Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
ЮЛ+ФЛ
|
(ONSEMI) Транзистор IGBT, 1,3кВ, 30А, 174Вт, TO3PN | — | 5 шт, 9 недель |
1 шт: 907.38 руб. 10 шт: 879.22 руб. 30 шт: 852.74 руб. 100+ шт: 799.05 руб.
|
Транзистор IGBT; Uкэ=1200В; Iк=30А | — | 3 недели | — | ||
Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=30А | — | 3 недели | — |
(onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 146 шт | заказ | 397.60 руб. | ||
(onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 697 шт | заказ | 765 руб. | ||
(onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 295 шт | заказ | 592.21 руб. | ||
(onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 441 шт | заказ | 799.05 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(onsemi) Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 168 шт | 1 неделя | 873 руб. | |
(onsemi) Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P | 868 шт | 1 неделя | 139 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 8100 шт | 1 неделя | 496 руб. | ||
(ONSEMI) Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 249 шт | 1 неделя | 1 428 руб. | ||
(onsemi) Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 434 шт | 1 неделя | 273 руб. |
(ON Semiconductor) D/C: N/A TO-3P N/A 1 | 5000 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) D/C:10+ TO-247 N/A 1 | 2581 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) D/C: N/A N/A 1 | 585 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) DC: N/A N/A 1 | 18000 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) DC: N/A N/A 1 | 18000 шт | 5 недель | — |
(ON Semiconductor) | — | заказ | 326.69 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 708.15 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 367.77 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 342.34 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 498.83 руб. |
— | заказ | — |
(ONS) | — | 7 недель | 539.76 руб. |
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 511.20 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 379.80 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 295.20 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 477 руб. |
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V proliferation PFC home application | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 30A FS | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600V N-Ch Planar | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | — | 1 неделя | — |
(Onsemi) | 516 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 8743 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 5446 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 906 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 96 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 122 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 6934 шт | 2 недели | — |
450 шт | — | — |
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?