|
|
Микросхема 4 операционных усилителя с JFET-входом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный два операционных усилителя с JFET-входом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя; Uпит.=3…30В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора; Uпит.=2…36 / ±1…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциальный компаратор; Uпит.=3,5…30В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя; Uпит.=3…30В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора; Uпит.=2…36 / ±1…±18В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциальный компаратор; Uпит.=3,5…30В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя; Uпит.=3…30В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора; Uпит.=2…36 / ±1…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя; Uпит.=±4,0…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два компаратора; Uпит.=2…30В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 маломощных дифференциальных компаратора; Uпит.=3…30В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный таймер; Uпит.=4,5…16В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный таймер; Uпит.=4,5…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный операционный усилитель; Uпит.=±3,0…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный таймер; Uпит.=4,5…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный таймер; Uпит.=4,5…18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноканальный высокоскоростной цифровой изолятор; Uпит.=3,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с JFET-входом; Uпит.=±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора; Uпит.=2…36 / ±1…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциальный компаратор; Uпит.=3,5…30В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора; Uпит.=2…36 / ±1…±18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два компаратора; Uпит.=2…30В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора; Uпит.=2…36 / ±1…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два компаратора; Uпит.=2…30В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двойной привод и приемник EIA-232; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 маломощных операционных усилителя; Uпит.=3…36В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных линейных приемника с трехфазными выходами; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента «ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-И-НЕ» с двумя входами; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторных буферов/приводов с высоковольтными выходами открытого коллектора; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 буферов/приводов с высоковольтными выходами открытого коллектора; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов с триггерами Шмитта; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный маломощный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема источник опорного напряжения; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциальный компаратор; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема низковольтный моноусилитель мощности звука, 700 МВт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной драйвер питания; Uпит.=5…40В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема драйвер полевого транзистора с дополнительным переключателем; Uпит.=7…20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 1-6-линейный тактовый драйвер с выбором полярности; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 1-6-линейный тактовый драйвер с выбором полярности; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одноканальный высокоскоростной цифровой изолятор; Uпит.=3,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя; Uпит.=3…30В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два компаратора; Uпит.=2…30В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема низковольтный операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail; Uпит.=2,7…5,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема низковольтный операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail; Uпит.=2,7…5,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя; Uпит.=5,0…30В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двойной линейный привод и приемник RS-232 с защитой от электростатического разряда ±15 кВ; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двойной привод и приемник EIA-232; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный полностью дифференциальный операционный аудиоусилитель; Uпит.=5,0…30 / ±2,5…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail с однополярным питанием, CMRR, 7 МГц, 90 дБ; Uпит.=1,8…5,5 / ±0,9…±2,75В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с обратной связью по напряжению и опцией отключения; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с обратной связью по току и опцией отключения; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сверхширокополосный буферный видеоусилитель с фиксированным коэффициентом усиления и опцией отключения; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный маломощный операционный усилитель с обратной связью по току; Uпит.=до ±6,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сверхширокополосный операционный усилитель с обратной связью по току и опцией отключения; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный усилитель с ограничением по напряжению со стабильным единичным коэффициентом усиления; Uпит.=до ±6,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с низким уровнем искажений, стабильным единичным коэффициентом усиления и обратной связью по напряжению; Uпит.=±5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с низким уровнем искажений, средним коэффициентом усиления и обратной связью по напряжению; Uпит.=±5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный ультрамалошумящий операционный усилитель с обратной связью по напряжению и опцией отключения; Uпит.=±5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной видеомультиплексор 2:1; Uпит.=±5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 вентиля «ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-ИЛИ» с двумя входами; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два D-триггера с запуском по положительному фронту, сбросом и предустановкой; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два дифференциальных линейных приемника; Uпит.=4,75...5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два дифференциальных линейных привода; Uпит.=4,75...5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий усилитель с обратной связью по напряжению со стабильным единичным коэффициентом усиления и высокой скоростью нарастания сигнала; Uпит.=5,0…10 / ±2,5…±5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель; Uпит.