| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 5 911.38 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 10 шт | заказ | 2 551.68 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 2 678.95 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 657.15 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) | — | 3 недели | 1 748.85 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP | 128 шт | 1 неделя | 8 514 руб. | |
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 200A 833W TO264 | 83 шт | 1 неделя | 3 858 руб. | ||
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT FIELDSTOP SINGLE 600V 75A T | 97 шт | 1 неделя | 2 387 руб. | ||
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 155A 536W TO264 | 175 шт | 1 неделя | 2 457 руб. | ||
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 75A TO | 33 шт | 1 неделя | 2 519 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 375.03 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 716.67 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 003.27 руб. |
| (Microchip technology) UnclassifiedПолевой упор для траншеи IGBT 1200 В, 200 А, 833 Вт, сквозное отверстие TO-264 [L] | 600 шт | 8 недель | 3 110 руб. | ||
| (Microchip technology) ЭлектроэлементTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | 600 шт | 8 недель | 3 090 руб. |
| (Microsemi) | 786 шт | 2 недели | — |
| (Microchip) | — | 36 недель | 3 359.94 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 7 408.94 руб. | ||
| (Microchip) | — | 29 недель | 3 359.94 руб. | ||
| (Microchip) | — | 29 недель | 1 444.49 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 2 136.71 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | 1 330.20 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 792.90 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 513.80 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 330.20 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 649.80 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 678.60 руб. |
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi | — | 1 неделя | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?