Актуальные предложения от поставщиков по компоненту «IXTN550N055T2»:
|
|
|
Модуль, одиночный транзистор, 55В, 550А, SOT227B, Ugs: ±30В, 940Вт
|
1 шт: 7 916.37 руб. 3 шт: 6 831.33 руб. 10+ шт: 5 621.30 руб.
|
|
1 шт: 7 916.37 руб.
3 шт: 6 831.33 руб.
10+ шт: 5 621.30 руб.
Модуль, одиночный транзистор, 55В, 550А, SOT227B, Ugs: ±30В, 940Вт
|
ООО "ЭИК"
|
1 неделя
205 шт.
|
|
|
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
|
9 776 руб.
|
|
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Россия, Санкт-Петербург
ООО "ЭИК"
|
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Екатеринбург
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Екатеринбург
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
ООО "НТК "Мостэк"
|
51 неделя
|
|
|
|
Россия, Чебоксары
ООО "НТК "Мостэк"
|
ООО "Импульс-Электро"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Ижевск
ООО "Импульс-Электро"
|
|
|
Драйверы для управления затвором GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
—
|
|
Драйверы для управления затвором GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Россия, Нижний Новгород
ООО "Элгет"
|
ООО "МГК-ЭЛЕКТРОНИКС"
|
12 шт.
|
|
|
|
Россия, Москва
ООО "МГК-ЭЛЕКТРОНИКС"