| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=200А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=200А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=200А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=200А | — | 3 недели | — | ||
| Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=600В; Ic=142А | — | 3 недели | — |
| (Electrolube) | — | заказ | 1 688.46 руб. | ||
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay Semiconductors) | — | заказ | — |
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 209 Amp 600 Volt Half-Bridge | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
18- VS-GB200LH120N
- VS-GB200TS60NPbF
- VS-GB200TH120N
- VS-GB200TH120U
- VS-GB200NH120N
- SGB200D
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?