| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| Стяжка кабельная Tefzel®; L=100мм; W=2,5мм; D петли=22мм; 8,1кгс; черный; нейлон-66 (UL) | — | 3 недели | — | ||
| Стяжка кабельная Tefzel®; L=100мм; W=2,5мм; D петли=22мм; 8,1кгс; синий; нейлон-66 (UL) | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 4-Kbit (512 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 4-Kbit (512 x 8); Uпит.=1,7...3,6В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 8-Kbit (1024 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 8-Kbit (1,024 x 8); Uпит.=1,7...3,6В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 16-Kbit (2048 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 16-Kbit (2,048 x 8); Uпит.=1,7...3,6В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 32-Kbit (4,096 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 32-Kbit (4,096 x 8); Uпит.=1,7...3,6В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 64-Kbit (8,192 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 2-Kbit (256 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 2K (256 x 8 or 128 x 16); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 4K (512 x 8 or 256 x 16); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 128-Kbit (16,384 x 8); Uпит.=1,7...5,5В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема памяти Serial EEPROM; 512-Kbit (65,536 x 8); Uпит.=1,7...3,6В; -40...85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема последовательной FLASH-памяти 3V 32M-разрядная с двойным/четырехъядерным SPI, QPI и DTR; Uпит.=2,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема последовательной FLASH-памяти 3V 32M-разрядная с двойным/четырехъядерным SPI, QPI и DTR; Uпит.=2,7…3,6В; Tраб. -40...+105°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема последовательной FLASH-памяти 3V 32M-разрядная с двойным/четырехъядерным SPI, QPI и DTR; Uпит.=2,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема последовательной FLASH-памяти 3V 32M-разрядная с двойным/четырехъядерным SPI, QPI и DTR; Uпит.=2,7…3,6В; Tраб. -40...+105°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема последовательной FLASH-памяти 1,8V 32M-разрядная с двойным/четырехъядерным SPI, QPI и DTR; Uпит.=1,7...1,95В; Tраб. -40...+85°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема последовательной FLASH-памяти 1,8V 32M-разрядная с двойным/четырехъядерным SPI, QPI и DTR; Uпит.=1,7...1,95В; Tраб. -40...+85°C | — | 3 недели | — |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(ADAM) Контакт, "мама", 22AWG-18AWG, обжим, на провод, 5,08мм | — | — |
20 шт: 8.62 руб. 200 шт: 5.09 руб. 1000 шт: 4.34 руб. 6000+ шт: 3.50 руб.
|
| (Eaton) | — | 8 недель | — |
| (ADAM) | — | 6 недель | 10.03 руб. |
| (NATIONAL SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
26- AT24C16C-CUM-T (FBGA8)
- AT24C08D-CUM-T (FBGA8)
- W25Q32JWTCIM (TFBGA-24)
- AT24C16D-CUM-T (FBGA8)
- AT24C128C-CUM-T (FBGA8)
- W25Q32JVTBIM (TFBGA-24)
- DS36277TM-TFB
- AT24C32D-CUM-T (FBGA8)
- GT-100M-TF-BL
- AT34C02D-CUM-T (FBGA8)
- MTF-B-04
- MTF-B-C-01-R
- AT24C08C-CUM-T (FBGA8)
- AT24C04C-CUM-T (FBGA8)
- AT93C66B-CUM-T (FBGA8)
- AT24C32E-CUM-T (FBGA8)
- W25Q32JVTBJM (TFBGA-24)
- W25Q32JVTCJM (TFBGA-24)
- W25Q32JWTBIM (TFBGA-24)
- GT-100M-TF-B
- W25Q32JVTCIM (TFBGA-24)
- AT93C56B-CUM-T (FBGA8)
- AMTFBB
- AT24C64D-CUM-T (FBGA8)
- AT24C512C-CUM-T (FBGA8)
- AT24C04D-CUM-T (FBGA8)
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?