|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128bit; Fтакт.=100 kHz; Uпит.=4,5…5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный маломощный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный маломощный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема источник опорного напряжения; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ультрамалошумящий операционный усилитель с выходом Rail-To-Rail; Uпит.=2,7…12В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128bit; Fтакт.=100 kHz; Uпит.=1,8…6,0V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема последовательной памяти; EEPROM 128B; Uпит.=5,0V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 1K; Uпит.=5В (±10%); Tраб. -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 2K; Uпит.=5В (±10%); Tраб. -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 4K; Uпит.=5В (±10%); Tраб. -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128bit; Fтакт.=100 kHz; Uпит.=2,5…6,0V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный драйвер постоянного тока для светодиодов; Uп=3,3...5,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя общего назначения; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных аудиоусилителя; Uпит.=±2,0…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный маломощный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с высокой скоростью наращивания сигнала и однополярным питанием; Uпит.=4,0…36В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема регулятор напряжения подстраиваемый прецизионный; корпус PDIP-8; 1%; -40...85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема источник опорного напряжения; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два малошумящих широкополосных прецизионных усилителя; Uпит.=±2,0…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема программируемый маломощный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=1,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема таймер LinCMOS™; Uпит.=2,3…2,7В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, 550 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, 550 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 4Kx8 (32 Kbit); Fтакт.=400 kHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 64Kx8 (512 Kbit)bit; Fтакт.=400 kHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 64Kx8 (512 Kbit)bit; Fтакт.=1 MHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема последовательной памяти; EEPROM 128B; Uпит.=2,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 4Kx8 (32 Kbit); Fтакт.=400 kHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 64Kx8 (512 Kbit)bit; Fтакт.=400 kHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 256K; Fтакт.=10MHz; Uпит.=1,8...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 256K; Fтакт.=10MHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя; Uпит.=5,0…30В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два малошумящих широкополосных прецизионных усилителя; Uпит.=±2,0…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=4,5…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=4,5…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=4,5…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий прецизионный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=±2,3…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий прецизионный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=±2,3…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±2,3…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема программируемый маломощный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема программируемый маломощный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный ЦАП; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионная виртуальная земля Rail Splitter; Uпит.=4,0…40В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=3,0…3,6В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом и выходом Rail-To-Rail, 1 мА/канал; Uпит.=2,5…12 / ±1,25…±6,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом и выходом Rail-To-Rail, 1 мА/канал; Uпит.=2,5…12 / ±1,25…±6,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=2,7…8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=2,7…8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема наномощный операционный усилитель со встроенным компаратором; Uпит.=2,5…16В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный низковольтный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=2…8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема среднемощный низковольтный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=2…8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема низковольтный высокоскоростной операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=2…8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два низковольтных дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=2…8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоэффективный низковольтный операционный усилитель; Uпит.=±1,0… ±2,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с отключением и входом/выходом Rail-to-Rail, 500 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с отключением и входом/выходом Rail-to-Rail, 500 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с отключением и входом/выходом Rail-to-Rail, 500 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и защитой от обратного подключения батареи, 880 нА/канал; Uпит.=2,5…16 / ±1,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и защитой от обратного подключения батареи, 880 нА/канал; Uпит.=2,5…16 / ±1,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 23 мкА/канал, 220 кГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с входом/выходом Rail-to-Rail, 23 мкА/канал, 220 кГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 600 мкА/канал, 2.8 МГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два высокопроизводительных операционных усилителя с входом/выходом Rail-to-Rail, 600 мкА/канал, 2.8 МГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема семейство наномощных операционных усилителей и двухтактных компараторов; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и отключением; Uпит.=1,8…3,6 / ±0,9…±1,8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и отключением; Uпит.