Еще предложения

Купить GSOT36 у поставщиков

GSOT
Продавец Наименование Склад Под заказ Цена
ЮЛ
Два отдельных диода Шоттки для поверхностного (SMD) монтажа; VRRM=30В; IFM=0,2А; VFM=0,5В (при IF=30мА); Tраб. -55...+125°C; маркировка BL — 3 недели —
ЮЛ
Два отдельных диода Шоттки для поверхностного (SMD) монтажа; VRRM=30В; IFM=0,2А; VFM=0,6В (при IF=10мА); Tраб. -55...+125°C; маркировка M4 — 3 недели —
ЮЛ
Два отдельных диода Шоттки для поверхностного (SMD) монтажа; VRRM=30В; IFM=0,2А; VFM=0,6В (при IF=10мА); Tраб. -55...+125°C; маркировка T4 — 3 недели —
ЮЛ
Два отдельных диода Шоттки для поверхностного (SMD) монтажа; VRRM=70В; IFM=0,2А; VFM=0,5В (при IF=1мА); Tраб. -55...+150°C; маркировка H5 — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=200 (min); hFE max.=450 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=450 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=450 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=420 (min); hFE max.=800 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=30В; hFE min.=420 (min); hFE max.=800 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=420 (min); hFE max.=800 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=30В; hFE min.=420 (min); hFE max.=800 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=160 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=3 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=8 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=15 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=3 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=8 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=15 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=3 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=8 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=15 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=20 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN BRT & PNP TXR; Iк=0,15А; Uкэо=50В; hFE min.=120 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Два отдельных диода Шоттки для поверхностного (SMD) монтажа; VRRM=30В; IFM=0,2А; VFM=0,5В (при IF=30мА); Tраб. -55...+125°C; маркировка BL — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=200 (min); hFE max.=450 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=450 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=450 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=420 (min); hFE max.=800 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,6А; Uкэо=40В; hFE min.=100 (min); hFE max.=300 (min); F=300МГц; Pd=0,15mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=500 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=200 (min); hFE max.=500 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; NPN; Iк=0,2А; Uкэо=160В; hFE min.=30 (min); hFE max.=250 (min); F=100МГц; Pd=0mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN BRT & PNP TXR; Iк=0,15А; Uкэо=50В; hFE min.=120 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Сборка 2 транзистора; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=160 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=8 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=3 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=8 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=15 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=3 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=450 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=30В; hFE min.=420 (min); hFE max.=800 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Два отдельных диода Шоттки для поверхностного (SMD) монтажа; VRRM=70В; IFM=0,2А; VFM=0,5В (при IF=1мА); Tраб. -55...+150°C; маркировка H5 — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=45В; hFE min.=200 (min); hFE max.=500 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual PNP; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=220 (min); hFE max.=475 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,1А; Uкэо=65В; hFE min.=200 (min); hFE max.=500 (min); F=100МГц; Pd=0,38mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный; Dual NPN; Iк=0,6А; Uкэо=40В; hFE min.=100 (min); hFE max.=300 (min); F=300МГц; Pd=0,15mW — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные PNP; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=35 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=60 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=8 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=15 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=15 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=20 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор биполярный цифровой; шаг 1,5мм; PNP/NPN; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) — 3 недели —
ЮЛ+ФЛ
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru 392 шт — 10 руб.
ЮЛ+ФЛ
(TRIQUINT) — 52 шт, 1 неделя
1 шт: 1 347.60 руб.
5 шт: 1 280.40 руб.
