| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 78 шт | заказ | 1 350.50 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 463.93 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 972.68 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227 | 37 шт | 1 неделя | 5 728 руб. | |
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT 650V 208A 892W T-MAX | 58 шт | 1 неделя | 2 084 руб. | ||
| (MICROCHIP (MICROSEMI)) MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 | 3 шт | 1 неделя | 1 650 руб. | ||
| (Microchip Technology) MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | 72 шт | 1 неделя | 1 385 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 750.51 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 32 365.72 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 170.27 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 855.65 руб. |
| (Microchip technology) Unclassified | 500 шт | 8 недель | 4 670 руб. | ||
| (Microchip technology) UnclassifiedTrans IGBT Chip N-CH 650V 208A 892000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | 800 шт | 8 недель | 1 740 руб. | ||
| (Eaton) | 200 шт | 8 недель | 37 460 руб. |
| (Microchip) | — | 32 недели | 4 930.86 руб. | ||
| (Microchip) | — | 29 недель | 5 487.17 руб. | ||
| (Microchip) | — | 40 недель | 1 833.27 руб. | ||
| (Microchip) | — | 40 недель | 1 163.18 руб. | ||
| (Microchip) | — | 40 недель | 1 001.98 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | 2 074.50 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 457.10 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 749.60 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 865.80 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 547.20 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 524.70 руб. |
| (Microsemi) | 5066 шт | 2 недели | — |
| (Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Diode | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - CoolMOS | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - CoolMOS | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - CoolMOS | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8 | — | 1 неделя | — |
| 1 шт | — | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?