| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (Mitsubishi) Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150C | — | 1 неделя | 365.50 руб. |
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 11 шт | — | 1 313 руб. |
| (MIT) Полевой транзистор Nканальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch150C | — | 69 шт, 1 неделя |
1 шт: 511.20 руб. 5 шт: 486 руб. 10+ шт: 460.80 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор RD07MVS1101 SLP MITSUBISHI NMOSFETRF520MHz30V3A50W | — | 761 шт, 1 неделя |
1 шт: 576 руб. 5 шт: 547.20 руб. 10+ шт: 518.40 руб.
|
| (MIT) Si 175МГц 7Вт 7, 2В SLP | 16 шт | заказ | 474.05 руб. |
| (MIT) MOSFET_N-Ch RF Power 175MHz,520MHz,2W SMD | 1 шт | — | 941 руб. | ||
| (MIT) QFN-12 | 10 шт | — | 564 руб. |
| (MIT) | 21 шт | — | 483.35 руб. | ||
| (Mitsubishi) | 30 шт | — | 676 руб. | ||
| (MIT) Тип упаковки - Tape and Reel (лента в катушке). Нормоупаковка - 1000. Вес брутто - 0.14 г. Корпус - QFN12. Описание - Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V. | 69 шт | — | 370.42 руб. |
| (MIT) | 21 шт | 2 недели | 430.30 руб. |
| (MIT) MOSFET UHF, Po=7W (Pin=0.3W/175MHz, Vcc=7.2V) | — | заказ | — | ||
| (Mitsubishi) аЁбвал л (MOSFET) | — | заказ | — | ||
| (Mitsubishi) ваЁбвал | — | заказ | — | ||
| (MIT) | — | заказ | — |
| 11 шт | — | 234 руб. |
| (Mitsubishi) | — | 1 неделя | — | ||
| (MIT) | — | 1 неделя | — |
| (Mitsubishi) | — | 26 недель | 1 095.55 руб. |
| (Mitsubishi) | 28 шт | — | 359.79 руб. | ||
| (Mitsubishi) | — | заказ | 367.91 руб. |
| (MIT) | 9 шт | 3 недели | 3 677.57 руб. | ||
| 1 шт | 3 недели | — | |||
| (Mitsubishi) | — | 3 недели | 341.14 руб. |
| (Mitsubishi Electric) | — | заказ | 276.30 руб. | ||
| (Mitsubishi Electric) | — | заказ | 243 руб. |
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (MITSUBISHI) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (MITSUBISH) | — | 1 неделя | — |
| (Mitsubishi) | — | заказ | 2.72 руб. |
| 53 шт | — | 345.20 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
35- RD07MVS1
- RD07MVS1B-201
- RD07MVS1B-T112
- RD07MVS1-201, Si 175MHz 7W 7,2V SLP (= RD07MVS1-101)
- RD07MVS1-T512
- RD07MVS1-201, Si 175MHz 7W 7,2V SLP (= RD07MVS1-101)
- RD07MVS1B SMD Mitsubishi
- RD07MVS1-101
- RD07MV S1BMIT SMD (6x4,9x0,9) без ножек
- RD07MVS1 orig
- RD07MVS1B Mitsubishi
- Транзистор RD07MVS1-101 SLP MITSUBISHI N-MOSFET;RF,520MHz;30V,3A,,50W
- RD07MVS1-T51
- RD07MVS1-T112 QFN3
- RD07MVS1B-T112 QFN
- RD07MVS1101
- RD07MVS1, аЁбва, , 175ж, 520ж, 7в [SLP]
- RD07MVS1B MIT
- RD07MVS1-501, Транзистор для VHF/UHF усилителей, 7Вт, 10dB, 7.2В, 175МГц, 520МГц [SLP]
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?