|
|
Микросхема полностью интегрированный приемник GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/QZSS со встроенным RF и встроенной вспышкой; Tраб. -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема многоядерная система DSP+ARM® KeyStone™ II на кристалле; Uпит.=1,71…1,89 / 1,28…1,57В; Tраб. 0...+0°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. 0...+70°C; 200МГц; 5
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. -40...+85°C; 166МГц; 6
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. 0...+70°C; 166МГц; 6
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема cинхронный повышающий преобразователь DC-DC для использования с белыми светодиодами; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -30...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D Boomer™ с расширенным спектром, сверхнизким уровнем электромагнитных помех, без фильтра, 2.65 Вт; Uпит.=2,4…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель мощности звука Boomer™ 1.3 Вт; Uпит.=2,4…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3-канальный видеоусилитель с фильтром ED и коэффициентом усиления 4 В/В; Uпит.=2,6…5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 3-канальный видеоусилитель с фильтром ED и коэффициентом усиления 4 В/В; Uпит.=2,6…5,0В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема защита от короткого замыкания USB типа C на VBUS и защита от электростатического разряда IEC для контактов CC; Uпит.=2,7...4,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,3...5,5В; Uвых=1,05/1,2В; Iвых=0,8А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,3...5,5В; Uвых=1,05/1,2В; Iвых=0,8А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,3...5,5В; Uвых=0,95/1,1В; Iвых=0,8А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,3...5,5В; Uвых=0,95/1,1В; Iвых=0,8А; Tраб. -40 to 85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управление портом USB Type-C™ с подачей питания; Uпит.=2,7...5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема управление портом USB Type-C™ с подачей питания; Uпит.=2,7...5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный операционный усилитель e-trim™ со сверхнизким IQ и низким напряжением смещения; Uпит.=1,7…5,5 / ±0,85…±2,75В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный операционный усилитель e-trim™ с малым напряжением смещения, низким уровнем шума, малым входным током смещения, входом/выходом Rail-to-Rail; Uпит.=1,7…5,5 / ±0,85…±2,75В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема многоядерная система DSP+ARM® KeyStone™ II на кристалле; Uпит.=1,71…1,89 / 1,28…1,57В; Tраб. 0...+0°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема многоядерная система DSP+ARM® KeyStone™ II на кристалле; Uпит.=1,71…1,89 / 1,28…1,57В; Tраб. 0...+0°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. -40...+85°C; 166МГц; 6
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема cинхронный повышающий преобразователь DC-DC для использования с белыми светодиодами; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -30...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный повышающий светодиодный драйвер вспышки с источником тока высокого напряжения, 1.5 А; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный повышающий светодиодный драйвер вспышки с источником тока высокого напряжения, 1.5 А; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоэффективный коммутационный аудиоусилитель без фильтра, 1 Вт; Uпит.=2,7…5,5 / 2,7…3,8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D Boomer™ с расширенным спектром, сверхнизким уровнем электромагнитных помех, без фильтра, 2.65 Вт; Uпит.=2,4…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель мощности звука Boomer™ 2 Вт с выбираемым логическим уровнем отключения; Uпит.=2,2…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель мощности звука Boomer™ 1.3 Вт; Uпит.=2,4…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхемав высокопроизводительный повышающий DC-DC-преобразователь для мощных приложений в мобильных устройствах; Uпит.=2,3…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхемав высокопроизводительный повышающий DC-DC-преобразователь для мощных приложений в мобильных устройствах; Uпит.=2,3…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема полностью интегрированный приемник GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/QZSS со встроенным радиочастотным сигналом и встроенной вспышкой; Tраб. -40…+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема маломощный операционный усилитель RRIO для экономичных систем, 1 МГц; Uпит.=1,8…5,5В; Tраб. -40...