NB40LZT4
- STGB10NC60KD
- STGB10NB37LZT4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
- STGB10NB37LZТ4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
- STGB10NC60KDT4 D2PAK TO263 ST код GB10NC60KD
- STGB10NB37LZТ4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
- STGB10NB37LZT4 ST
- STGB10NC60HD D2PAK TO263 ST
- STGB10HF60KDT4
- STGB10NB37LZ D2PAK TO263 ST код GB10NB37LZ
- STGB10NB37LZ TO263 (D2PAK) ST (GK2JS V6 CHN 328 e3 G) =IRGS14C40L 6B10NB37LZ ISL9V3040S BTS2140-1BISL9V 00210n 3040S3SSTM /NGB8202NT4 ON ) ВАЗ-Калина
- M22-XST-GB10
- STGB10NB37LZ Качество 100% партия GKOC2 V6 239
- M22XSTGB10
- STGB10NB37LZ, IGBT 425 20, [D2-PAK]
- STGB10NC60HD
- STGB10NB37LZ STMicroelectronics
- Транзистор STGB10NB37LZ D2PAK(TO263) STMicroelectronics MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped400V,20A/60A,1.2V,270ns/1400ns,125W;Ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажигание
- STGB10NB37LZT4, [D2-Pak]
- STGB10NB37LZ orig. Качество 100% партия GK132 V6 203
- STGB10NB37LZ4, IGBT ваЁбва 10 440 D2PAK-3
- STGB10NB60ST4
- M22SSTGB10
- ISL9V3040S3S STGB10NB37LZ, 00210,GB10NB37LZ
- STGB10NC60HDT4, аЁбва IGBT N-CH 600V 20A [D2PAK]
- GB10NB37LZ STGB10NB37LZ, ISL9V3040S3S
- STGB10NB37L orig
- STGB10NB37LZT4- 440В, 20А, D2PАK Транзистор IGBT
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?