| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| Микросхема встроенный силовой каскад GaN FET 600 В и 50 мОм с защитой от перегрузки по току; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема встроенный силовой каскад GaN FET 600 В и 50 мОм с защитой от перегрузки по току; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C | — | 3 недели | — |
| (TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | — | 3 недели | 4 198.55 руб. | ||
| (TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | — | 3 недели | 4 883.03 руб. | ||
| (TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 119 шт | заказ | 3 354.15 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV | 1209 шт | 1 неделя | 6 374 руб. | |
| (Texas Instruments) Микросхема: SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV | 417 шт | 1 неделя | 7 322 руб. |
| (Texas Instruments) | — | заказ | — |
| (Texas instruments) LMG341xR050 GaN Power StageTexas Instruments LMG341xR050 GaN Power Stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x"s inherent advantages over sil | 500 шт | 8 недель | 5 690 руб. |
| (TI) | 2000 шт | 1 неделя | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?