| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 16 317.70 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 13 шт | заказ | 15 873.22 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 7 шт | заказ | 23 345.97 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 26 583.19 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 | 13 шт | 1 неделя | 23 700 руб. | |
| (Microchip Technology) Транзистор | 14 шт | 1 неделя | 16 075 руб. | ||
| (Microchip Technology) Транзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 | 8 шт | 1 неделя | 38 610 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 20 230.51 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 21 580.65 руб. |
| (Microchip technology) Unclassified | 500 шт | 8 недель | 12 330 руб. |
| (Microchip) | — | 32 недели | 21 594.65 руб. | ||
| (Microchip) | — | 32 недели | 17 141.07 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 13 702.11 руб. | ||
| (Microchip) | — | 32 недели | 65 523.58 руб. | ||
| (Microchip) | — | 32 недели | 55 984.26 руб. | ||
| (Microchip) | — | 32 недели | 27 925.75 руб. | ||
| (Microchip) | — | 32 недели | 33 880.72 руб. | ||
| (Microchip) | — | 32 недели | 23 307.81 руб. | ||
| (Microchip) | — | 32 недели | 29 063.64 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 35 682.38 руб. | ||
| (Microchip) | — | 70 недель | 29 793.79 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | 2 834.10 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 6 871.50 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 4 440.60 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 6 882.30 руб. |
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - SiC | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | — | 1 неделя | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?