Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
IGBT 1200V,25A_с диодом_with diode | — | — | 285 руб. |
Транзистор IGBT; Uкэ=1200В; Iк=25А | — | 3 недели |
1 шт: 936 руб. 220 шт: 868.36 руб. 440+ шт: 802.63 руб.
|
||
Транзистор IGBT; Uкэ=1200В; Iк=25А | — | 3 недели | — | ||
Транзистор IGBT; Uкэ=1200В; Iк=25А | — | 3 недели | — |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 117 шт | — | 300 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(ONSEMI) Транзистор IGBT, 1,2кВ, 25А, 125Вт, TO3P | 10 шт | — |
1 шт: 580 руб. 10 шт: 575.72 руб. 100 шт: 568.30 руб. 500 шт: 535.33 руб. 1000+ шт: 494.11 руб.
|
(Kingdazzle Semiconductor) TO-3PN | 121 шт | — | 160 руб. |
(FAIR) IGBT+D 1200V 25A 2.0V 5.5V 3700pF 154ns TO3P | 2 шт | — | 300 руб. | ||
(FAIR) TO3P | 10 шт | — | 350 руб. | ||
(ON S) TO3P | 10 шт | — | 410 руб. |
(Китай) Транзистор FGA25N120ANTD TO3P FAIRCHILD MOSNIGBTDiNPT Trench1200V50A90A2V60ns100ns312W235ns Положительный темпер.коэфф.Индукционный нагрев микроволновая печь | — | 1027 шт, 1 неделя |
1 шт: 218.40 руб. 5 шт: 207.60 руб. 10+ шт: 196.80 руб.
|
||
(Китай) Транзистор FGA25N120ANTD TO3P Kingdazzle Sem MOSNIGBTDiNPT Trench1200V50A90A2V60ns100ns312W235ns Положительный темпер.коэфф.Индукционный нагрев микроволновая печь | — | 1028 шт, 1 неделя |
1 шт: 262.80 руб. 5 шт: 250.80 руб. 10+ шт: 237.60 руб.
|
(ON Semiconductor) Транзистор FGA25N120ANTDTU | — | заказ | — |
(On Semiconductor) | — | заказ | 412.78 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — |
(ON Semiconductor) D/C: N/A TO-3P N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) 23+ TO-3P N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) D/C: N/A N/A 1 | 9008 шт | 5 недель | — |
8 шт | — | 368.28 руб. |
2 шт | — | 260 руб. |
(FSC) IGBT+Dяя1200V, 25A, 312W, Tf | — | заказ | — | ||
(Fairchild) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — |
(FSC) | — | 1 неделя | 202 руб. | ||
(FAIR) | — | 1 неделя | — |
(MW) | 6 шт | 3 недели | 7 110 руб. |
(Fairchild Semiconductor) | 96 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 3446 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 483 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 3946 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 100 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 5846 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 3303 шт | 2 недели | — |
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 297 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 103.50 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 266.40 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 246.60 руб. |
(FSC) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Copak Discrete | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Copak Discrete | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
— | 1 неделя | — | |||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
49- FGA25N120ANTDTU
- FGA25N120ANTD
- FGA25N120ANTDTU_F109
- FGA25N120ANDTU
- FGA25N120FTD
- FGA25N120ANTDTU-F109
- Транзистор FGA25N120ANTD TO-3P Kingdazzle Sem MOS-N-IGBT+Di;NPT Trench,,;1200V,50A/90A,2V,60ns/100ns,312W,235ns ;Положительный темпер.коэфф.;Индукционный нагрев, микроволновая печь
- FGA25N120ANTDTU_F109 (TO-3PN)
- Транзистор FGA25N120ANTD TO-3P FAIRCHILD MOS-N-IGBT+Di;NPT Trench,,;1200V,50A/90A,2V,60ns/100ns,312W,235ns ;Положительный темпер.коэфф.;Индукционный нагрев, микроволновая печь
- FGA25N1120ANTD
- FGA25N120ANTD orig транзисторы
- FGA25N120FTD (TO-3PN)
- FGA25N120
- FGA25N120ANTDTU FAIR
- FGA25N120ANTD TO3P Fair
- FGA25N120ANTD (TO-3PN)
- FGA25N120AN
- FGA25N120ANTU
- FGA25N120AND
- FGA25N120 TO-3P
- FGA25N120ANTD orig. транзисторы
- FGA25N120ANTDU
- 25N120 (FGA25N120ANTD 1A22SJ ) (IGBT 1200V 25A 312W) TO3PN ON
- FGA25N120ANTDTU, аЁбва IGBT 1200 25 312в, бвал Ё [TO3PN]
- FGA25N120ANTD 25N120
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?