| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (Yageo) Заказ от 50 шт. | — | 1 неделя | 18.72 руб. |
| (YAGEO) | — | 1800 шт, 1 неделя |
1 шт: 31.20 руб. 5 шт: 30 руб. 10+ шт: 28.80 руб.
|
| (Yageo) | — | заказ | 11.47 руб. | ||
| (Yageo) | — | заказ | — | ||
| (Yageo) | — | заказ | — | ||
| (Yageo) | — | заказ | — | ||
| (Yageo) | — | заказ | — | ||
| (Yageo) | — | заказ | — | ||
| (Yageo) | — | заказ | 11.47 руб. |
| 154 шт | — | — |
| (YAGEO) SQV453226T-4R7K-N, SMD индуктивность 4.7 мкГн 10% 1812 (LQH43MN4R7K) | 1400 шт | — | 23.21 руб. | ||
| (YAGEO) | 1 шт | 7 недель | 17 084.51 руб. |
| (YAGEO) | 1800 шт | 2 недели | 15.88 руб. |
| (Yageo) вгиЁ ЁгвЁбвЁ | — | заказ | — | ||
| (Yageo) вгиЁ ЁгвЁбвЁ | — | заказ | — | ||
| (Yageo) вгиЁ ЁгвЁбвЁ | — | заказ | — | ||
| (Yageo) вгиЁ ЁгвЁбвЁ | — | заказ | — | ||
| (Yageo) вгиЁ ЁгвЁбвЁ | — | заказ | — | ||
| (Murata) вгиЁ ЁгвЁбвЁ | — | заказ | — |
| (Yageo) | 3 шт | — | 17.50 руб. | ||
| (Yageo) | 3300 шт | — | 19.12 руб. |
| (Yageo) | 2600 шт | 1 неделя | 16.94 руб. |
| (Yageo) | — | заказ | 48.60 руб. | ||
| (Yageo) | — | заказ | 48.60 руб. | ||
| (Yageo) | — | заказ | 48.60 руб. | ||
| (Yageo) | — | заказ | 48.60 руб. | ||
| (Yageo) | — | заказ | 48.60 руб. | ||
| (Yageo) | — | заказ | 48.60 руб. |
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — |
| 3740 шт | — | 18.20 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
35- SQV453226T-4R7K-N
- SQV453226T-4R7K-N, SMD индуктивность 4.7 мкГн 10% 1812 (LQH43MN4R7K)
- SQV453226T-222J-N
- SQV453226T470KN
- SQV453226T-4R7K-N (LQH43MN4R7K) 1812 47uH 10% Yageo Чип-индуктивность
- SQV453226T-331M-N
- SQV453226T4R7KN
- SQV453226T-4R7K-N, чип-индукт. 4.7мкГн 10% 1812 (LQH43MN4R7K)
- LQH43MN471K03L,SMDинд470мкГн 10% 1812 SQV453226T-471K-N,CM453232-471KL
- SQV453226T-101K-N, чип-индукт. 100мкГн 10% 1812 (LQH43MN101K)
- SQV453226T330KN
- SQV453226T-471K-N, зЁ-Ёгв. 470 10% 1812 (LQH43MN471K)
- SQV453226T-101K-N
- SQV453226T-102J-N
- SQV453226T-4R7K-N, зЁ-Ёгв. 4.7 10% 1812 (LQH43MN4R7K)
- SQV453226T-152K-N1
- SQV453226T-470K-N
- SQV453226T101KN
- SQV453226T-681J-N
- SQV453226T-101K-N, зЁ-Ёгв. 100 10% 1812 (LQH43MN101K)
- SQV453226T-100K-N, зЁ-Ёгв. 10 10% 1812 (LQH43MN100K)
- SQV453226T471KN
- SQV453226T-4R7K-N (LQH43MN4R7K) 1812 4,7uH 10% Yageo Чип-индуктивность
- SQV453226T-470K-N, зЁ-Ёгв. 47 10% 1812 (LQH43MN470K)
- SQV453226T-470K-N, чип-индукт. 47мкГн 10% 1812 (LQH43MN470K)
- SQV453226T100KN
- LQH43MN471K03L,SMDЁ470 10% 1812 SQV453226T-471K-N,CM453232-471KL
- SQV453226T-471K-N, чип-индукт. 470мкГн 10% 1812 (LQH43MN471K)
- SQV453226T-100K-N, чип-индукт. 10мкГн 10% 1812 (LQH43MN100K)
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?