| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (TEXAS INSTRUMENTS) | 10 шт | заказ | 30 917.14 руб. | ||
| (TEXAS INSTRUMENTS) | — | 3 недели | 29 278.51 руб. | ||
| (TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | — | 3 недели | 574.76 руб. | ||
| (TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 7350 шт | заказ | 555.62 руб. | ||
| (TEXAS INSTRUMENTS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | — | 3 недели | 689.39 руб. | ||
| (TEXAS INSTRUMENTS) | — | 3 недели | 29 278.51 руб. | ||
| (STMicroelectronics) | — | 3 недели | 70 261.54 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(SAB North America) PLASTIC LOCKNUT M12 GRAY | 440 шт | 1 неделя | 87 руб. | |
| (Texas Instruments) EVAL MODULE | 7 шт | 1 неделя | 42 078 руб. | ||
| (Texas Instruments) Микросхема: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA | 3263 шт | 1 неделя | 722 руб. | ||
| (Texas Instruments) Микросхема: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA | 1509 шт | 1 неделя | 930 руб. | ||
| (Texas Instruments) Микросхема: IC GATE DRVR GAN MOSFET | 7173 шт | 1 неделя | 951 руб. | ||
| (Texas Instruments) Микросхема: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN | 1877 шт | 1 неделя | 1 490 руб. | ||
| (STMicroelectronics) DC/DC RESONANT CONVERTER FOR IND | 2 шт | 1 неделя | 95 214 руб. |
| (Texas Instruments) | — | заказ | — |
| (Texas Instruments) | — | заказ | 23 295.21 руб. | ||
| (Texas Instruments) | — | заказ | — | ||
| (Texas Instruments) | — | заказ | 433.91 руб. | ||
| (Texas Instruments) | — | заказ | 26 312.44 руб. | ||
| (Texas Instruments) | — | заказ | 599.02 руб. | ||
| (Texas Instruments) | — | заказ | — | ||
| (Texas Instruments) | — | заказ | — |
| (2010 г.) 1192 этикетка есть | 1 шт | 1 неделя | 19 314.77 руб. |
| (Texas instruments) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием EVM OF LMG1205 | 300 шт | 8 недель | 31 170 руб. | ||
| (Texas instruments) ЭлектроэлементGate Drivers 1.2-A, 5-A 100-V, half bridge gate driver with 5-V UVLO for GaNFET and MOSFET 12-DSBGA -40 to 125 | 1000 шт | 8 недель | 780 руб. | ||
| (Texas instruments) Драйверы для управления затвором 100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 12-DSBGA -40 to 125 | — | 8 недель | — | ||
| (Texas instruments) Драйверы для управления затвором 100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 12-DSBGA -40 to 125 | — | 8 недель | — | ||
| (Texas instruments) Драйверы для управления затвором 200V, 1.5A/3A Half bridge MOSFET and GaN FET driver with adjustable dead-time 19-WQFN -40 to 125 | — | 8 недель | — | ||
| (Texas instruments) Драйверы для управления затвором 200V, 1.5A/3A Half bridge MOSFET and GaN FET driver with adjustable dead-time 19-WQFN -40 to 125 | — | 8 недель | — |
| (TI) | 60000 шт | 1 неделя | — | ||
| (TI) | 50000 шт | 1 неделя | — | ||
| (TI) | 60000 шт | 1 неделя | — | ||
| (TI) | 12000 шт | 1 неделя | — | ||
| (TI/) | 25 шт | 1 неделя | 3 168 руб. |
| (TI) | — | 35 недель | 47 096.06 руб. | ||
| (TI) | — | 87 недель | 414.38 руб. | ||
| (TI) | — | 12 недель | 497.20 руб. | ||
| (TI) | — | 35 недель | 47 096.06 руб. | ||
| (TI) | — | 30 недель | 700.44 руб. | ||
| (TI) | — | 8 недель | 840.46 руб. | ||
| (STM) | — | 5 недель | 58 936.63 руб. |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?