| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 | 19 шт | 1 неделя | 17 531 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 8 914.63 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 13 792.06 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 9 439.22 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 6 788.02 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 9 719.60 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — |
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 7 шт | заказ | 12 472.61 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 37 шт | заказ | 9 175.16 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 11 320.04 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 11 шт | заказ | 14 269.97 руб. |
| (Microchip technology) Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesIGBT Power Modules Microchip IGBT Power Modules are a full range of IGBT power modules with different Trench and Field Stop generation offering optimized switching and conduction losses perfor | 500 шт | 8 недель | 12 420 руб. | ||
| (Microchip technology) | 400 шт | 8 недель | 15 760 руб. | ||
| (Microchip technology) Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | 400 шт | 8 недель | 18 310 руб. |
| (Microchip) | — | 66 недель | 13 509.30 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 16 809.19 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 21 246.96 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 15 064.42 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 13 869.63 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 11 363.11 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 20 298.72 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 24 477.31 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 11 239.84 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 18 301.09 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 19 182.95 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 38 002.41 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 15 175.05 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 13 784.29 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 13 471.37 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 15 064.42 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 13 047.82 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 17 150.55 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 27 239.86 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 47 604.95 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 27 239.86 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 13 872.79 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 14 068.76 руб. | ||
| (Microchip) | — | 66 недель | 17 065.21 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | 2 781 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 803.60 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 4 198.50 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 989.80 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 3 423.60 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 3 090.60 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 752.30 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 918.70 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 3 718.80 руб. |
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
97- APTGT50X60T3G
- APTGT50TL601G
- APTGT50H60T3G
- APTGT50A120T1G
- APTGT50DDA120T3G
- APTGT50DH120TG
- APTGT50SK170T1G
- APTGT50H120T3G
- APTGT50TA60PG
- APTGT50H60RT3G
- APTGT50DU120TG
- APTGT50H60T1G
- APTGT50DH60T1G
- APTGT50TDU170PG
- APTGT50A170TG
- APTGT50A170T1G
- APTGT50DSK60T3G
- APTGT50DSK120T3G
- APTGT50SK170TG
- APTGT50SK120TG
- APTGT50H170TG
- APTGT50DH120T3G
- APTGT50TL60T3G
- APTGT50DH170TG
- APTGT50A1202G
- APTGT50DA170T1G
- APTGT50TDU60PG
- APTGT50DDA60T3G
- APTGT50DA120TG
- APTGT50DU170TG
- APTGT50TA170PG
- APTGT50H120TG
- APTGT50H60T2G
- APTGT50A120TG
- APTGT50A60T1G
- APTGT50DA170TG
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?