Актуальные предложения от поставщиков по компоненту «APT85GR120JD60»:
ООО "СПЕЦЭЛСЕРВИС"
|
3 недели
|
|
/ М.опт: от 100 шт.
|
6 648.25 руб.
|
|
/ М.опт: от 100 шт.
Россия, Москва
ООО "СПЕЦЭЛСЕРВИС"
ООО "СПЕЦЭЛСЕРВИС"
|
на заказ
2 шт.
|
|
/ М.опт: от 100 шт.
|
7 016.77 руб.
|
|
/ М.опт: от 100 шт.
Россия, Москва
ООО "СПЕЦЭЛСЕРВИС"
ООО "ЭИК"
|
1 неделя
20 шт.
|
|
Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
|
8 870 руб.
|
|
Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Россия, Санкт-Петербург
ООО "ЭИК"
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
|
на заказ
|
|
|
Россия, Екатеринбург
ООО "ПАРТНЕР ЕКБ"
ООО "ДВ АТОМ"
|
8 недель
500 шт.
|
|
UnclassifiedМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
|
7 730 руб.
|
|
UnclassifiedМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Россия, Владивосток
ООО "ДВ АТОМ"
+7 (800) 200-93-91
доб. 200
ООО "НТК "Мостэк"
|
43 недели
|
|
|
Россия, Чебоксары
ООО "НТК "Мостэк"
ООО "Импульс-Электро"
|
на заказ
|
|
|
Россия, Ижевск
ООО "Импульс-Электро"
|
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
|
—
|
|
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Россия, Нижний Новгород
ООО "Элгет"