| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| 3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI_2.7V-3.6V, -40 +85 C,104Mhz(208/416Mhz dual/quad-spi/qpi) | — | — | 73 руб. | ||
| 3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI_2.7V-3.6V, -40 +85 C,104Mhz(208/416Mhz dual/quad-spi/qpi) | — | — | 117 руб. | ||
| 3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI | — | — | 216 руб. | ||
| 3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI_FV заменяет BV | — | — | 289 руб. | ||
| 3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI AND QPI_FV заменяет BV | — | — | 383 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(INFINEON) Транзистор БТИЗ, биполярный, 1,2кВ, 50А, 326Вт, PG-TO247-3 | — | 55 шт, 6 недель |
1 шт: 884.62 руб. 10 шт: 757.07 руб. 30 шт: 681.20 руб. 150+ шт: 526.80 руб.
|
|
| (INFINEON) Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 25А, 190Вт, PG-TO247-3 | — | 216 шт, 7 недель |
1 шт: 583.25 руб. 10 шт: 554.79 руб. 30 шт: 537.54 руб. 100 шт: 518.46 руб. 500 шт: 497.40 руб. 1000+ шт: 477.75 руб.
|
| (Infineon Technologies) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 441 шт | заказ | 874.05 руб. | ||
| (Infineon Technologies) / М.опт: 30-119 шт. Опт: от 120 шт. | — | 3 недели | 883.64 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 9187 шт | заказ | 66.90 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 876 шт | заказ | 66.90 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(INFINEON TECHNOLOGIES) | 54 шт | 1 неделя | 1 054 руб. | |
| (Infineon Technologies) Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 | 1607 шт | 1 неделя | 1 382 руб. | ||
| (INFINEON TECHNOLOGIES) | 30 шт | 1 неделя | 823 руб. | ||
| (INFINEON) Транзистор: IGBT 1200V 50A TO247-3 | 186 шт | 1 неделя | 944 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) FIXED IND 4.7UH 1.4A 150MOHM SMD | 73 шт | 1 неделя | 79 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD | 55419 шт | 1 неделя | 79 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) FIXED IND 1.5UH 3.2A 54MOHM SMD | 165677 шт | 1 неделя | 79 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) FIXED IND 2.2UH 2.2A 93MOHM SMD | 100177 шт | 1 неделя | 25.60 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) FIXED IND 4.7UH 1.4A 216MOHM SMD | 316776 шт | 1 неделя | 79 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) FIXED IND 470NH 5.9A 20MOHM SMD | 6940 шт | 1 неделя | 58 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) FIXED IND 4.7UH SMD | 936 шт | 1 неделя | 84 руб. |
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | 879.64 руб. | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | 705.53 руб. | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | 874.58 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung) | — | заказ | 27.33 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — | ||
| (Samsung) | — | заказ | 32.39 руб. | ||
| (Samsung Electro-Mechanics) | — | заказ | — |
| 1 шт | — | 85.80 руб. | |||
| 1 шт | — | 54.60 руб. |
| (INF) IGBT ваЁбва | — | заказ | — |
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 322.20 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 144 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 297.90 руб. |
| (Infineon) | — | 6 недель | 748.44 руб. | ||
| (Infineon) | — | 40 недель | 606.18 руб. | ||
| (Infineon) | — | 6 недель | 608.69 руб. | ||
| (Infineon) | — | 40 недель | 445.77 руб. | ||
| (Samsung) | — | 4 недели | 9.27 руб. |
| (Samsung Semiconductor) | 1524 шт | 2 недели | — | ||
| (Samsung Semiconductor) | 9868 шт | 2 недели | — | ||
| (Samsung Semiconductor) | 9769 шт | 2 недели | — | ||
| (Samsung Semiconductor) | 2021 шт | 2 недели | — | ||
| (Samsung Semiconductor) | 8970 шт | 2 недели | — | ||
| (Samsung Semiconductor) | 7566 шт | 2 недели | — |
| (Infineon Technologies) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (Infineon Technologies) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (Infineon Technologies) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 25A | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
| (Lumex) Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа LED With Spacer | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
67- IGW25N120H3FKSA1
- IGW25T120
- IGW25N120H3
- CIGW252010GLR47MNE
- IGW25T120FKSA1
- CIGW252010GL1R5MNE
- CIGW252010GL2R2MNE
- CIGW252010GL1R0MNE
- CIGW252010GM1R0MNE
- CIGW252010GL4R7MNE
- CIGW252012GL4R7MNE
- CIGW252010GM4R7MNE
- 25Q64VFIG (W25Q64BVFIG) SO-16 WINB Напряжение питания 2,7-3,6В.
- W25Q32BVSIG W25Q32BVSG
- CIGW252010EH4R7MNE
- CIGW252010GL3R3MNE
- 25Q80BVSIG (W25Q80BVSSIG) SO8-208mm (широкая)
- CIGW252010GLR33MNE
- W25Q128FVFIG W25Q128FVFG
- CIGW252012GM6R8MSE
- CIGW252012GM1R0MNE
- SSS-LX5093IGW-250B
- W25Q32FVSIG W25Q32FVSG
- IGW25N120H3XK
- CIGW252008EH4R7SLE
- CIGW252010EH4R7SNE
- CIGW252010GM1R0MSE
- CIGW252010GM2R2MSE
- CIGW252010GMR47MNE
- W25Q128BVFIG W25Q128BVFG
- W25Q256FVFIG W25Q256FVFG
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?