| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=60В; P=138мВт; Iи=100А (при +25°C); R=3.1мОм (макс.при VGS = 10V); Tраб. -55...+175°C | — | 3 недели | 456 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(DIODES INCORPORATED) Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 100А, 3,9Вт, TO252 | 3 шт | — |
1 шт: 160 руб. 10 шт: 156.90 руб. 100 шт: 154.88 руб. 500 шт: 145.89 руб. 1000+ шт: 134.66 руб.
|
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Diodes Incorporated) MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 | 2494 шт | 1 неделя | 461 руб. | |
| (Diodes Incorporated) MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 1925 шт | 1 неделя | 480 руб. | ||
| (Diodes Incorporated) MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB | 780 шт | 1 неделя | 600 руб. | ||
| (Diodes Incorporated) MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB | 467 шт | 1 неделя | 730 руб. | ||
| (Diodes Incorporated) MOSFET N-CH 60V 100A TO252 | 1344 шт | 1 неделя | 346 руб. | ||
| (DIODES INCORPORATED) MOSFET N-CH 60V 100A TO252 | 1453 шт | 1 неделя | 264 руб. | ||
| (Diodes Incorporated) MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060 | 2345 шт | 1 неделя | 418 руб. | ||
| (Diodes Incorporated) MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060 | 2500 шт | 1 неделя | 576 руб. |
| (Diodes Incorporated) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 442.68 руб. |
| (Diodes Incorporated) | — | заказ | — | ||
| (Diodes Incorporated) | — | заказ | — | ||
| (Diodes Inc) | — | заказ | 183.99 руб. | ||
| (Diodes Incorporated) | — | заказ | — | ||
| (Diodes Incorporated) | — | заказ | — | ||
| (Diodes Incorporated) | — | заказ | — | ||
| (Diodes Inc) | — | заказ | 155 руб. | ||
| (Diodes Inc) | — | заказ | 204.99 руб. | ||
| (Diodes Incorporated) | — | заказ | — |
| срок 5-28 недель, кратно НУ | 3200 шт | заказ | — |
| (DIODES) | — | 20 недель | 182.93 руб. | ||
| (DIODES) | — | 20 недель | 188.21 руб. | ||
| (DIODES INC.) | — | 7 недель | 260.49 руб. | ||
| (DIODES) | — | 17 недель | 127.62 руб. | ||
| (Diodes/Zetex) | — | 6 недель | 133.09 руб. |
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A | — | 1 неделя | — | ||
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V | — | 1 неделя | — | ||
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: | — | 1 неделя | — | ||
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор Enh Mode FET 41V to 60V TO263 | — | 1 неделя | — | ||
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A | — | 1 неделя | — | ||
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V | — | 1 неделя | — | ||
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V | — | 1 неделя | — | ||
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W | — | 1 неделя | — | ||
| (Diodes Incorporated) МОП-транзистор 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A | — | 1 неделя | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?