Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
IGBT 1000V,60A_с диодом_with diode | — | — | 600 руб. | ||
IGBT 1000V,40A_с диодом_with diode | — | — | 470 руб. |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 11 шт | — | 1 425 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 15 шт | — | 870 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 25 шт | — | 357 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 30 шт | — | 630 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 6 шт | — | 1 184 руб. |
1 шт | — | 780 руб. |
(Китай) Транзистор GT50N322 TO3P TOSHIBA MOSNIGBTDi1000V50A156W | — | 1048 шт, 1 неделя |
1 шт: 336 руб. 5 шт: 319.20 руб. 10+ шт: 302.40 руб.
|
||
(Китай) Транзистор GT50N322A TO3P TOSHIBA MOSNIGBTDi1000V50A | — | 1049 шт, 1 неделя |
1 шт: 457.20 руб. 5 шт: 434.40 руб. 10+ шт: 411.60 руб.
|
(Toshiba) Транзистор 2-16C1C | 10 шт | — | 738 руб. | ||
(TOSHIBA) TO3P | 10 шт | — | 525 руб. | ||
(TOS) IGBT+D 1000V 50A TO3P | 4 шт | — | 330 руб. | ||
(TOSHIBA) TO3P | 10 шт | — | 653 руб. | ||
(Toshiba) TO3PB | 10 шт | — | 682 руб. | ||
(KEC) Транзистор TO-247 | 10 шт | — | 671 руб. | ||
(ON S) TO247 | 10 шт | — | 450 руб. |
(Toshiba/Toshiba Semiconductor) IGBT, N-ch 1000V 50A 156W с диодом | 1 шт | — |
1 шт: 600 руб. 5 шт: 558 руб. 10+ шт: 528 руб.
|
(TOSHIBA) / М.опт: 10-49 шт. Опт: от 50 шт. | 239 шт | заказ | 821.35 руб. | ||
(ROHM SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-49 шт. Опт: от 50 шт. | 916 шт | заказ | 588.85 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(Toshiba Semiconductor and Storage) Транзистор: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC | 52 шт | 1 неделя | 1 291 руб. | |
(Rohm Semiconductor) Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT | 1368 шт | 1 неделя | 1 044 руб. | ||
(Rohm Semiconductor) Транзистор: IGBT | 900 шт | 1 неделя | 1 133 руб. | ||
(Rohm Semiconductor) Транзистор: IGBT | 1014 шт | 1 неделя | 1 035 руб. |
(Toshiba) 2-16C1C | 94 шт | — | 505 руб. | ||
(TOS) TO3PB | 48 шт | — | 521 руб. | ||
(KEC) TO-247 | 55 шт | — | 359 руб. |
(Toshiba/Toshiba Semiconductor) | 1 шт | 1 неделя | 776.26 руб. |
(Toshiba) | — | заказ | — | ||
(Toshiba) | — | заказ | — | ||
(Rohm) | — | заказ | 273.46 руб. | ||
(ROHM) | — | заказ | 293.06 руб. | ||
(ROHM Semiconductor) | — | заказ | 653.74 руб. | ||
— | заказ | — | |||
— | заказ | — | |||
— | заказ | — |
(TOSHIBA) | 2 шт | 1 неделя | 880 руб. | ||
(KEC) | 20 шт | 1 неделя | 792 руб. |
— | заказ | — |
(Toshiba) | — | 20 недель | 464.64 руб. | ||
(ROHM) | — | 7 недель | 556.19 руб. | ||
(ROHM) | — | 7 недель | 497.52 руб. |
(Toshiba) | — | заказ | 804.60 руб. | ||
(IXYS) | — | заказ | 403.20 руб. |
(TOSHIBA) | 241 шт | 2 недели | — | ||
(TOSHIBA) | 126 шт | 2 недели | — | ||
(TOSHIBA) | 7066 шт | 2 недели | — | ||
(TOSHIBA) | 158 шт | 2 недели | — | ||
(TOSHIBA) | 1245 шт | 2 недели | — |
— | 1 неделя | — | |||
(IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V 2.5 V Rds | — | 1 неделя | — | ||
(IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 900V 2.7 Rds | — | 1 неделя | — | ||
(IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 900V | — | 1 неделя | — |
2 шт | — | 322.53 руб. |
11 шт | — | — | |||
10 шт | — | — | |||
18 шт | — | — | |||
12 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
58- GT50N322A
- GT50N322
- RGT50NS65DGC9
- GT50N324
- IXGT50N60C2
- IXGT50N90B2
- RGT50NS65DGTL
- KGT50N60KDA
- IXGT50N90B2D1
- GT50N322A(Q)
- RGT50NL65DGTL
- IXGT50N60B2
- Транзистор GT50N322A TO-3P TOSHIBA MOS-N-IGBT+Di;1000V,50A
- KGT50N60KDA TO247 KEC
- NGT50N65S1
- KGT50N60KDA TO247 KEC
- GT50N322 TOS
- GT50N322 TO3P Toshiba
- GT50N322A=GT50N322
- GT50N322 транзисторы
- GT50N322 Toshiba
- GT50N322A транзисторы
- GT50N322A TO3P Toshiba
- GT50N322 2-21F1a Toshiba
- Транзистор GT50N322 TO-3P TOSHIBA MOS-N-IGBT+Di;1000V,50A,156W
- GT50N321
- GT50N322 A 40A,1000V
- IXGT50N60B
- GT50N322AQ
- GT50N322 Toshiba TO-3P транзистор
- GT50N322 60A,1000V
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?