Актуальные предложения от поставщиков по компоненту «IXGN50N120C3H1»:
|
|
|
Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 50А, SOT227B
|
1 шт: 9 411.34 руб. 3 шт: 8 298.29 руб. 10+ шт: 6 756.78 руб.
|
|
1 шт: 9 411.34 руб.
3 шт: 8 298.29 руб.
10+ шт: 6 756.78 руб.
Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 50А, SOT227B
|
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Екатеринбург
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Екатеринбург
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
ООО "НТК "Мостэк"
|
63 недели
|
|
|
|
Россия, Чебоксары
ООО "НТК "Мостэк"
|
ООО "Импульс-Электро"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Ижевск
ООО "Импульс-Электро"
|
|
|
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode
|
—
|
|
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode
Россия, Нижний Новгород
ООО "Элгет"
|
ООО "МГК-ЭЛЕКТРОНИКС"
|
16 шт.
|
|
|
|
Россия, Москва
ООО "МГК-ЭЛЕКТРОНИКС"