Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(MICROCHIP (MICROSEMI)) | 1 шт | 1 неделя | 9 727.78 руб. |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 20 шт | — | 1 500 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(WANDBOARD) Оценочная плата, типовое решение | — | — | 7 815.92 руб. |
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 3 шт | заказ | 5 997.55 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) | — | 3 недели | 1 221.58 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 160 шт | заказ | 5 220.80 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 5 911.38 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 10 шт | заказ | 2 551.68 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 2 678.95 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 657.15 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) | — | 3 недели | 1 748.85 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 4 178.90 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 97 шт | заказ | 7 505.74 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 7 722.45 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) | — | 3 недели | 2 462.80 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 40 шт | заказ | 2 254.74 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 100-399 шт. Опт: от 400 шт. | — | 3 недели | 2 538.13 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 935.01 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(OptiFuse) FUSE AUTO 7.5A 48VDC BLADE MICRO | 10871 шт | 1 неделя | 222 руб. | |
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227 | 20 шт | 1 неделя | 9 065 руб. | ||
(Microchip Technology) BRIDGE RECT 1P 1.2KV 75A SOT227 | 16 шт | 1 неделя | 7 891 руб. | ||
(Microchip Technology) Диод: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | 4294 шт | 1 неделя | 776 руб. | ||
(Microchip Technology) Диод: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | 22933 шт | 1 неделя | 649 руб. | ||
(Microsemi Corporation) MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX | 22 шт | 1 неделя | 3 782 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP | 128 шт | 1 неделя | 8 514 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 200A 833W TO264 | 83 шт | 1 неделя | 3 858 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT FIELDSTOP SINGLE 600V 75A T | 97 шт | 1 неделя | 2 387 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 155A 536W TO264 | 175 шт | 1 неделя | 2 457 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 75A TO | 33 шт | 1 неделя | 2 519 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX | 31 шт | 1 неделя | 6 018 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP | 40 шт | 1 неделя | 10 346 руб. | ||
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP | 18 шт | 1 неделя | 14 574 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227 | 66 шт | 1 неделя | 7 690 руб. | ||
(Microchip Technology) MOSFET N-CH 500V 75A TO264 | 9 шт | 1 неделя | 3 547 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: MOSFET N-CH 600V 77A TO247 | 3 шт | 1 неделя | 3 155 руб. | ||
(Microchip Technology) MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP | 83 шт | 1 неделя | 9 054 руб. | ||
(Microchip Technology) | 26 шт | 1 неделя | 3 408 руб. | ||
(Microchip Technology) MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK | 391 шт | 1 неделя | 3 655 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: MOSFET N-CH 1200V 7A TO247 | 44 шт | 1 неделя | 1 403 руб. | ||
(Microchip Technology) MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK | 240 шт | 1 неделя | 1 656 руб. | ||
(MICROCHIP (MICROSEMI)) MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 | 12 шт | 1 неделя | 2 594 руб. |
(WANDBRD) | 5 шт | 1 неделя | 5 936.10 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 4 698.97 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 991.14 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 932.85 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 963.97 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 318.37 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 678.02 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 673.11 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 375.03 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 716.67 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 003.27 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 5 872.23 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 6 367.48 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 037 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 384.86 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 5 071.38 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 959.05 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 074.02 руб. |
(Microsemi) микросхема интегральная электронная 1647+ TO-247 N/A 1 | 18000 шт | 5 недель | — |
1 шт | — | 293.04 руб. |
(2015 г.) 1267 этикетка есть. | 19 шт | 1 неделя | — | ||
(2019 г.) 1278 этикетка | 1 шт | 1 неделя | 100 166.67 руб. |
(Microchip technology) Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Bridge Rectifiers | 500 шт | 8 недель | 6 380 руб. | ||
(Microchip technology) ЭлектроэлементRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247 | 800 шт | 8 недель | 1 110 руб. | ||
(Microchip technology) UnclassifiedПолевой упор для траншеи IGBT 1200 В, 200 А, 833 Вт, сквозное отверстие TO-264 [L] | 600 шт | 8 недель | 3 110 руб. | ||
(Microchip technology) ЭлектроэлементTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | 600 шт | 8 недель | 3 090 руб. | ||
(Microchip technology) Unclassified | 500 шт | 8 недель | 7 160 руб. | ||
(Microchip technology) UnclassifiedМОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8 | 600 шт | 8 недель | 2 810 руб. | ||
