| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| IGBT 400V,20A_N-Channel DPAK | — | — | 127 руб. | ||
| IGBT 390V,25A,125W_N-Channel_internally CLAMPED IGBT | — | — | 113 руб. |
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 23 шт | — | 240 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 17 шт | — | 315 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(LITTELFUSE) Транзистор IGBT транзистор DPAK-2 | — | 75 шт |
2 шт: 235.16 руб. 48 шт: 222.15 руб. 96 шт: 213.12 руб. 192 шт: 204.02 руб. 383+ шт: 199.36 руб.
|
| (Littelfuse) Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт | — | 1 неделя | 258.18 руб. |
| (Littelfuse) Биполярный транзистор IGBT 440 В 20 А 125 Вт | — | 75 шт, 1 неделя |
1 шт: 363.60 руб. 5 шт: 345.60 руб. 10+ шт: 327.60 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор NGD8201ANT4G DPAKTO252 ON Semiconductor MOSNIGBT400V20A125W | — | 1073 шт, 1 неделя |
1 шт: 204 руб. 5 шт: 194.40 руб. 10+ шт: 183.60 руб.
|
| (Littelfuse) Тип упаковки - Tape and Reel (лента в катушке). Нормоупаковка - 2500. Вес брутто - 0.4 г. Корпус - DPAK/TO-252AA. Описание - Bipolar transistor IGBT, 375 V, 20 A, 125 W. | 75 шт | — | 262.63 руб. |
| 2 шт | — | 91 руб. |
| 5 шт | — | 396 руб. |
| (ON S) TO252 (DPAK) | 56 шт | — | 157 руб. | ||
| (ONS) DPAK | 764 шт | — | 201 руб. |
| (ONS) IGBT+Zяя375V, 20A, 125W (Logic-Level, for Ignition) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — |
| 1279 | 36 шт | 1 неделя | 619 руб. |
| (ON Semiconductor) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
| (ON Semiconductor) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
| (ON Semiconductor) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — |
| (ON) | — | 1 неделя | — | ||
| (ON) | 50 шт | 1 неделя | 308 руб. |
| (Littelfuse) | — | заказ | 218.55 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — |
| (Радиодеталь) | 1000 шт | 3 недели | 16 руб. |
| (ON Semiconductor) | — | заказ | 53.10 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | 103.50 руб. |
| — | 1 неделя | — | |||
| (Littelfuse) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGD8201ANT4G GEN4 IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (ON Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL IGNITION IGBT 2 | — | 1 неделя | — | ||
| (ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
| (ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — |
| 88 шт | — | 441.59 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
34- NGD8201ANT4G
- NGD8201NT4G
- NGD8201AG
- NGD8201BNT4G
- NGD8201ANT4G, аЁбва IGBT 440 20 125в [DPAK]
- NGD8201N- 400В, 20А, DPAK Транзистор IGBT
- NGD8201ANT
- NGD8201ANT4G ISL9V3040D3S,NGD8201AG,STGD18N40LZT4
- STGD18N40LZT4 NGD8201ANT4G
- Транзистор NGD8201ANT4G DPAK(TO252) ON Semiconductor MOS-N-IGBT;400V,20A,125W
- NGD8201AN
- NGD8201NG
- NGD8201NT4
- NGD8201NG DPAK TO252 ONS
- NGD8201ANT4G (IGBT 440V 20A 125W) (TO252, D-PAK)
- ISL9V3040D3S DPAK TO252 Fair код V3040D аналог NGD8201AG
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?