|
|
|
Микросхема прецизионный операционный усилитель; Uпит.=±3,0…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с JFET-входом; Uпит.=±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два маломощных операционных усилителя; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема дифференциальный ВЧ-усилитель с АРУ; Uпит.=±3,0…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный маломощный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный маломощный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема регулятор напряжения подстраиваемый прецизионный; корпус PDIP-8; 6mV; 0...70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема дифференциальный компаратор; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной дифференциальный компаратор; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель общего назначения; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя; Uпит.=5,0…30В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема преобразователь напряжения с коммутируемым конденсатором и стабилизатором; Uпит.=3,5…15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный маломощный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный JFET-усилитель с низким смещением; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с JFET-входом; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=4,5…40 / ±2,25…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с высокой скоростью наращивания сигнала и однополярным питанием; Uпит.=4,0…36В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема источник опорного напряжения; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема регулятор напряжения подстраиваемый прецизионный; корпус PDIP-8; 0,5%; 0...70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема широкополосный операционный усилитель с высокопроизводительным приводом и однополярным питанием; Uпит.=4,5…16 / ±2,25…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема программируемый маломощный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=1,4…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два дифференциальных компаратора LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема таймер LinCMOS™; Uпит.=2,3…2,7В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два высокоскоростных дифференциальных линейных приемника; Uпит.=4,75…5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема преобразователь напряжение-частота и частота-напряжение; Uпит.=±13… ±20В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 8-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=4,5…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 8-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=4,5…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 10-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=4,5…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий прецизионный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=±2,3…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий прецизионный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=±2,3…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный ультрамаломощный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный прецизионный операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±1,9…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±2,3…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема программируемый маломощный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема программируемый маломощный операционный усилитель LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный прецизионный компаратор LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два микромощных компаратора напряжения LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 10-битный ЦАП; Uпит.=4,5…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема прецизионная виртуальная земля Rail Splitter; Uпит.=4,0…40В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 8-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=2,7…3,6В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 8-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=2,7…3,6В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 10-битный АЦП с последовательным управлением; Uпит.=3,0…3,6В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения, 23 мкА/канал, 220 кГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 23 мкА/канал, 220 кГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail и функцией отключения, 600 мкА/канал, 2.8 МГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокопроизводительный операционный усилитель с входом/выходом Rail-to-Rail, 600 мкА/канал, 2.8 МГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два высокопроизводительных операционных усилителя с входом/выходом Rail-to-Rail, 600 мкА/канал, 2.8 МГц; Uпит.=2,7…6,0 / ±1,35…±3,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail, высокой скоростью нарастания сигнала и отключением, 2.7 В; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два операционных усилителя с выходом Rail-to-Rail, высокой скоростью нарастания сигнала, 2.7 В; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два высокопроизводительных операционных усилителя; Uпит.=2,5…6,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема 12-битный маломощный ЦАП с отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два D-триггера
|
3 шт
|
—
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный операционный усилитель Rail-To-Rail LinCMOS™; Uпит.=±2,2…±8,0В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный прецизионный операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±1,9…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема усовершенствованный малошумящий операционный усилитель LinCMOS ™ со стабилизированным прерывателем; Uпит.=±2,3…±8,0В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема маломощный прецизионный компаратор LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=3…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема два прецизионных операционных усилителя LinCMOS™; Uпит.=4,0…16В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной маломощный прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=±2,0…±20В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема микромощный операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом и высокопроизводительным приводом; Uпит.=±3,5…±18В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной операционный усилитель Excalibur™ с JFET-входом; Uпит.=±2,25…±19В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема высокоскоростной малошумящий прецизионный операционный усилитель Excalibur™; Uпит.=4,0…44 / ±2,0…±22В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
|
Микросхема двухканальный 12-битный маломощный ЦАП с отключением питания; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?