=2,7…5 / ±1,35…±2,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3-канальный видеоусилитель SDTV с фильтрами 5-го порядка и коэффициентом усиления 6 дБ; Uпит.=3,0…5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3-канальный видеоусилитель HDTV с фильтрами 5-го порядка и коэффициентом усиления 6 дБ; Uпит.=3,0…5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сверхбыстрый маломощный прецизионный компаратор; Uпит.=±7,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сверхбыстрый маломощный прецизионный компаратор; Uпит.=±7,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема источник опорного напряжения; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 микромощных операционных компаратора LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=1,4…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема таймер LinCMOS™; Uпит.=2,3…2,7В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема таймер LinCMOS™; Uпит.=2,3…2,7В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два таймера LinCMOS™; Uпит.=2…15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два таймера LinCMOS™; Uпит.=2…15В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два таймера LinCMOS™; Uпит.=2…15В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, 550 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, 550 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, 550 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, 550 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый переключатель; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,6А; R=33…61мОм; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый переключатель; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=1А; R=33…61мОм; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=80...150мОм; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый переключатель; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,25А; R=80…150мОм; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый переключатель; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=1А; R=70…150мОм; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=1А; R=70…150мОм; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=1А; R=70…150мОм; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый переключатель; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=1А; R=70…150мОм; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=80…165мОм; Tраб. 0...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=80…165мОм; Tраб. 0...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,25А; R=80…165мОм; Tраб. 0...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,25А; R=80…165мОм; Tраб. 0...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=5,5...36В; Uвых=1,23...31В; Iвых=1А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=5,5...36В; Uвых=1,23...31В; Iвых=2А; Tраб. -40 to 125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-битный двунаправленный преобразователь уровня напряжения с автоматическим определением направления и защитой от электростатического разряда ±15 кВ; Uпит.=1,2…3,6 / 1,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный усилитель с переменным коэффициентом усиления с высоким диапазоном регулировки усиления; Uпит.=±4,0…±5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 16-битный ультрамаломощный ЦАП с выходом по напряжению; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель измерения тока через токовый шунт в цепях высокого напряжения с ИОН и компаратором с открытым стоком; Uпит.=2,7…18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однонаправленный усилитель измерения тока через токовый шунт с двойным компаратором; Uпит.=2,7…18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема однонаправленный измерительный токовый шунтирующий монитор с выходом по напряжению; Uпит.=2,7…18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный цифровой изолятор; Uпит.=3,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный цифровой изолятор; Uпит.=3,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный цифровой изолятор; Uпит.=3,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный цифровой изолятор; Uпит.=3,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный цифровой изолятор; Uпит.=2,8…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя; Uпит.=5,0…30В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя; Uпит.=5,0…30В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема шумный маломощный прецизионный операционный усилитель, 1.1-нВ/?Гц; Uпит.=4,5…36 / ±2,25…±18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с высоким коэффициентом усиления, высоким выходным током и ограничением тока; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два широкополосных операционных усилителя с высоким выходным током и ограничением тока; Uпит.=до ±6,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два широкополосных операционных усилителя с обратной связью по напряжению с отключением; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два широкополосных маломощных операционных усилителя с обратной связью по току; Uпит.=до ±6,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный КМОП-усилитель серии Zero-Drift; Uпит.=1,8…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный КМОП-усилитель, 200 МГц; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с однополярным питанием, нулевым кроссовером, низким уровнем искажений, высоким CMRR, RRI/O, 50 МГц; Uпит.=2,2…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема три широкополосных операционных усилителя с обратной связью по току и опцией отключения; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема три широкополосных буферных видеоусилителя с фиксированным коэффициентом усиления и опцией отключения; Uпит.=5,0…12 / ±2,5…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный высокоскоростной трансимпедансный усилитель; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 малошумящих операционных усилителя с обратной связью по напряжению и стабильным единичным коэффициентом усиления; Uпит.=4,0…12,6 / ±2,0…±6,3В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий высокоточный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±4,0…±18В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента 2И-НЕ; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ с выходами с открытым стоком; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента 2И; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов с триггерами Шмитта на входах; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 логических элемента 4И; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 D-триггера с управлением положительным фронтом тактового сигнала с установкой и сбросом; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 биполярных логических элемента 2И-НЕ; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента «ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-ИЛИ-НЕ» с двумя входами; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 биполярных инверторов с выходами с открытым коллектором; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 биполярных логических элемента 2И с выходами с открытым коллектором; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов с триггерами Шмитта; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 биполярных логических элемента 2ИЛИ; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема дифференциальный шинный трансивер; Uпит.