=1,8…3,6 / ±0,9…±1,8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, высокой скоростью нарастания сигнала и отключением, 2.7 В; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с выходом Rail-to-Rail, высокой скоростью нарастания сигнала, 2.7 В; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два высокоскоростных операционных усилителя с входом/выходом Rail-to-Rail; Uпит.=1,8…3,6 / ±0,9…±1,8В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема наномощный компаратор с двухтактным выходом; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два наномощных компаратора с двухтактными выходами; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный операционный усилитель с отключением; Uпит.=2,5…6,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два высокопроизводительных операционных усилителя; Uпит.=2,5…6,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный маломощный ЦАП с отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128Kx8 (1Mb)bit; Fтакт.=400 kHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128Kx8 (1Mb)bit; Fтакт.=400 kHz; Uпит.=1,7...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128Kx8 (1Mb)bit; Fтакт.=1 MHz; Uпит.=1,8...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128Kx8 (1Mb)bit; Fтакт.=1 MHz; Uпит.=1,8...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128Kx8 (1Mb)bit; Fтакт.=400 kHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 128Kx8 (1Mb)bit; Fтакт.=400 kHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 131072x8 (1Mb)bit; Fтакт.=20 MHz; Uпит.=1,8...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 256K; Fтакт.=10MHz; Uпит.=1,8...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 256K; Fтакт.=10MHz; Uпит.=1,8...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 131072x8 (1Mb)bit; Fтакт.=20 MHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 256K; Fтакт.=10MHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 256K; Fтакт.=10MHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный прецизионный операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±1,9…±8,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±2,3…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=2,7…8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=2,7…8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения, 23 мкА/канал, 220 кГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 23 мкА/канал, 220 кГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с входом/выходом Rail-to-Rail, 23 мкА/канал, 220 кГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения, 600 мкА/канал, 2.8 МГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 600 мкА/канал, 2.8 МГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два высокопроизводительных операционных усилителя с входом/выходом Rail-to-Rail, 600 мкА/канал, 2.8 МГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, высокой скоростью нарастания сигнала и отключением, 2.7 В; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с выходом Rail-to-Rail, высокой скоростью нарастания сигнала, 2.7 В; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный 12-битный маломощный ЦАП с отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 256K; Fтакт.=10MHz; Uпит.=1,8...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти EEPROM (Serial EEPROM); EEPROM 256K; Fтакт.=10MHz; Uпит.=2,5...5,5V; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный микроконтроллер (FLASH 1024x14; SRAM 64x8; EEPROM 128x8)
|
80 шт
|
—
|
1 шт: 480 руб. 30 шт: 457.26 руб. 60+ шт: 436.63 руб.
|
|
|
Микросхема 8-разрядный микроконтроллер с FLASH памятью; Uпит.=2,3...5,5В; -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный микроконтроллер с FLASH памятью; Uпит.=2,3...5,5В; -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный микроконтроллер с FLASH памятью; Uпит.=2,3...5,5В; -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный микроконтроллер с FLASH памятью; Uпит.=2,3...5,5В; -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный микроконтроллер с FLASH памятью; Uпит.=2,3...5,5В; -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный КМОП-микроконтроллер на базе флэш-памяти с жидкокристаллическим драйвером; Uпит.=1,8…5,5В; -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный КМОП-микроконтроллер на базе флэш-памяти с жидкокристаллическим драйвером; Uпит.=1,8…5,5В; -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный КМОП-микроконтроллер на базе флэш-памяти с жидкокристаллическим драйвером; Uпит.=1,8…5,5В; -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный КМОП-микроконтроллер на базе флэш-памяти с жидкокристаллическим драйвером; Uпит.=1,8…5,5В; -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный КМОП-микроконтроллер на базе флэш-памяти с жидкокристаллическим драйвером; Uпит.=1,8…5,5В; -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Усовершенствованный флэш-микроконтроллер с технологией ECAN ™ , 10-разрядным АЦП и нановаттной технологией; Uпит.=4,2…5,5В; -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Усовершенствованный флэш-микроконтроллер с технологией ECAN ™ , 10-разрядным АЦП и нановаттной технологией; Uпит.=4,2…5,5В; -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема FLASH памяти; FLASH 128M-bit; Uпит.=2,7...3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема последовательной FLASH-памяти 3V 32M-разрядная с двойным и четырехъядерным SPI; Uпит.=2,7…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема FLASH памяти; FLASH 8M-bitМб; Uпит.=2,7...3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный микроконтроллер с FLASH памятью; Uпит.=1,8...3,6В; -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный микроконтроллер с FLASH памятью; Uпит.=1,8...3,6В; -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный КМОП-микроконтроллер на базе флэш-памяти с жидкокристаллическим драйвером; Uпит.=1,8…3,6В; -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный КМОП-микроконтроллер на базе флэш-памяти с жидкокристаллическим драйвером; Uпит.=1,8…3,6В; -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный КМОП-микроконтроллер на базе флэш-памяти с жидкокристаллическим драйвером; Uпит.=1,8…3,6В; -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Усовершенствованный флэш-микроконтроллер с технологией ECAN ™ , 10-разрядным АЦП и нановаттной технологией; Uпит.=2,0…5,5В; -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Усовершенствованный флэш-микроконтроллер с технологией ECAN ™ , 10-разрядным АЦП и нановаттной технологией; Uпит.=2,0…5,5В; -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?