Еще предложения

Купить LMG3410R150 у поставщиков

LMG  |  LMG3410  |  LMG3410R
Продавец Наименование Склад Под заказ Цена
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 150 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 150 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE 1329 шт 1 неделя 2 136 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE 29 шт 1 неделя 2 521 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 1 106.95 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 124 шт заказ 1 776.62 руб.
ЮЛ
(Texas instruments) Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 150 mOhms, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 2.7 ns, Время спада: 15 ns, Выходной ток: 15 mA, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Количество выходов: 1 Output, Количество драйверов: 1 Driver, Ком — 8 недель —
ЮЛ
(Texas instruments) Power\Power Management ICs\Gate DriversДрайверы для управления затвором 600-V 150ma GaN with integrated driver and overcurrent protection 32-VQFN -40 to 125 600 шт 8 недель 2 190 руб.
To top

Сообщение для разработчиков

Отправить
Сообщение успешно отправлено. Спасибо за обратную связь.