(Microchip technology) | 800 шт | 8 недель | 1 340 руб. | ||
(Microchip technology) Unclassified | 800 шт | 8 недель | 1 180 руб. |
(WANDBRD) | — | заказ | — |
300 шт | 1 неделя | 6 045 руб. | |||
300 шт | 1 неделя | 8 580 руб. | |||
(WANDBRD) | — | 1 неделя | — |
— | заказ | — |
(Microsemi) | 186 шт | 2 недели | — | ||
(Microsemi) | 966 шт | 2 недели | — | ||
(Microsemi) | 3166 шт | 2 недели | — | ||
(Microsemi) | 786 шт | 2 недели | — |
(Microchip) | — | 40 недель | 2 740.42 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 6 125.65 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 7 886.22 руб. | ||
(Microchip) | — | 66 недель | 8 951.41 руб. | ||
(Microchip) | — | 66 недель | 6 713.56 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 799.68 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 673.25 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 941.92 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 562.62 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 3 397.87 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 3 340.98 руб. | ||
(Microchip) | — | 36 недель | 3 359.94 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 7 408.94 руб. | ||
(Microchip) | — | 29 недель | 3 359.94 руб. | ||
(Microchip) | — | 29 недель | 1 444.49 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 2 136.71 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 5 240.62 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 9 001.99 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 9 678.40 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 9 567.77 руб. | ||
(Microchip) | — | 66 недель | 6 546.04 руб. | ||
(Microchip) | — | 66 недель | 6 546.04 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 2 588.70 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 3 088.11 руб. | ||
(Microchip) | — | 29 недель | 2 746.74 руб. | ||
(Microchip) | — | 29 недель | 7 879.90 руб. | ||
(Microchip) | — | 29 недель | 2 961.68 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 967.21 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 1 223.23 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 1 441.33 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 1 172.66 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 1 387.60 руб. | ||
(WANDBRD) | 5 шт | — | 5 540.88 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 1 139.40 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 632.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 908 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 129.50 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 590.40 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 866.50 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 445.50 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 338.40 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 216.90 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 413 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 388.70 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 330.20 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 792.90 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 513.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 330.20 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 649.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 678.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 097.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 107.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 037.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 240.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 284.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 284.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 142.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 907.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 407.70 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 340.20 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 553.50 руб. |
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - SiC | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - SiC | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - SiC | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Выпрямители Power Module - Diode | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Мостовые выпрямители Power Module - Diode | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Выпрямители Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Выпрямители Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Выпрямители Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - CoolMOS | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - CoolMOS | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(Analog Devices) Трансимпедансные усилители 6.4Gbps capable integrated SiGe PD + TIA | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
208- APT75GN120LG
- APT77N60JC3
- APT75GP120JDQ3
- APT7M120B
- APT75DQ120BG
- APT75DQ60BG
- APT75DL120HJ
- FWBADAPT-7WVGA-PCAP
- APT75GN120JDQ3
- APT75GP120B2G
- APT77N60SC6
- APT7F120B
- APT75GN60LDQ3G
- APT75M50L
- APT70GR120JD60
- APT77N60BC6
- APT75GT120JRDQ3
- APT75GN60BG
- APT75GT120JU2
- APT75GP120J
- APT70GR120B2
- APT75F50L
- APT70GR65B
- APT7F120S
- APT75F50B2
- APT75GN120B2G
- APT75DF170HJ
- APT75M50B2
- APT75DQ100BG
- APT75GT120JU3
- APT70GR120J
- APT70GR120L
- APT7M120S
- APT7F80K
- APT75GN60SDQ2G
- APT7F100B
- APT75GN120J
- APT70GR65B2SCD30
- APT75DQ120SG
- APT75GN60BDQ2G
- APT70GR65B2DU40
- APT77N60SC6/TR
- APT70SM70B
- ПЕРЕХОДНИК APT7NWEAY
- APT7F100S
- APT70SM70J
- APT75GP120
- APT75GP120B2 TO247 100A 1200V 1042W
- APT7M120B (аналог 2П830А)
- ADN3000-06-50A-PT7
- APT75DQ100B
- APT75DL60BG
- APT75DQ60SG
- APT70SM70S
- APT-7.5A
- APT75DL60HJ
- Шасси модульного преобразователя интерфейсов MOXA PT-7728-F-HV
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?