Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 3 368.34 руб. |
(Microchip) | — | заказ | — |
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 5 918.37 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — |
ЮЛ+ФЛ
|
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 1200V 113A 625W TMAX | 30 шт | 1 неделя | 8 341 руб. | |
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 100A 625W TO247 | 29 шт | 1 неделя | 4 449 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP | 20 шт | 1 неделя | 9 972 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP | 114 шт | 1 неделя | 10 727 руб. |
(Microchip technology) Unclassified | 500 шт | 8 недель | 4 000 руб. | ||
(Microchip technology) Unclassified | 600 шт | 8 недель | 3 410 руб. |
(Microchip) | — | 43 недели | 4 219.68 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 3 679.18 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 8 246.55 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 8 869.23 руб. |
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — |
(Microsemi) | — | заказ | 924.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 621.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 103.30 руб. |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
22- APT45GP120B2DQ2G
- APT45GP120BG
- APT45GP120JDQ2
- APT45GP120J
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?