|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 20x20мм; H=30,0мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 20x20мм; H=30,0мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 20x20мм; H=30,0мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 20x20мм; H=22,3мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 20x20мм; H=27,0мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 18x20мм; H=34,2мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 20x20мм; H=21,5мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 20x20мм; H=30,0мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Фиксатор ЖК панели на самоклеящейся площадке; 20x20мм; H=30,0мм; поликарбонат PC (UL); прозрачный
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема радиационно-стойкий CAN-трансивер; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однонаправленный токовый шунтирующий монитор c радиационной стойкостью и синфазным сигналом от –15 В до 65 В; Uпит.=2,7…16В; Tраб. -55...+150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ультрамалошумящее устройство для устранения дрожания тактовых импульсов с двойным контуром JESD204B космического класса; Uпит.=3,135…3,465В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 радиационно-устойчивых АЦП с одновременной выборкой, 24 бита; Uпит.=4,75…5,25 / 1,65…3,6В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дельта-сигма АЦП высокого разрешения с гарантированной радиационной стойкостью; Uпит.=4,75…5,25 / 1,75…3,6В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП, 1 Гбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,135…3,465В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный АЦП класса V, частота выборки 105 Мбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,0…3,6В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 13-битный АЦП класса V, частота выборки 250 Мбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,0…3,6В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП класса V, частота выборки 500 Мбит/с; Uпит.=4,75…5,25 / 3,0…3,6В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема трансивер PHY Ethernet с гарантированной радиационной стойкостью и подсистемой обработки SEFI, 10/100/1000 Мбит/с; Uпит.=1,71…1,89 / 3,15…3,47В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема трёхконтактный настраиваемый регулятор RHA; Uпит.=4,3…60В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный усилитель RRIO с с широким диапазоном питания, гарантированной радиационной стойкостью и низким смещением на входе; Uпит.=2,7…12В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема радиационно-стойкий высокоточный операционный усилитель; Uпит.=±2,0…±18В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный полностью дифференциальный усилитель класса V, устойчивый к радиации; Uпит.=3,75…5,25В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный полностью дифференциальный усилитель класса V, устойчивый к радиации; Uпит.=3…5 / ±1,5…±2,5В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема трансивер класса V, 1.6-2.5 Гбит/с; Uпит.=2,375...2,7В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный радиоустойчивый синхронизатор тактовых импульсов класса V и устройство для устранения дрожания; Uпит.=3,0…3,6В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный радиационно-устойчивый полностью дифференциальный Rail-to-Rail I/O усилитель с инверсным входом, до 850 МГц; Uпит.=2,7…5,1В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема перекрестный переключатель класса V 2x2, LVDS; Uпит.=3,0...3,6В; Tраб. 0...+0°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3...6,3В; Uвых=0,795...6,35В; Iвых=6А; Tраб. 25 to 25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема низковольтный LVPECL 1:10 с выбираемым входным тактовым драйвером; Uпит.=2,375…3,8В; Tраб. 25...+25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ОЗУ с защитой от радиации, 16 Мб; Uпит.=3,0…3,6/1,7…1,9В; Tраб. 0...+0°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3...7В; Uвых=0,804...6,7В; Iвых=6А; Tраб. 25 to 25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...7В; Uвых=0,604...6,65В; Iвых=18А; Tраб. 25 to 25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=3...5,5В; Uвых=0,804...5,3В; Iвых=3А; Tраб. 25 to 25°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема цифровой сигнальный процессор с плавающей точкой; Uпит.=1,14…1,32 / 3,14…3,46В; Tраб. 0...+0°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?