|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя; Uпит.=3…30В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя; Uпит.=±4,0…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных таймера; Uпит.=4,5…18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя; Uпит.=3…30В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора; Uпит.=2…36 / ±1…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя; Uпит.=±15 / 5,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема логарифмический усилитель; Uпит.=±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 микромощных операционных компаратора LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два таймера LinCMOS™; Uпит.=2…15В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя; Uпит.=±15 / 5,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 12-битный АЦП с последовательным управлением и 11 аналоговыми входами; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 10-битный низковольтный АЦП с последовательным управлением и 8 аналоговыми входами; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 4 низковольтных дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=2…8В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема стандартная высокоскоростная схема PAL®; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема стандартная высокоскоростная схема PAL®; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема стандартная высокоскоростная схема PAL®; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема стандартная высокоскоростная схема PAL®; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный прецизионный операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±1,9…±8,0В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=2,7…8,0В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема стандартная высокоскоростная схема PAL®; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокопроизводительная схема IMPACT™ PAL®; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощная высокопроизводительная схема IMPACT™ PAL®; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокопроизводительная схема IMPACT™ PAL®; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощная высокопроизводительная схема IMPACT™ PAL®; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокопроизводительная схема IMPACT™ PAL®; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощная высокопроизводительная схема IMPACT™ PAL®; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокопроизводительная схема IMPACT™ PAL®; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощная высокопроизводительная схема IMPACT™ PAL®; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?