Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
2 шт | — | 538 руб. |
IGBT 1000V,60A_с диодом_with diode | — | — | 622 руб. |
(TOS) 2-21F2C | 81 шт | — | 480 руб. | ||
(Toshiba) 2-21А2С | 48 шт | — | 877 руб. | ||
(Silan Microelectronics) TO-3P | 48 шт | — | 419 руб. |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 9 шт | — | 873 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 13 шт | — | 732 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 16 шт | — | 1 613 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 91 шт | — | 450 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(IXYS) Транзистор: IGBT, GenX3™, 600В, 60А, 380Вт, TO268 | — | 17 шт, 6 недель |
1 шт: 1 191.96 руб. 3 шт: 1 047.25 руб. 10 шт: 917.62 руб. 30+ шт: 790.23 руб.
|
(Toshiba/Toshiba Semiconductor) | 2 шт | — |
1 шт: 696 руб. 5 шт: 672 руб. 10+ шт: 612 руб.
|
(Китай) GT60N321 | — | 2 шт, 1 неделя |
1 шт: 974.40 руб. 5 шт: 926.40 руб. 10+ шт: 877.20 руб.
|
(TOS) Транзистор 2-21F2C | 10 шт | — | 738 руб. | ||
(TOSHIBA) 2-21F2C | 10 шт | — | 597 руб. | ||
(Toshiba) 2-21А2С | 10 шт | — | 922 руб. | ||
(SC) TO3P | 10 шт | — | 634 руб. | ||
(Silan Microelectronics) TO-3P | 10 шт | — | 447 руб. |
(Toshiba) | — | заказ | — | ||
— | заказ | 1 412.98 руб. | |||
(Micron Technology) | — | заказ | — |
ЮЛ+ФЛ
|
(IXYS) Транзистор: IGBT 600V 75A 380W TO268 | 17 шт | 1 неделя | 1 495 руб. |
6 шт | — | 230.88 руб. |
(TOS) IGBT+Dяя1000V, 60A, 170W | — | заказ | — | ||
(Toshiba) аЁбвал Ёпал | — | заказ | — | ||
(TOS) | — | заказ | — |
(TOSHIBA) | 30 шт | 1 неделя | 484 руб. | ||
(SiLan) | 500 шт | 1 неделя | 528 руб. |
(IXYS) | — | 6 недель | 815.40 руб. |
— | заказ | — | |||
— | заказ | — |
(TOSHIBA) | 3066 шт | 2 недели | — | ||
(TOSHIBA) | 1477 шт | 2 недели | — | ||
(TOSHIBA) | 4497 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 1305 шт | 2 недели | — | ||
(MICRON) | 2066 шт | 2 недели | — |
(Toshiba/Toshiba Semiconductor) | 2 шт | 1 неделя | 919.34 руб. | ||
(NO NAME) | 9 шт | 1 неделя | 849.39 руб. |
(Toshiba) | — | заказ | 266.40 руб. |
— | 1 неделя | — | |||
— | 1 неделя | — | |||
(TOSHIBA) | — | 1 неделя | — | ||
(TOSHIBA) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V | — | 1 неделя | — |
88 шт | — | 1 401.92 руб. | |||
17 шт | — | — | |||
20 шт | — | — | |||
12 шт | — | — | |||
11 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
49- GT60N321
- IXGT60N60C3D1
- GT60N322
- SGT60N60FD1PN
- GT60N321(Q)
- GT60N321[Q]
- M29W640GT60NA6E
- IGBT GT60N321 1000V; 60A; TO-3P
- GT60N323
- IXGT60N60B2
- GT60N323 2-21F1a Toshiba
- GT60N321 TOS
- SGT60N60FD1 orig.
- GT60N322 Toshiba
- GT60N321 Q 60A, 1000V
- IXGT60N60
- SGT60N60FD1 TO247 Silan
- GT60N321N
- GT60N321 транзисторы
- IXGT60N60C2
- GT60N321 TO3P Toshiba
- GT60N321 2-21F1a Toshiba
- GT60N321 Toshiba
- GT60N321, аЁбва IGBT 1000V 60A [TO-3P]
- GT60N321(Q) TO247
- GT60N322 2-21F1a
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?