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтра, 2.5 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтра, 2.5 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтра с автоматическим восстановлением защиты от короткого замыкания, 3.2 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтра с автоматическим восстановлением защиты от короткого замыкания, 3.2 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель звука класса D с технологией SmartGain™ AGC/DRC, 3 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель звука класса D с технологией SmartGain™ AGC/DRC, 3 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема монофонический аудиоусилитель класса D с быстрым нарастанием усиления SmartGain™ AGC/DRC, 3 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема монофонический аудиоусилитель класса D с быстрым нарастанием усиления SmartGain™ AGC/DRC, 3 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель звука класса D с технологией SmartGain™ AGC/DRC, 3 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель звука класса D с технологией SmartGain™ AGC/DRC, 3 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтров с фиксированным усилением, 2.75 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтров с фиксированным усилением, 2.75 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтров с фиксированным усилением, 2.75 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтров с фиксированным усилением, 2.75 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D без фильтров с фиксированным усилением, 2.75 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D с коэффициентом усиления 6 дБ и автоматическим восстановлением после короткого замыкания, 3.2 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D с коэффициентом усиления 6 дБ и автоматическим восстановлением после короткого замыкания, 3.2 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D с возможностью выбора коэффициента усиления и автоматическим восстановлением защиты от короткого замыкания, 3.2 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D с возможностью выбора коэффициента усиления и автоматическим восстановлением защиты от короткого замыкания, 3.2 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D с коэффициентом усиления 12 дБ и автоматическим восстановлением после короткого замыкания, 3.2 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D с коэффициентом усиления 12 дБ и автоматическим восстановлением после короткого замыкания, 3.2 Вт; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема автономный переключатель аудиогарнитуры с FM и уменьшенным переключателем заземления RON; Uпит.=2,6…4,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема многоядерная система DSP+ARM® KeyStone™ II на кристалле; Uпит.=1,71…1,89 / 1,28…1,57В; Tраб. 0...+0°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. -40...+85°C; 143МГц; 7
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. -40...+105°C; 143МГц; 7
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. -40...+85°C; 143МГц; 7
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. -40...+105°C; 143МГц; 7
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. -40...+85°C; 143МГц; 7
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 512Kx32 бита x 4 банка синхронная динамическая оперативная память 64 МБ; Uпит.=3,3В; Tраб. -40...+105°C; 143МГц; 7
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D Boomer™ с E2S и сверхнизким уровнем электромагнитных помех, без фильтра, 2.6 Вт; Uпит.=2,4…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема моноусилитель мощности звука класса D Boomer™ с E2S и сверхнизким уровнем электромагнитных помех, без фильтра, 2.6 Вт; Uпит.=2,4…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема усилитель мощности звука Boomer™ 2 Вт с выбираемым логическим уровнем отключения; Uпит.=2,2…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема двойной USB-рекламный щит для устройств USB-PD со встроенным переключателем нагрузки на 5 В; Uпит.=2,85...3,45В; Tраб. -10...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема контроллер USB Type-C® и USB PD с переключателем питания и высокоскоростным мультиплексором для Thunderbolt 3; Uпит.=2,85...3,45В; Tраб. -10...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. 0…+95°C; 1333; CL-tRCD-tRP=9-9-9
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный повышающий светодиодный драйвер вспышки с источником тока высокого напряжения, 1.5 А; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема синхронный повышающий светодиодный драйвер вспышки с источником тока высокого напряжения, 1.5 А; Uпит.=2,5…5,5В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Синхронный понижающий преобразователь; Uвх=2,3...5,5В; Uвых=1,05/1,2В; Iвых=0,8А; Tраб. -40 to 105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема контроллер управления док-станцией; Uпит.=2,85...3,45В; Tраб. -10...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=27825; кол.логич.ячеек 356160; RAM (ОЗУ) 26357760бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. 0…+95°C; 1866; CL-tRCD-tRP=13-13-13
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. 0…+95°C; 1600; CL-tRCD-tRP=11-11-11
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1333; CL-tRCD-tRP=9-9-9
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. 0…+95°C; 1333; CL-tRCD-tRP=9-9-9
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема понижающий преобразователь DC-DC со встроенным регулятором низкого падения напряжения и режимом запуска; Uпит.=2,7…5,5В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема понижающий преобразователь DC-DC со встроенным регулятором низкого падения напряжения и режимом запуска; Uпит.=2,7…5,5В; Tраб. -30...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема конфигурируемый регистровый буфер с проверкой четности адресов, 25 бит; Uпит.=1,5 / 1,8В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема конфигурируемый регистровый буфер с проверкой четности адресов, 25 бит; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=11519; кол.логич.ячеек 147443; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
1 шт: 14 880 руб. 135 шт: 14 194.97 руб. 270+ шт: 13 549.74 руб.
