| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| N-Channel IGBT 600V 50A | — | — | 271 руб. |
| (TOSHIBA) Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт | — | 1 неделя | 186.67 руб. |
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 66 шт | — | 337 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 88 шт | — | 521 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(TOSHIBA) Транзистор: IGBT, 600В, 49А, 230Вт, TO3PN | — | — |
1 шт: 1 026.47 руб. 3 шт: 918.23 руб. 10 шт: 788.28 руб. 25+ шт: 662.82 руб.
|
|
| (TOSHIBA) Транзистор: IGBT, 600В, 44А, 115Вт, TO3PN | 9 шт | — |
1 шт: 190 руб. 10 шт: 185.23 руб. 100 шт: 183.44 руб. 500 шт: 175.49 руб. 1000+ шт: 165.54 руб.
|
| (TOSHIBA) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 237 шт | заказ | 744.87 руб. | ||
| (TOSHIBA) / М.опт: 25-49 шт. Опт: от 50 шт. | — | заказ | 212.52 руб. | ||
| (TOSHIBA) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 81 шт | заказ | 744.87 руб. |
| (TOS) Биполярный транзистор IGBT 600 В 50 А 230 Вт | — | 9539 шт, 1 неделя |
1 шт: 261.60 руб. 5 шт: 249.60 руб. 10+ шт: 236.40 руб.
|
||
| (Китай) | — | 54 шт, 1 неделя |
1 шт: 500.40 руб. 5 шт: 476.40 руб. 10+ шт: 451.20 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор GT50JR22 TO3P TOSHIBA MOSNIGBTDi600V50A230W | — | 1047 шт, 1 неделя |
1 шт: 238.80 руб. 5 шт: 228 руб. 10+ шт: 216 руб.
|
| (Toshiba) Транзистор TO-3P | 10 шт | — | 400 руб. | ||
| (TOSHIBA) TO3P | 10 шт | — | 410 руб. |
| (Toshiba) | — | заказ | 499.16 руб. | ||
| (Toshiba) | — | заказ | — | ||
| (Toshiba) | — | заказ | 400.22 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(TOSHIBA) Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN | 209 шт | 1 неделя | 928 руб. |
| (TOS) | 3084 шт | 21 неделя | 150.64 руб. |
| (TOS) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 1000. Вес брутто - 6.55 г. Корпус - TO-3P(N). Описание - IGBT N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN. | 9449 шт | — | 189.54 руб. | ||
| (TOS) | 3084 шт | — | 174.82 руб. | ||
| 39 шт | 3 недели | 297.70 руб. | |||
| (Toshiba) | 2000 шт | — | 312 руб. | ||
| 54 шт | — | 361.02 руб. |
| 17 шт | — | 253.44 руб. |
| (TOS) IGBT ваЁбва | — | заказ | — |
| 11 шт | — | 163.80 руб. | |||
| 1 шт | — | 171.60 руб. |
| (Toshiba) | — | 20 недель | 466.22 руб. | ||
| (Toshiba) | — | заказ | 111.61 руб. | ||
| (Toshiba) | — | 20 недель | 466.22 руб. |
| (TOS) | 25 шт | 3 недели | 1 369 руб. | ||
| — | заказ | — |
| (TOSHIBA) | 2541 шт | 2 недели | — | ||
| (TOSHIBA) | 1333 шт | 2 недели | — |
| — | 1 неделя | — | |||
| (Toshiba) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT for Soft Switching Apps | — | 1 неделя | — |
| 100 шт | — | — | |||
| 150 шт | — | — | |||
| 528 шт | — | 237.60 руб. | |||
| 3300 шт | — | 392.58 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
41- GT50JR22
- GT50JR22(STA1,E,S)
- GT50JR21(STA1,E,S)
- GT50JR21
- GT50JR22(STA1.E.S)
- GT50JR22(S1WLD,E,S
- GT50JR22 TO3P Toshiba аналог 60N60SMD
- GT50JR21STA1ES
- GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
- GT50JR21STA1
- GT50JR22 TO-3P Toshiba IGBT600V 50A (F33 506) проверить
- GT50JR22(STA1ES)
- GT50JR22 /TO-3P(N) Транзистор IGBT N-CH 600В 50А 230Вт
- GT50JR22 Toshiba
- GT50JR22 TO-3P Toshiba IGBT600V 50A
- GT50JR22 50A,600V
- GT50JR22 TO3P Toshiba аналог 60N60SMD короткие ноги
- Транзистор GT50JR22 TO-3P TOSHIBA MOS-N-IGBT+Di;600V,50A,230W
- GT50JR22 orig транзисторы
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?