Актуальные предложения от поставщиков по компоненту «FGH40T120SMD»:
|
|
|
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
|
1 шт: 2 222.87 руб. 3 шт: 2 004.92 руб. 10 шт: 1 775.39 руб. 30+ шт: 1 596.84 руб.
|
|
1 шт: 2 222.87 руб.
3 шт: 2 004.92 руб.
10 шт: 1 775.39 руб.
30+ шт: 1 596.84 руб.
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
|
|
|
Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
|
2 386 руб.
|
|
Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Россия, Санкт-Петербург
ООО "ЭИК"
|
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Екатеринбург
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
ООО «Аркион»
|
4 недели
16280 шт.
|
|
|
|
23+ TO-247 N/A 1
Россия, не определен
ООО «Аркион»
|
ООО "НТК "Мостэк"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Чебоксары
ООО "НТК "Мостэк"
|
ООО "ОРИОНЭК"
|
3 недели
30 шт.
|
|
|
|
Россия, Чебоксары
ООО "ОРИОНЭК"
|
ООО "Импульс-Электро"
|
на заказ
|
|
|
|
Россия, Ижевск
ООО "Импульс-Электро"
|
|
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FS2 Trench IGBT
|
—
|
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FS2 Trench IGBT
Россия, Нижний Новгород
ООО "Элгет"