Купить IS42S16160J-6 у поставщиков
| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| Микросхема 32Mx8, 16Mx16 синхронная память DRAM емкостью 256 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. 0...+70°C; 166МГц; 6 | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема 32Mx8, 16Mx16 синхронная память DRAM емкостью 256 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. 0...+70°C; 166МГц; 6 | — | 3 недели | 564 руб. | ||
| Микросхема 32Mx8, 16Mx16 синхронная память DRAM емкостью 256 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. 0...+70°C; 166МГц; 6 | — | 3 недели | — | ||
| Микросхема 32Mx8, 16Mx16 синхронная память DRAM емкостью 256 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. 0...+70°C; 166МГц; 6 | — | 3 недели | — |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(ISSI) Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 537 шт | 1 неделя | 870 руб. | |
| (ISSI) IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 534 шт | 1 неделя | 897 руб. | ||
| (ISSI) IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 28435 шт | 1 неделя | 1 292 руб. | ||
| (ISSI) IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 3171 шт | 1 неделя | 1 317 руб. | ||
| (ISSI) IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 1920 шт | 1 неделя | 870 руб. | ||
| (ISSI) IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 1028 шт | 1 неделя | 1 192 руб. | ||
| (ISSI) IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 586 шт | 1 неделя | 1 241 руб. | ||
| (ISSI) IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 519 шт | 1 неделя | 1 260 руб. |
| (ISSI) | — | заказ | 626.77 руб. | ||
| (ISSI) | — | заказ | — | ||
| (ISSI) | — | заказ | 819.31 руб. | ||
| (ISSI) | — | заказ | 833.65 руб. | ||
| (ISSI) | — | заказ | 556.11 руб. | ||
| (ISSI) | — | заказ | 584.78 руб. | ||
| (ISSI) | — | заказ | 746.60 руб. | ||
| (ISSI) | — | заказ | 775.27 руб. |
| (ISSI) | 5061 шт | 2 недели | — | ||
| (ISSI) | 1146 шт | 2 недели | — | ||
| (ISSI) | 4252 шт | 2 недели | — |
| (ISSI) | — | 8 недель | 832.21 руб. | ||
| (ISSI) | — | 8 недель | 848.22 руб. | ||
| (ISSI) | — | 8 недель | 915.43 руб. | ||
| (ISSI) | — | 8 недель | 934.64 руб. | ||
| (ISSI) | — | 8 недель | 800.20 руб. | ||
| (ISSI) | — | 8 недель | 816.21 руб. | ||
| (ISSI) | — | 8 недель | 880.23 руб. | ||
| (ISSI) | — | 8 недель | 896.23 руб. |
| (ISSI) DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS | — | 1 неделя | — | ||
| (ISSI) DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R | — | 1 неделя | — | ||
| (ISSI) DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT | — | 1 неделя | — | ||
| (ISSI) DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R | — | 1 неделя | — | ||
| (ISSI) DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz | — | 1 неделя | — | ||
| (ISSI) DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz | — | 1 неделя | — | ||
| (ISSI) DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz | — | 1 неделя | — | ||
| (ISSI) DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz | — | 1 неделя | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?