=4,75...5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель с обратной связью по току; Uпит.=±4,5…±16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель с обратной связью по току; Uпит.=±4,5…±16В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий высоковольтный операционный усилитель с обратной связью по току; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель, 270 МГц; Uпит.=5,0…32 / ±2,5…±16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель с малыми искажениями, 290 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель с малыми искажениями, 290 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий высокоскоростной усилитель, 100 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий высокоскоростной усилитель, 100 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема С-стабильный высокоскоростной усилитель, 165 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель, 70 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель, 180 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель, 180 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной усилитель, 180 МГц; Uпит.=9,0…32 / ±4,5…±16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный высокоскоростной усилитель, 175 МГц; Uпит.=10…30 / ±5…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный высокоскоростной усилитель, 175 МГц; Uпит.=10…30 / ±5…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий полностью дифференциальный усилитель ввода/вывода; Uпит.=5,0…30 / ±2,5…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий полностью дифференциальный усилитель ввода/вывода; Uпит.=5,0…30 / ±2,5…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий полностью дифференциальный усилитель ввода/вывода; Uпит.=5,0…30 / ±2,5…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный полностью дифференциальный усилитель с малыми искажениями; Uпит.=4,5…15 / ±2,25…±7,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный полностью дифференциальный усилитель с малыми искажениями; Uпит.=4,5…15 / ±2,25…±7,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий прецизионный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=±2,3…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема программируемый маломощный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема программируемый маломощный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 14-битный маломощный последовательный АЦП с автоматическим выключением питания, 200 кбит/с; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный ЦАП; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 8-битный ЦАП; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 8-битный ЦАП; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-битный умножающий ЦАП; Uпит.=4,75…5,25 / 14,5…15,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионная виртуальная земля; Uпит.=4,0…40В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионная виртуальная земля Rail Splitter; Uпит.=4,0…40В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионная виртуальная земля Rail Splitter; Uпит.=4,0…40В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=3,0…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=3,0…3,6В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный последовательный АЦП с автоматическим выключением питания, 1.25 Мбит/с; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=2,7…8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с отключением и входом/выходом Rail-to-Rail, 500 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с отключением и входом/выходом Rail-to-Rail, 500 мкА/канал, 3 МГц; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail; Uпит.=2,7…16 / ±1,35…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и защитой от обратного подключения батареи, 880 нА/канал; Uпит.=2,5…16 / ±1,25…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 23 мкА/канал, 220 кГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 12-битный маломощный последовательный АЦП с автоматическим выключением питания, 140/200 кбит/с; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 12-битный маломощный последовательный АЦП с автоматическим выключением питания, 200 кбит/с; Uпит.=3,0…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя с выходом Rail-to-Rail, высокой скоростью нарастания сигнала, 2.7 В; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 операционных усилителя с выходом Rail-to-Rail, высокой скоростью нарастания сигнала, 2.7 В; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два высокоскоростных операционных усилителя с входом/выходом Rail-to-Rail; Uпит.=1,8…3,6 / ±0,9…±1,8В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 10-битный ЦАП с отключением питания, 3мкс; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 10-битный маломощный ЦАП с отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 8-битный ЦАП; Uпит.=2,7…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-битный маломощный ЦАП с внутренним ИОН и отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-канальный 8-битный ЦАП с отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный 12-битный маломощный ЦАП с внутренним ИОН и отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный 12-битный маломощный ЦАП с внутренним ИОН и отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двухканальный 12-битный маломощный ЦАП с внутренним ИОН и отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый переключатель; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=70...150мОм; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=70...150мОм; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=80...160мОм; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=70...150мОм; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=80...160мОм; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=70...150мОм; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема аналоговый переключатель; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=70...150мОм; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=70...150мОм; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=70...150мОм; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,5А; R=70...150мОм; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,25А; R=80…160мОм; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3 аналоговых переключателя; Uпит.