Еще предложения

Купить LMG34 у поставщиков

LMG
Продавец Наименование Склад Под заказ Цена
ЮЛ
Микросхема встроенный силовой каскад GaN FET 600 В и 50 мОм с защитой от перегрузки по току; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема встроенный силовой каскад GaN FET 600 В и 50 мОм с защитой от перегрузки по току; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 70 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 70 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 150 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 150 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема встроенный силовой каскад GaN FET 600 В и 50 мОм с защитой от перегрузки по току; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема встроенный силовой каскад GaN FET 600 В и 50 мОм с защитой от перегрузки по току; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 70 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 70 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 150 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером и защитой, 600 В, 150 мОм; Uпит.=9,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+150°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+125°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+125°C — 3 недели —
ЮЛ
Микросхема GaN FET со встроенным драйвером, защитой и системой оповещения о температуре, 600 В, 30 мОм; Uпит.=7,5…18В; Tраб. -40...+125°C — 3 недели —
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) 12 шт заказ 40 362.23 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) — 3 недели 39 103.52 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 2 426.78 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 215 шт заказ 2 665.76 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 2 834.51 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 2 416.95 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 1454 шт заказ 2 168.58 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 1 106.95 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 124 шт заказ 1 776.62 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) — 3 недели 39 103.52 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) 7 шт заказ 43 265.77 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) — 3 недели 44 212.52 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) — 3 недели 40 732.83 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 4 198.55 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 4 883.03 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 119 шт заказ 3 354.15 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 3 641.80 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 356 шт заказ 2 517.94 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 857 шт заказ 1 481.35 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 1 796.34 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 303 шт заказ 1 847.08 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. — 3 недели 2 297.41 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TEXAS INSTRUMENTS) — 3 недели 39 912.44 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) EVALUATION BOARD FOR LMG3410 11 шт 1 неделя 56 198 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) LMG3410 EVM 3 шт 1 неделя 58 539 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV 851 шт 1 неделя 3 488 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV 101 шт 1 неделя 4 121 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER 657 шт 1 неделя 2 709 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE 1329 шт 1 неделя 2 153 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE 29 шт 1 неделя 2 542 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) LMG3411 EVM 6 шт 1 неделя 56 198 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) DEVELOPMENT POWER MANAGEMENT 1 шт 1 неделя 70 421 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) LMG3411 EVM 1 шт 1 неделя 58 539 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV 1209 шт 1 неделя 6 380 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV 417 шт 1 неделя 7 328 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: 600-V 70MOHM GAN WITH INTEGRATED 244 шт 1 неделя 4 765 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE 1335 шт 1 неделя 2 718 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) Микросхема: SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE 33 шт 1 неделя 3 302 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Texas Instruments) EVALUATION BOARD FOR LMG34XX 2 шт 1 неделя 62 283 руб.
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ 3 787.40 руб.
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ 4 166.94 руб.
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ 40 066.68 руб.
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ 4 202.18 руб.
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ 4 537.43 руб.
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas Instruments) — заказ —
ЮЛ
(Texas instruments) Драйверы для управления затвором 600-V 50-m GaN with integrated driver and protection 32-VQFN -40 to 125 600 шт 8 недель 3 280 руб.
ЮЛ
(Texas instruments) Драйверы для управления затвором 600-V 70mG GaN with integrated driver and protection 32-VQFN -40 to 125 — 8 недель —
ЮЛ
(Texas instruments) Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 70 mOhms, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 15 ns, Время спада: 4.2 ns, Выходной ток: 40 A, Диапазон рабочих температур: 40 C to + 125 C, Задержка распространения - макс.: 20 ns, 36 ns, Категория продукта: Драйвер — 8 недель —
ЮЛ
(Texas instruments) Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 150 mOhms, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 2.7 ns, Время спада: 15 ns, Выходной ток: 15 mA, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Количество выходов: 1 Output, Количество драйверов: 1 Driver, Ком — 8 недель —
ЮЛ
(Texas instruments) Power\Power Management ICs\Gate DriversДрайверы для управления затвором 600-V 150ma GaN with integrated driver and overcurrent protection 32-VQFN -40 to 125 600 шт 8 недель 2 190 руб.
ЮЛ
(Texas instruments) 200 шт 8 недель 38 950 руб.
ЮЛ
(Texas instruments) Engineering Development Tools\Power Management IC Development ToolsСредства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LMG3411EVM-029 HALF BRIDGE 150 шт 8 недель 44 040 руб.
ЮЛ
(Texas instruments) LMG341xR050 GaN Power StageTexas Instruments LMG341xR050 GaN Power Stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x"s inherent advantages over sil 500 шт 8 недель 5 690 руб.
ЮЛ
(Texas instruments) Драйверы для управления затвором 600-V 70mG GaN with integrated driver and cycle-by-cycle overcurrent protection 32-VQFN -40 to 125 — 8 недель —
ЮЛ
(Texas instruments) Power\Power Management ICs\Gate DriversДрайверы для управления затвором 500 шт 8 недель 3 860 руб.
ЮЛ
(Texas instruments) Драйверы для управления затвором 600-V 150ma GaN with integrated driver and cycle-by-cycle overcurrent protection 32-VQFN -40 to 125 800 шт 8 недель 1 830 руб.
ЮЛ
(Texas instruments) Power\Power Management ICs\Gate DriversДрайверы для управления затвором 600-V 150ma GaN with integrated driver and cycle-by-cycle overcurrent protection 32-VQFN -40 to 125 600 шт 8 недель 2 580 руб.
ЮЛ
(TI) 2000 шт 1 неделя —
ЮЛ
(TI) 2000 шт 1 неделя —
ЮЛ
(TI) 2000 шт 1 неделя —
ЮЛ+ФЛ
(TI) — 35 недель 62 900.11 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TI) — 6 недель 2 579.22 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TI) — 6 недель 1 833.27 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TI) — 35 недель 2 199.92 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TI) — 35 недель 62 900.11 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TI) — 35 недель 4 336.63 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TI) — 35 недель 3 119.72 руб.
ЮЛ
(Texas Instruments) 311 шт 2 недели —
ЮЛ
(Texas Instruments) Драйверы для управления затвором 600-V 12-A Single Channel GaN Power Stage 32-VQFN -40 to 125 — 1 неделя —
To top

Сообщение для разработчиков

Отправить
Сообщение успешно отправлено. Спасибо за обратную связь.