Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(Mitsubishi) Заказ от 1 шт. | — | 1 неделя | 580.32 руб. |
(MITSUBISHI) | — | 310 шт, 1 неделя |
1 шт: 1 658.40 руб. 5 шт: 1 575.60 руб. 10+ шт: 1 492.80 руб.
|
(MIT) Нормоупаковка - 1. | 310 шт | — | 665.02 руб. | ||
MGF0918A-03, GaAs FET транзистор 1.9ГГц 3Вт 27дБ/мВт, корпус GF-50 | 310 шт | — | 685.10 руб. |
(MIT) | — | заказ | — | ||
(Mitsubishi) ваЁбвал | — | заказ | — |
(Mitsubishi) | 310 шт | 1 неделя | 761.95 руб. |
(Mitsubishi) | 320 шт | — | 420.28 руб. |
(Mitsubishi Electric) | — | заказ | 657.90 руб. |
— | 1 неделя | — | |||
— | 1 неделя | — |
(Mitsubishi) | 310 шт | 1 неделя | 587.50 руб. |
363 шт | — | 792.48 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
13- MGF0918A-03
- MGF0918A-03, GaAs FET 1.9GHz 3W 27dBm GF-50
- MGF0918A-03, GaAs FET полевой транзистор , материал - арсенид галия, центральная частота рабочего д
- MGF0918A-03 GF-50
- MGF0918A-03 GF-50 Mitsubishi транзистор
- MGF0918A03
- MGF0918A-03, GaAs FET транзистор 1.9ГГц 3Вт 27дБ/мВт, корпус GF-50
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?