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=27825; кол.логич.ячеек 356160; RAM (ОЗУ) 26357760бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=27825; кол.логич.ячеек 356160; RAM (ОЗУ) 26357760бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=27825; кол.логич.ячеек 356160; RAM (ОЗУ) 26357760бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=27825; кол.логич.ячеек 356160; RAM (ОЗУ) 26357760бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=27825; кол.логич.ячеек 356160; RAM (ОЗУ) 26357760бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
1 шт: 19 200 руб. 2 шт: 18 352.96 руб. 4+ шт: 17 518.81 руб.
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=32575; кол.логич.ячеек 416960; RAM (ОЗУ) 30781440бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=32575; кол.логич.ячеек 416960; RAM (ОЗУ) 30781440бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=32575; кол.логич.ячеек 416960; RAM (ОЗУ) 30781440бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=32575; кол.логич.ячеек 416960; RAM (ОЗУ) 30781440бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=37325; кол.логич.ячеек 477760; RAM (ОЗУ) 35205120бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=37325; кол.логич.ячеек 477760; RAM (ОЗУ) 35205120бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=37325; кол.логич.ячеек 477760; RAM (ОЗУ) 35205120бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=37325; кол.логич.ячеек 477760; RAM (ОЗУ) 35205120бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1866; CL-tRCD-tRP=13-13-13
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1600; CL-tRCD-tRP=11-11-11
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. 0…+95°C; 1600; CL-tRCD-tRP=11-11-11
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1333; CL-tRCD-tRP=9-9-9
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1333; CL-tRCD-tRP=9-9-9
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+105°C; 1333; CL-tRCD-tRP=9-9-9
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 20-битный трансивер шины с двойным питанием, настраиваемым преобразованием напряжения и трёхфазными выходами; Uпит.=1,2…3,6В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема конфигурируемый регистровый буфер с входами и выходами SSTL_18, 25 бит; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=27825; кол.логич.ячеек 356160; RAM (ОЗУ) 26357760бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=27825; кол.логич.ячеек 356160; RAM (ОЗУ) 26357760бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=31775; кол.логич.ячеек 406720; RAM (ОЗУ) 29306880бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=32575; кол.логич.ячеек 416960; RAM (ОЗУ) 30781440бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=37325; кол.логич.ячеек 477760; RAM (ОЗУ) 35205120бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=37325; кол.логич.ячеек 477760; RAM (ОЗУ) 35205120бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1600; CL-tRCD-tRP=11-11-11
|
—
|
3 недели
|
1 176 руб.
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1866; CL-tRCD-tRP=13-13-13
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1600; CL-tRCD-tRP=11-11-11
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+105°C; 1600; CL-tRCD-tRP=11-11-11
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1333; CL-tRCD-tRP=9-9-9
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+105°C; 1333; CL-tRCD-tRP=9-9-9
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 32-битная прозрачная защёлка D-типа с выходами в трёх состояниях; Uпит.=1,65…3,60В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема конфигурируемый регистровый буфер, 25 бит; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема конфигурируемый регистровый буфер с проверкой четности адресов, 25 бит; Uпит.=1,7…1,9В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=7911; кол.логич.ячеек 101261; RAM (ОЗУ) 4939776бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+95°C; 1600; CL-tRCD-tRP=11-11-11
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM оперативной памяти; Uпит.=1,5±0,075В; Tраб. -40…+105°C; 1600; CL-tRCD-tRP=11-11-11
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС/FBGA); LAB/CLB=25475; кол.логич.ячеек 326080; RAM (ОЗУ) 16404480бит
|
—
|
3 недели
|
—
|
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?