Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(Infineon) Биполярный транзистор IGBT, 625Вт | — | 1 неделя | 10 353.80 руб. |
Тиристор | 8 шт | заказ | 32 375.37 руб. | ||
(INFINEON) Тиристор | 5 шт | заказ | 10 370.55 руб. | ||
Тиристор | 2 шт | заказ | 35 028 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(INFINEON) Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 600В | — | 7 шт |
1 шт: 9 976.32 руб. 2 шт: 9 794.10 руб. 3 шт: 9 596.11 руб. 4 шт: 9 373.01 руб. 5+ шт: 9 103.38 руб.
|
|
(INFINEON) БТИЗ силовой модуль AG320 | 23 шт | — |
1 шт: 3 390 руб. 10 шт: 3 385.51 руб. 100 шт: 3 352.80 руб. 500 шт: 3 207.42 руб. 1000+ шт: 3 025.70 руб.
|
(Infineon Technologies) / М.опт: от 10 шт. | 19 шт | заказ | 42 876.05 руб. |
(Infineon Technologies) IGBT модуль, 1200В, 75 (120) А, см. даташит | 3 шт | — |
1 шт: 27 800 руб. 2 шт: 26 061.80 руб. 5+ шт: 24 903.50 руб.
|
(INF) Биполярный транзистор IGBT 625Вт | — | 7 шт, 1 неделя |
1 шт: 13 369.20 руб. 5 шт: 12 700.80 руб. 10+ шт: 12 032.40 руб.
|
(Infineon) | 10 шт | 21 неделя | 37 808.23 руб. | ||
(Infineon Technologies) | 3 шт | 21 неделя | 39 331.96 руб. |
(Infineon Technologies) | — | заказ | 10 400.06 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | 11 596.81 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | — | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 10 937.90 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 11 542.45 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | 15 425.07 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 8 174.60 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | 7 799.02 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 25 504.74 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | 31 383.04 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 24 163.86 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | — | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | — | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | — |
(Infineon) | 10 шт | — | 30 312.22 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1200V 30A 235W | 535 шт | 1 неделя | 14 132 руб. | |
(Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1200V 170A 690W | 4599 шт | 1 неделя | 14 864 руб. | ||
(Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MODULE | 33 шт | 1 неделя | 19 760 руб. | ||
(Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 1700V 110A 625W | 637 шт | 1 неделя | 18 522 руб. | ||
(Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MODULE 600V 95A 330W | 9 шт | 1 неделя | 13 104 руб. | ||
(Infineon Technologies) Транзистор: IGBT MOD 600V 100A 310W | 10 шт | 1 неделя | 12 381 руб. |
1 шт | — | 10 200 руб. |
(INF) Тип упаковки - Bulk (россыпь). Нормоупаковка - 10. Вес брутто - 270 г. Корпус - AG-34MM. Описание - IGBT Module N-CH 1200V 105A 625000mW 7-Pin 34MM-1 Tray. | 7 шт | — | 11 141.91 руб. | ||
(INFINEON) БТИЗ силовой модуль AG320 | 25 шт | 8 недель | 4 407 руб. | ||
(Infineon) | 10 шт | — | 16 211 руб. | ||
1 шт | 5 недель | 14 450 руб. | |||
3 шт | — | 36 140 руб. |
1 шт | — | 11 050 руб. |
1 шт | — | 10 965 руб. |
1 шт | — | 15 300 руб. |
(INFINEON TECHNOLOGIES) Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрически | — | 1 неделя | — | ||
(INFINEON TECHNOLOGIES) Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрически | — | 1 неделя | — |
(INF) | — | заказ | — | ||
(Infineon) IGBT гЁ | — | заказ | — | ||
(INFIN) | — | заказ | — |
(INFIN) | — | 1 неделя | — | ||
(INFIN) | — | 1 неделя | — | ||
300 шт | 1 неделя | 16 380 руб. |
(NEX) | 3000 шт | 3 недели | 21.86 руб. |
(Infineon) | — | заказ | 13 597.25 руб. | ||
(Infineon) | — | 127 недель | 20 652.73 руб. | ||
(Infineon) | — | 6 недель | 9 289.58 руб. | ||
(Infineon) | — | 52 недели | 50 361.18 руб. | ||
(Infineon) | — | 52 недели | 57 258.70 руб. |
(Infineon Technologies) | — | заказ | 8 167.50 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 8 031.60 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 9 036 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 2 695.50 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 10 159.20 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 6 235.20 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 9 017.10 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 8 543.70 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 5 518.80 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 6 946.20 руб. |
(Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A CHOPPER | — | 1 неделя | — | ||
(MITSUBISHI) | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A GAR CH | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUAL | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
— | 1 неделя | — | |||
— | 1 неделя | — | |||
(Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 110A | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A DUAL | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 125A | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A PIM | — | 1 неделя | — |
(INFINEON TECHNOLOGIES) | — | заказ | — |
11 шт | — | — | |||
18 шт | — | — | |||
17 шт | — | — | |||
23 шт | — | — | |||
18 шт | — | — | |||
15 шт | — | — | |||
17 шт | — | — | |||
9 шт | — | — | |||
11 шт | — | — | |||
20 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
92- BSM75GB120DN2
- BSM75GD120DLC
- BSM75GB120DN2HOSA1
- BSM75GD120DN2
- BSM75GB60DLC
- BSM75GAL120DN2
- BSM75GD-120DM2
- BSM75GB170DN2
- BSM75GP60
- BSM75GB120DLC
- BSM75GAR120DN2
- BSM75GB120DLCHOSA1
- BSM75GD60DLC
- BSM75GB170DN2HOSA1
- BSM75GD120DLCBOSA1
- BSM75GB120DN2_E3223C-SE
- BSM75GD120DN2BOSA1
- BSM75GP60BOSA1
- BSM75GB60DLCHOSA1
- BSM75GAR120D
- BSM75GAR120DN2HOSA1
- BSM75GD60DLCBOSA1
- BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А. [EOL]
- BSM75GB120DN2 Модуль силовой Infineon
- BSM75GAL120DN2HOSA1
- BSM75GB120DN2 Infineon
- BSM75GD60DN2
- BSM75GB120DN2, Ё IGBT гм, гбв, 1200, 105

Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?