10+ шт: 1 213.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(No trademark) BC847BPDW1T1G SOT-363 Транзистор — — 5.05 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. — 3 недели 64.87 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Semiconductors) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. 17027 шт заказ 60.90 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. — 3 недели 68.38 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Semiconductors) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. 9850 шт заказ 60.90 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. — 3 недели 71.88 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. — 3 недели 71.88 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. — 3 недели 56.10 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Semiconductors) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. 72516 шт заказ 72.66 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Semiconductors) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. 9788 шт заказ 67.11 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. — 3 недели 75.39 руб.
ЮЛ+ФЛ
диодный мост (5-Line Transient Voltage Suppressor Array) 28 шт — 13 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23-3 6100 шт 1 неделя 70 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 14718 шт 1 неделя 72 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Semiconductors) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 9820 шт 1 неделя 94 руб.
ЮЛ+ФЛ
(VISHAY) Диод: TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23-3 2580 шт 1 неделя 38.60 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 24407 шт 1 неделя 106 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 8605 шт 1 неделя 77 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 8820 шт 1 неделя 77 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 13742 шт 1 неделя 80 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 9335 шт 1 неделя 109 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay General Semiconductor - Diodes Division) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 15679 шт 1 неделя 80 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Intertechnology Inc) 105 шт 1 неделя 318 руб.
ЮЛ+ФЛ
(VISHAY) 11+ 3000/REEL SOT-23-3 (TO-236) N/A 1 3000 шт 4 недели 7.76 руб.
ЮЛ
(VISHAY) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 — заказ —
ЮЛ
(VISHAY) TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23 — заказ —
ЮЛ
(TriQuint) гбЁЁвЁ аЁзбввл — заказ —
ЮЛ
1279 36 шт 1 неделя 44 руб.
ЮЛ
(2018 г.) 1268 этикетка есть. 3000 шт 1 неделя —
ЮЛ
(2018 г.) 1268 этикетка есть. 644 шт 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay) 3066 шт 2 недели —
ЮЛ
(Vishay) 9066 шт 2 недели —
ЮЛ
(Vishay) 6759 шт 2 недели —
ЮЛ
(Vishay) 8766 шт 2 недели —
ЮЛ
(Vishay) 7346 шт 2 недели —
ЮЛ
(Vishay) 10066 шт 2 недели —
ЮЛ
(SEMITEH) 3066 шт 2 недели —
ЮЛ+ФЛ
(Vishay) — 23 недели 10.65 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay) — 20 недель 10.65 руб.
ЮЛ
(TriQuint) 52 шт 1 неделя 631.43 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Single — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay) — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt AEC-Q101 Qualified — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt AEC-Q101 Qualified — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Single AUTO — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Single AUTO — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay) — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Common Anode — 1 неделя —
ЮЛ
— 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Common Anode — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Common Anode — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Common Anode — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay) — 1 неделя —
ЮЛ
(VISHAY) — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt AEC-Q101 Qualified — 1 неделя —
ЮЛ
— 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt AEC-Q101 Qualified — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 36 Volt 300 Watt Common Anode AUTO — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay) — 1 неделя —
ЮЛ
— 1 неделя —
ЮЛ
— 1 неделя —
ЮЛ
(ON) — 1 неделя —
ЮЛ
(TOKO) — 1 неделя —
ЮЛ
(ON) — 1 неделя —
ЮЛ
(ON) — 1 неделя —
ЮЛ
(ON) — 1 неделя —
ЮЛ
(ON) — 1 неделя —
ЮЛ
(ON) — 1 неделя —
ЮЛ
(ON) — 1 неделя —
ЮЛ
(LRC) — 1 неделя —
ЮЛ
(SEIKO) — 1 неделя —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 58.97 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 48.81 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 70.16 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 61.01 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 71.18 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ —
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 71.18 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 65.08 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 55.92 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 67.11 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 71.18 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 68.13 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 79.31 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ 79.31 руб.
ЮЛ
(Vishay Semiconductors) — заказ —
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Intertechnology) — заказ 159.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Intertechnology) — заказ 3.64 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Intertechnology) — заказ 3.27 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Vishay Intertechnology) — заказ 178.20 руб.
ЮЛ
3000 шт — —
To top

Сообщение для разработчиков

Отправить
Сообщение успешно отправлено. Спасибо за обратную связь.