=2,7...5,5В; Imax=0,25А; R=80…160мОм; Tраб. 0...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Преобразователь постоянного тока; Uвх=3,5...28В; Uвых=0,8...25В; Iвых=3А; Tраб. -40 to 150°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4-битный двунаправленный преобразователь уровня напряжения для приложений с открытым стоком и двухтактных схем; Uпит.=1,7…3,6 / 2,3…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двойной 4-А пиковый высокоскоростной МОП-транзисторный драйвер с низким энергопотреблением; Uпит.=4,5...15В; Tраб. -40…+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двойной 4-А пиковый высокоскоростной МОП-транзисторный драйвер с низким энергопотреблением; Uпит.=4,5...15В; Tраб. -40…+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два высокоскоростных 4A инвертирующих драйвера MOSFET с низким энергопотреблением с функцией ENABLE; Uпит.=4,5...15В; Tраб. -40…+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два высокоскоростных 4А неинвертирующих драйвера MOSFET с низким энергопотреблением с функцией ENABLE; Uпит.=4,5...15В; Tраб. -40…+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростные 4А инвертирующий и неинвертирующий драйверы MOSFET с низким энергопотреблением с функцией ENABLE; Uпит.=4,5...15В; Tраб. -40…+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двойной ШИМ-контроллер с программируемым максимальным рабочим циклом; Uпит.=8,4...14,5В; Tраб. -40…+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема одиночный 9А скоростной низкочастотный драйвер MOSFET с поддержкой; Uпит.=16В (макс.); Tраб. 0…+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двойной 4-А пиковый высокоскоростной МОП-транзисторный драйвер с низким энергопотреблением; Uпит.=4,5...15В; Tраб. 0…+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сборка 7 транзисторов Дарлингтона; V max.=50В (макс.); Iвых=0,35А (макс.)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сборка 7 транзисторов Дарлингтона; V max.=50В (макс.); Iвых=0,35А (макс.)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сборка 7 транзисторов Дарлингтона; V max.=50В (макс.); Iвых=0,35А (макс.)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный КМОП-усилитель серии Zero-Drift; Uпит.=1,8…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный КМОП-усилитель Rail-to-Rail, 1 МГц, 45 мкА; Uпит.=2,1…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный КМОП-усилитель, 200 МГц; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail с однополярным питанием, CMRR, 7 МГц, 90 дБ; Uпит.=1,8…5,5 / ±0,9…±2,75В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с однополярным питанием, нулевым кроссовером, низким уровнем искажений, высоким CMRR, RRI/O, 50 МГц; Uпит.=2,2…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный КМОП-усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 6.5 МГц, 585 мкА; Uпит.=2,3…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 2.9 мА, 90 кГц; Uпит.=1,8…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема ультрамалошумящий высокоскоростной операционный КМОП-усилитель, 12 В; Uпит.=4,0…12 / ±2,0…±6,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема операционный КМОП-усилитель с однополярным питанием серии Zer?-Drift, 0.05 мкВ/°C макс.; Uпит.=2,7…12 / ±1,35…±6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента 2И-НЕ с ТТЛ-совместимыми КМОП-входами; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов с ТТЛ-совместимыми КМОП-входами; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента 2И с ТТЛ-совместимыми КМОП-входами; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 D-триггера с управлением положительным фронтом тактового сигнала с установкой и сбросом с ТТЛ-совместимыми КМОП-входами; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов; Uпит.=2,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента 2И; Uпит.=2,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов с триггерами Шмитта на входах; Uпит.=2,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема декодер/демультиплексор 3:8; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема приоритетный шифратор 8x3; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-входовый селектор/мультиплектор; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный регистр сдвига с параллельным входом и последовательным выходом; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 D-триггера с управлением положительным фронтом тактового сигнала и сбросом; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-входовый селектор/мультиплектор с выходами на 3 состояния; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8 адресуемых защелок; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный регистр сдвига с выходным регистром; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный регистр сдвига с последовательным входом и выходным регистром с выходами на 3 состояния; Uпит.=2,0…6,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 логических элемента 2И-НЕ с ТТЛ-совместимыми КМОП-входами; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов с триггерами Шмитта на ТТЛ-совместимымх КМОП-входах; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема декодер/демультиплексор 3:8; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двоично-десятичный дешифратор; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 биполярных 2-входовых логических элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с выходами с открытым коллектором; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема генератор, управляемый напряжением; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 D-триггера с управлением положительным фронтом тактового сигнала с установкой и сбросом; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 6 инверторов; Uпит.=2,0…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 2 логических элемента 4И-НЕ; Uпит.=2,0…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий прецизионный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=±2,3…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий прецизионный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=±2,3…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий прецизионный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=±2,3…±8,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усовершенствованный прецизионный операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±1,9…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 4 прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 8-разрядный сдвиговый регистр; Uпит.=4,5...5,5В; Tраб. -40…+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема сборка 7 транзисторов Дарлингтона; V max.=50В (макс.); Iвых=0,35А (макс.)
|
—
|
3 недели
|
—
|
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?