| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (KENON) Заказ от 1 шт. | — | 1 неделя | 51.48 руб. |
| (Infineon Technologies) | 19 шт | заказ | 39 306.99 руб. | ||
| (Infineon Technologies) / М.опт: от 10 шт. | — | 3 недели | 26 142.73 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1700V 150A 20MW | 23 шт | 1 неделя | 44 903 руб. | |
| (Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1700V 125A 555W | 232 шт | 1 неделя | 44 153 руб. | ||
| (Infineon Technologies) Транзистор: LOW POWER ECONO | 35 шт | 1 неделя | 33 908 руб. | ||
| (Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1700V 200A 20MW | 8 шт | 1 неделя | 42 007 руб. | ||
| (Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1700V 100A 600W | 9 шт | 1 неделя | 35 523 руб. | ||
| (Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1700V 100A 600W | 6 шт | 1 неделя | 35 165 руб. | ||
| (Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1700V 150A 835W | 9 шт | 1 неделя | 39 245 руб. |
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 25 366.75 руб. | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 25 621.25 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 31 143.67 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 31 431.58 руб. |
| 7 шт | — | 174.08 руб. | |||
| 6 шт | — | 150.96 руб. |
| (Ёв) Ёбвал ал | — | заказ | — | ||
| (Ёв) Ёбвал ал | — | заказ | — |
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — | ||
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — | ||
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — | ||
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — | ||
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — | ||
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — | ||
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — | ||
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — | ||
| (Infineon) | 300 шт | 1 неделя | — |
| (KENNON) | 1 шт | 3 недели | 42 руб. |
| (Infineon) | — | 7 недель | 36 304.64 руб. |
| (Song Huei Electric) | — | заказ | 54.72 руб. |
| (Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | — | 1 неделя | — |
| 2200 шт | — | 205.74 руб. | |||
| 550 шт | — | 174.69 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
41- FS100R17N3E4
- FS100R17N3E4BOSA1
- FS100R17N3E4_B11
- FS150R17N3E4
- FS150R17N3E4_B11
- R-17N3-B10K,L-15KC
- F4200R17N3E4BPSA1
- FP75R17N3E4BPSA1
- F4-200R17N3E4
- F4100R17N3E4BPSA1
- R-17N3-B10K,L-15KC, переменный резистор 10кОм
- FP75R17N3E4B11BPSA1
- R17N3B10KL15KC
- R-17N3-B10K, L15KC, 10 , Ёбва ал
- F4-200R17N3E4_B58
- ИМП R17N3-B50К,L-15KC
- R-17N3-B50K,L-15KC
- FS100R17N3E4B11BOSA1
- FP75R17N3E4
- F4-150R17N3P4_B58
- FS100R17N3E4PB11BPSA1
- F4-100R17N3E4
- F4-100R17N3P4_B58
- FS150R17N3E4BOSA1
- ИМП R17N3-B10К,L-15KC
- R-17N3-B50K, L15KC, 50 , Ёбва ал
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?