Купить HMC8411LP2FE у поставщиков
Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(Analog Devices Inc.) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | — | 3 недели | 9 668.16 руб. | ||
(Analog Devices Inc.) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | — | 3 недели | 10 730.54 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(Analog Devices Inc.) DC - 8 GHZ 15 DB GAIN | 815 шт | 1 неделя | 15 454 руб. | |
(Analog Devices Inc.) DC - 8 GHZ 15 DB GAIN | 485 шт | 1 неделя | 15 454 руб. |
(Analog Devices) | — | заказ | 8 069.41 руб. | ||
(Analog Devices) | — | заказ | 12 099.20 руб. |
(Analog Devices (Linear/Hittite)) микросхема электронная интегральная D/C: N/A LFCSP-6 Tape - лента 1 | 570 шт | 5 недель | — | ||
(Analog Devices (Linear/Hittite)) микросхема электронная интегральная D/C: N/A LFCSP-6 Cut Tape - отрезная лента 1 | 750 шт | 5 недель | — |
(Analog devices) HMC8411 Low Noise AmplifierAnalog Devices Inc. HMC8411 Low Noise Amplifier is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low-noise wideband amplifier. The device ope | 500 шт | 8 недель | 12 610 руб. | ||
(Analog devices) RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF AmplifierHMC8411 Low Noise AmplifierAnalog Devices Inc. HMC8411 Low Noise Amplifier is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pH | 500 шт | 8 недель | 12 320 руб. |
(AD) | — | 13 недель | 12 997.25 руб. | ||
(AD) | — | 7 недель | 10 546.42 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
12- HMC8411LP2FETR
- HMC8411LP2FE
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?