Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(Infineon) Транзистор TO263-3 | 10 шт | — | 317 руб. | ||
(INF) IGBT 600V 10A TO263 | 10 шт | — | 150 руб. |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 72 шт | — | 150 руб. |
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=100А | — | 3 недели | — | ||
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=600В; Ic=74А | — | 3 недели | — | ||
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=87А | — | 3 недели | — |
Fast IGBT in NPT-technology_10A, 600V, 2,3V 150C | — | — | 174 руб. |
3 шт | 3 недели | — |
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
(Vishay) | — | заказ | — | ||
(Vishay) | — | заказ | — | ||
(Vishay) | — | заказ | — | ||
(Vishay) | — | заказ | — | ||
(Vishay Semiconductors) | — | заказ | — | ||
(Vishay) | — | заказ | — |
(INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
(INFIN) | — | 1 неделя | — |
(INFIN) | — | заказ | — |
(Infineon Technologies AG) | 790 шт | 2 недели | — |
(Infineon Technologies) | — | заказ | 66.33 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 53.28 руб. |
(Infineon Technologies) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
— | 1 неделя | — | |||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) MODULE IGBT SOT-227 | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 108 Amp 600 Volt Half-Bridge | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay Semiconductor Diodes Division) OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT | — | 1 неделя | — |
1000 шт | — | — | |||
7 шт | — | — | |||
9 шт | — | — | |||
8 шт | — | — | |||
18 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
53- SGB10N60A
- SGB10N60AATMA1
- VS-GB100TS60NPbF
- VS-GB100TP120N
- VS-GB100NH120N
- VS-GB100TH120U
- VS-GB100TH120N
- VS-GB100YG120NT
- VS-GB100LH120N
- VS-GB100LP120N
- VS-GB100DA60UP
- SGB10N60A G10N60A
- ASGB-10-R 110VAC
- ASGB-10-G 110VAC
- ASGB-10-Y 110VAC
- SGB10N60A G10N60A
- SGB10N60A D2PAK TO263 Infineon код G10N60A
- VS-GB100TP120U
- ASGB-10-B 110VAC
- SGB10N60A (to-263AB)

Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?