| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 100-249 шт. Опт: от 250 шт. | 19 шт | заказ | 5 292.94 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 6 648.25 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 2 шт | заказ | 7 016.77 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 170A 962W TO247 | 28 шт | 1 неделя | 3 673 руб. | |
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227 | 10 шт | 1 неделя | 8 291 руб. | ||
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227 | 20 шт | 1 неделя | 9 601 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 8 202.84 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 528.78 руб. |
| (Microchip technology) UnclassifiedМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | 500 шт | 8 недель | 6 680 руб. | ||
| (Microchip technology) UnclassifiedМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | 500 шт | 8 недель | 7 730 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | 1 325.70 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 741.50 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 016 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 298.70 руб. |
| (Microchip) | — | 40 недель | 3 189.26 руб. | ||
| (Microchip) | — | 40 недель | 7 197.16 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 8 331.89 руб. | ||
| (Microchip) | — | 40 недель | 3 122.88 руб. |
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
24- APT85GR120JD60
- APT85GR120J
- APT85GR120B2
- APT85GR120L
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?