Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — |
(Китай) Транзистор HGTG12N60A4 TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTSMPS Series600V54A96A2.0V17ns96ns167W низкие потери проводимости Высокочастотные импульсные источники питания | — | 1051 шт, 1 неделя |
1 шт: 535.20 руб. 5 шт: 508.80 руб. 10+ шт: 482.40 руб.
|
||
(Китай) Транзистор HGTG12N60A4D TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTDiSMPS Series75kHz600V54A96A2.0V17ns96ns167W низкие потери проводимости Высокочастотные импульсные источники питания | — | 1052 шт, 1 неделя |
1 шт: 362.40 руб. 5 шт: 344.40 руб. 10+ шт: 326.40 руб.
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Harris Corporation) Транзистор: 24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL | 236 шт | 1 неделя | 1 159 руб. | |
(Harris Corporation) Транзистор: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT | 606 шт | 1 неделя | 1 672 руб. | ||
(Harris Corporation) Транзистор: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N | 15378 шт | 1 неделя | 832 руб. |
(FSC) Транзистор TO-247 | 10 шт | — | 337 руб. |
(On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 157.99 руб. |
(ON Semiconductor) D/C: N/A TO-3P N/A 1 | 1980 шт | 4 недели | — |
(Fairchild Semiconductor) | 7406 шт | 2 недели | — |
(FSC) | — | 1 неделя | — | ||
(FAIR) | — | 1 неделя | — |
(FSC) TO-247 | 50 шт | — | 352 руб. |
(FAIR) | — | заказ | — | ||
(FSC) IGB0/54/167в/Uн б.=2.0, бвал Hyperfast Ё, >100ж ,trise/fall=8/18б | — | заказ | — | ||
(Fairchild) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — |
(ONS) | 50 шт | 3 недели | 351 руб. |
1 шт | — | 234 руб. | |||
10 шт | — | 234 руб. |
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel | — | 1 неделя | — | ||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — |
18 шт | — | — |
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 117 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 101.70 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 396 руб. |
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(On Semiconductor) | — | заказ | 459.59 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(On Semiconductor) | — | заказ | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
35- HGTG12N60A4D
- HGTG12N60A4
- HGTG12N60C3D
- HGTG12N60B3
- HGTG12N60D1D
- Транзистор HGTG12N60A4 TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания
- HGTG12N60A4D, аЁбва IGBT 600 54 167в [TO-247]
- HGTG12N60DID
- Транзистор HGTG12N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series,<75kHz;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания
- HGTG12N60C3D_NL
- 12N60A4 (HGTG12N60A4) N815AB TO247
- HGTG12N60A4D (TO-247)
- HGTG12N60A4 (TO-247)
- 12N60A4 (HGTG12N60A4) 1J26AC TO247
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?